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发明公开
一种单晶硅晶圆中缺陷类型的判定方法审中-实审

公开(公告)号：CN115985798A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211550971.4

申请日：2022-12-05

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 魏星 , 王昊 , 李名浩 , 俞跃辉

IPC: H01L21/66 , G01N15/00

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆中缺陷类型的判定方法，包括以下步骤：利用LST对As‑Grown状态的硅晶圆中的颗粒进行测量，以获得第一测量结果，并根据所述第一测量结果和第一预设密度值判定V‑rich区域；以及对所述硅晶圆进行热处理，并再次利用LST对所述硅晶圆中的颗粒进行测量，以获得第二测量结果，并根据所述第二测量结果、第二预设密度值和第三预设密度值判定Pv区域、I‑rich区域和Pi区域，以利用颗粒密度准确有效的区分单晶硅晶圆中V‑rich区域、Pv区域、Pi区域、I‑rich区域这四种区域类型，使得测试结果明显区分，测试稳定性高且可重复性高，降低了缺陷分区类型对硅晶圆的要求。

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