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公开(公告)号：CN111555737A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010433903.4
申请日：2020-05-21
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H03K3/356
Abstract: 本发明公开了一种可控压摆率N型MOS高边驱动电路，属于驱动电路技术领域，用可控电流对开关的栅极充放电，在充放电完成时，强开或者强关栅极以防止栅极的电压扰动，所有MNx为与衬底隔离的NMOS器件，M0为需驱动的高边N型MOS开关，VHIGH为驱动的电源。最左侧MN0-MN3提供了偏置电路，M1为源级跟随器结构，限制M0栅极的充电电压，实现高边驱动以及可控压摆率的功能。
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公开(公告)号：CN113270505B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110396769.X
申请日：2021-04-13
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体生产领域，特别涉及一种光电探测器结构及其制备方法。一种光电探测器结构包括：衬底，第一氧化硅层，第二氧化硅层，第二氧化硅层的厚度为10nm～1μm，氧化铝层，P‑I‑N堆叠层。其制备方法：在衬底上形成锗缓冲层；形成本征半导体层；形成P型半导体层；形成氧化铝层，形成或不形成第二氧化硅层，得到衬底A，并且第二氧化硅层的厚度为10nm～1μm；在另一衬底上形成第一氧化硅层，并且若衬底A不形成第二氧化硅层，则继续形成第二氧化硅层，得到衬底B；将衬底A和衬底B键合；去除A衬底中的衬底和锗缓冲层；形成N型半导体层。本发明在PIN堆叠结构下方设有较厚的双层氧化硅结构，这样利于增强器件内部光学反射，在器件内部形成光学谐振腔，增强其光学谐振腔效应。
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公开(公告)号：CN112635391B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011419129.8
申请日：2020-12-07
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/762 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上应变锗锡硅衬底、晶体管及其制备方法。一种绝缘体上应变锗锡硅衬底的制备方法，包括：在第一衬底上依次堆叠形成第一锗层、Ge1‑x‑ySnxSiy层、第二锗层，并且0≤x＜1，0＜y≤1，x+y≤1；去除第二锗层，在Ge1‑x‑ySnxSiy层的表面形成介质层，获得衬底A；在第二衬底上形成埋氧层，获得衬底B；将衬底A和衬底B键合，之后去除第一衬底、第一锗层。晶体管的制备方法：在绝缘体上应变锗锡硅衬底的Ge1‑x‑ySnxSiy层上制作栅极，并在栅极两侧的Ge1‑x‑ySnxSiy层上进行掺杂以制作源漏极。本发明向半导体层中引入双轴应变，显著增加了衬底制成的晶体管的沟道迁移率。
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公开(公告)号：CN113517360A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110260904.8
申请日：2021-03-10
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L31/18 , G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种热敏型探测器结构及其集成方法。一种热敏型探测器结构包括：具有读出电路结构的衬底，在所述衬底上依次堆叠有介质层、P型掺杂锗层、本征层和N型掺杂锗层；其中，所述介质层内部具有空腔结构，所述本征层为Ge层。本发明具有P‑I‑N悬挂中空结构，光被吸收后可在中空结构中反射到P‑I‑N结构中，相比传统探测器光的吸收率显著提升。
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公开(公告)号：CN113471289A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110548328.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅衬底及其制备方法。一种绝缘体上硅衬底的制备方法，包括：在背衬硅层上形成掩蔽层；进行光刻和蚀刻，使掩蔽层形成多条沟槽，并且沟槽贯穿掩蔽层且深入背衬硅层中，使背衬硅层的表面被分隔成多个硅线条；去除掩蔽层；沉积第一氧化硅层，第一氧化硅层填充沟槽并覆盖硅线条；减薄第一氧化硅层，使硅线条曝露；形成硅顶层；对硅顶层进行热氧化处理，使其表面形成第二氧化硅层；进行退火处理；在退火之后去除第二氧化硅层。本发明制作的衬底能减小寄生电容，提高运行速度；还能降低漏电，具有更低的功耗；还能消除闩锁效应；还能抑制衬底脉冲电流干扰；同时引入应变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113270504A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110396754.3
申请日：2021-04-13
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体生产领域，特别涉及一种光电探测器结构及其制备方法。一种光电探测器结构包括：衬底；第一氧化硅层；重复交替叠加的多晶硅层和第二氧化硅层，氧化铝层，P‑I‑N堆叠层。制备方法：在衬底上形成锗缓冲层；形成本征半导体层；形成P型半导体层；形成氧化铝层，得到衬底A；在另一衬底上形成第一氧化硅层，重复交替形成多晶硅层和第二氧化硅层，形成衬底B；将衬底A和衬底B键合；去除衬底A中的衬底和锗缓冲层；形成N型半导体层。本发明在PIN堆叠结构下方设有多晶硅/氧化硅叠层，这样利于增强器件内部光学反射，在器件内部形成光学谐振腔，增强其光学谐振腔效应。
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公开(公告)号：CN113192969A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110287456.0
申请日：2021-03-17
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/12 , H01L23/48 , H01L21/762 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种多层绝缘体上硅锗衬底及其制备方法、应用。一种多层绝缘体上硅锗衬底，包括由下至上依次堆叠的背衬硅层、第一绝缘层、硅层；硅层上交替垂直堆叠n层第二绝缘层和n层硅锗层，并且靠近硅层的是所述第二绝缘层；所述硅锗的化学式为Si1‑xGex，0＜x＜0.5；其中，n为1以上的正整数；所述第二绝缘层设有使底部相邻层裸露的凹槽，所述硅锗层充满所述凹槽并且覆盖所述第二绝缘层的上表面。本发明可用于形成3D垂直堆叠全耗尽晶体管结构，有利于减小器件的短沟道效应(decrease short channel effect)，同时多层沟道结构有利于提升器件的开态电流(Improve Ion)，在小尺寸半导体器件的制备中有望得到应用。
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公开(公告)号：CN112635492A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011393106.4
申请日：2020-12-02
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种应变GeSiOI衬底及其制作方法。一种应变GeSiOI衬底包括由下至上依次堆叠的：硅衬底，第一氧化硅层，多个氮化硅分隔条；第二氧化硅层；Ge1‑xSix层。制作方法：制作支撑衬底：在第一硅衬底上依次沉积第一氧化硅层、氮化硅层；图案化所述氮化硅层形成多个分立的氮化硅分隔条，相邻分隔条之间形成沟槽；再形成第二氧化硅层，以填充沟槽并覆盖分隔条的上表面；制作施主衬底：在第二硅衬底上外延Ge1‑xSix层；将支撑衬底和施主衬底键合、减薄，获得应变GeSiOI衬底。本发明在支撑衬底而非施主衬底中引入，利用这种工艺形成的GeSiOI衬底应变力更大，制作的器件电特性更优良。
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公开(公告)号：CN111721986A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010433759.4
申请日：2020-05-21
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开了一种宽输入共模电压范围电流检测放大器电路，属于电流检测放大器电路技术领域，在电流检测时用低压域有限输入共模范围的运算放大器实现了超宽范围的共模电压输入，高压的压降降在电阻上，所有运算电路均由低压器件实现，不需要额外产生高压电压源和用到高压器件，能以超小面积实现需要功能。
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公开(公告)号：CN113471289B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110548328.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅衬底及其制备方法。一种绝缘体上硅衬底的制备方法，包括：在背衬硅层上形成掩蔽层；进行光刻和蚀刻，使掩蔽层形成多条沟槽，并且沟槽贯穿掩蔽层且深入背衬硅层中，使背衬硅层的表面被分隔成多个硅线条；去除掩蔽层；沉积第一氧化硅层，第一氧化硅层填充沟槽并覆盖硅线条；减薄第一氧化硅层，使硅线条曝露；形成硅顶层；对硅顶层进行热氧化处理，使其表面形成第二氧化硅层；进行退火处理；在退火之后去除第二氧化硅层。本发明制作的衬底能减小寄生电容，提高运行速度；还能降低漏电，具有更低的功耗；还能消除闩锁效应；还能抑制衬底脉冲电流干扰；同时引入应变。
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