公开(公告)号：CN118259547A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311792811.5

申请日：2023-12-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 大桥正树 ,  橘诚一郎 ,  菊地骏 ,  半田龙之介

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题提供于使用高能射线的光学光刻中，感度及分辨度优良的非化学增幅抗蚀剂组成物，及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段是一种抗蚀剂组成物，包含下式(1)表示的超价碘化合物、含羧基的聚合物及溶剂，#imgabs0#式中，n是0～5的整数，R1及R2各自独立地为卤素原子、或也可含有杂原子的碳数1～10的烃基，又，R1及R2亦可互相键结并和它们所键结的碳原子及该碳原子间的原子一起形成环，R3是卤素原子、或也可含有杂原子的碳数1～40的烃基。

公开(公告)号：CN118795733A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410434699.6

申请日：2024-04-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 大桥正树 ,  菊地骏 ,  橘诚一郎 ,  半田龙之介

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明涉及分子抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中感度、分辨性及LWR优异的分子抗蚀剂组成物、以及使用该分子抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段为一种负型分子抗蚀剂组成物，含有：包含具有环状醚部位的阳离子的鎓盐、及有机溶剂，且不含有基础聚合物。

公开(公告)号：CN117700444A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311168766.6

申请日：2023-09-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小林直贵 ,  岩森颂平 ,  郡大佑 ,  菊地骏 ,  半田龙之介 ,  橘诚一郎

IPC: C07F7/22 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物和组成物、图案形成方法及半导体光致抗蚀剂材料。本发明提供对比于已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性，而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、将该组成物使用于抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、将前述组成物使用于抗蚀剂材料的图案形成方法、使用了前述组成物的半导体光致抗蚀剂材料。一种含金属的膜形成用化合物，是半导体制造中使用的含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为前述含金属的膜形成用化合物以下列通式(M‑1)或(M‑2)表示。[化1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN118938599A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410567595.2

申请日：2024-05-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 大桥正树 ,  橘诚一郎 ,  菊地骏 ,  半田龙之介

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供使用高能射线的光学光刻中，感度、分辨度及LWR优良的抗蚀剂组成物，以及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段是一种抗蚀剂组成物，包含下式(1)表示的锡化合物及有机溶剂，#imgabs0#式中，R1A～R10A及R1B～R10B各自独立地为碳数1～20的烃基，R11～R14各自独立地为氢原子或碳数1～20的烃基，La1及La2各自独立地为连接基团。