公开(公告)号：CN111876822A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010629650.8

申请日：2020-07-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 薛忠营 ,  栗展 ,  魏星 ,  李名浩 ,  魏涛 ,  刘赟

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅生长炉热屏及单晶硅生长炉，所述热屏设置在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚的上部，所述热屏包括屏壁和屏底，所述屏底具有供熔体提拉通过的窗口，所述屏底包括上层、下层和侧壁，所述侧壁连接与所述上层和所述下层之间且围成所述窗口，所述下层朝向所述熔体的液面，所述下层设为齿状结构，用于将外部热能反射到所述熔体液面时不会继续反射到单晶硅晶体侧壁；通过将屏底的下层设置为齿状结构，可以避免外部热能量被单晶硅晶体吸收，从而避免晶体表面热补偿过高，有效优化晶体纵向温度梯度，提高硅片径向的质量均匀性。

公开(公告)号：CN217922421U

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202220754553.6

申请日：2022-03-31

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  李寅锋 ,  李名浩

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 本申请公开了一种拉晶装置，包括保温毡和坩埚，所述保温毡呈圆柱筒状围绕所述坩埚设置，所述保温毡的上部包括分段式保温毡，所述保温毡的下部包括开孔。根据本申请的拉晶装置，其对热场重新设计以达到控制晶体中氧含量的目的，所述保温毡能够调节坩埚底部的温度，从而调节熔体与坩埚内表面的反应速度，进而调节进入熔体中的氧，最终调节了单晶产物中的氧含量。本申请的拉晶装置可以仅仅通过改变保温毡的结构以生长满足不同氧含量要求的单晶，且成本低、调试简单。

公开(公告)号：CN115652427A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211360231.4

申请日：2022-11-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  李名浩 ,  戴荣旺 ,  汪子文 ,  薛忠营

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B15/20 ,  C30B15/04

Abstract: 本发明涉及一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法，本发明控制硅片中的氧含量与电阻率匹配，实现完成器件制造后硅衬底导电类型不发生转变，且具有高的电阻率；可定氧含量改变掺杂量或定电阻率改变氧含量或两者同时改变，灵活操作，大大提高高阻硅晶体的良率。

公开(公告)号：CN114156179A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111269452.6

申请日：2021-10-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  戴荣旺 ,  汪子文 ,  薛忠营 ,  陈猛 ,  徐洪涛 ,  李名浩

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种改善绝缘层上硅晶圆表面粗糙度的方法。本发明通过控制快速热处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN115985798A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211550971.4

申请日：2022-12-05

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 魏星 ,  王昊 ,  李名浩 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/66 ,  G01N15/00

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆中缺陷类型的判定方法，包括以下步骤：利用LST对As‑Grown状态的硅晶圆中的颗粒进行测量，以获得第一测量结果，并根据所述第一测量结果和第一预设密度值判定V‑rich区域；以及对所述硅晶圆进行热处理，并再次利用LST对所述硅晶圆中的颗粒进行测量，以获得第二测量结果，并根据所述第二测量结果、第二预设密度值和第三预设密度值判定Pv区域、I‑rich区域和Pi区域，以利用颗粒密度准确有效的区分单晶硅晶圆中V‑rich区域、Pv区域、Pi区域、I‑rich区域这四种区域类型，使得测试结果明显区分，测试稳定性高且可重复性高，降低了缺陷分区类型对硅晶圆的要求。