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公开(公告)号：CN117059688A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310925359.9
申请日：2023-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种整形焊带、光伏组件及整形模具，整形焊带包括第一连接段和第二连接段，所述第一连接段具有第一成型面，所述第二连接段具有第二成型面，所述第一成型面与所述第二成型面分别位于所述整形焊带的相对的两侧；所述第一成型面上设有至少一个第一容纳槽，所述第二成型面上设有至少一个第二容纳槽。本发明的整形焊带，通过第一容纳槽和第二容纳槽容纳太阳电池的副栅，可避免整形焊带被副栅架空，降低了层压过程中胶膜流动导致的焊带被挤开的风险，以及层压过程中焊带与副栅压力集中导致的碎片风险。
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公开(公告)号：CN116435403A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310175757.3
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明涉及一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法。该制备方法包括：将单晶硅片制绒、清洗，在单晶硅片表面和背面制作金字塔减反射结构；利用等离子体刻蚀对单晶硅片的侧面以及边缘部分的正面和背面的金字塔、菱角、突刺和凹槽的峰和谷进行圆滑处理；清洗。该方法使单晶硅片的侧面和边缘部分正面、背面的金字塔，菱角，突刺和凹槽的峰和谷变圆滑，而硅片其他区域的金字塔结构维持不变，不改变表面反射率，可以使得单晶硅片具有柔性的特征，从而提高力学性能。
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公开(公告)号：CN112162589B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010894879.4
申请日：2020-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于电导增量法和粒子群算法的最大功率点追踪控制方法，包括以下步骤：快速启动阶段：在启动时增加一段停滞时间，光伏系统在停滞时间内DC‑DC电路停止工作；变步长追踪阶段：根据dP/dU的正负判断扰动方向，并以|dP/dU|的大小判断扰动步长；其中，dP为输出功率变化量，dU为输出电压变化量；动态粒子群算法稳定阶段：当|dP/dU|小于动态粒子群算法启动阈值时进入动态粒子群寻优，寻到的最佳值为最优输出电压Ubest，当满足适应度值或达到最大迭代次数后，输出最优输出电压Ubest。本发明能够大幅提升追踪时间、追踪精度以及响应速度。
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公开(公告)号：CN113327999A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110671680.X
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L31/036 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽，凹槽的深度为5‑50μm，凹槽的宽度为10‑100μm，凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种，凹槽外的单晶硅片表面形貌包括金字塔状，台阶和金字塔的表面对应硅晶体的(111)晶面，位于同一斜面的相邻台阶棱的间距为0.1‑10μm，金字塔高度为0.1‑10μm。本发明在用于制备异质结太阳电池时，可增大栅线与透明导电薄膜的接触面积，提高太阳电池的填充因子FF和电极的焊接拉力，减少栅线的遮光面积，可显著提升短路电流Isc；同时可减少银浆耗量，实现太阳电池的提效降本。此外还有助于提高银浆的导电性能和提高丝网印刷的速度，从而提升设备产能。
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公开(公告)号：CN112382685A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011203114.8
申请日：2020-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/056 , H01L31/049 , H01L31/048 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种双面超薄硅基异质结太阳电池柔性光伏组件及制备方法，自上而下包括高透光柔性表面窗口层(201)、第一封装胶膜层(202)、超薄柔性SHJ太阳电池阵列(203)、高反射背膜层(204)、第二封装胶膜层(205)和超轻柔性背板(206)。本发明具有效率高、重量轻、弯曲特性好、可靠性高等特点，特别适合在柔性微能源系统、新能源汽车、太阳能无人机和飞艇等空间飞行器上应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112162589A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010894879.4
申请日：2020-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于电导增量法和粒子群算法的最大功率点追踪控制方法，包括以下步骤：快速启动阶段：在启动时增加一段停滞时间，光伏系统在停滞时间内DC‑DC电路停止工作；变步长追踪阶段：根据dP/dU的正负判断扰动方向，并以|dP/dU|的大小判断扰动步长；其中，dP为输出功率变化量，dU为输出电压变化量；动态粒子群算法稳定阶段：当|dP/dU|小于动态粒子群算法启动阈值时进入动态粒子群寻优，寻到的最佳值为最优输出电压Ubest，当满足适应度值或达到最大迭代次数后，输出最优输出电压Ubest。本发明能够大幅提升追踪时间、追踪精度以及响应速度。
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公开(公告)号：CN111668349A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910168488.1
申请日：2019-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种硅基异质结太阳电池的制备方法及镀膜设备，方法包括依次形成堆叠设置的第一透明导电氧化物缓冲层及第一透明导电氧化物主导层；依次形成堆叠设置的第二透明导电氧化物缓冲层及第二透明导电氧化物主导层；其中，第一透明导电氧化物缓冲层及第二透明导电氧化物缓冲层采用射频磁控溅射源制备，第一透明导电氧化物主导层及第二透明导电氧化物主导层采用直流磁控溅射源制备；所述镀膜设备包括：至少两个射频磁控溅射源，以形成第一缓冲层及第二缓冲层；至少两个直流磁控溅射源，以在第一缓冲层上制备第一主导层及在第二缓冲层上制备第二主导层；具有低成本、高稳定性、方法兼容的特点。
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公开(公告)号：CN111435693A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201811601967.X
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种非晶硅/晶体硅异质结太阳电池及制备方法，制备方法包括制备非晶硅/晶体硅异质结结构，其上表面和下表面分别包括中心区及包围中心区的边缘区；制备透明导电氧化物薄膜以覆盖中心区，且至少显露非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面中的一面的边缘区；形成金属电极；形成覆盖薄膜，覆盖薄膜至少覆盖被显露的边缘区。本发明通过氮化硅、氧化硅及氮氧化硅的化学惰性及光学折射率可控的特点，使非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性最大化，同时减反射效果最优化，从而达到提高非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性和光电转化效率的双重目的，且具有低成本、高稳定性的优势。
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公开(公告)号：CN106340570B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201610975301.5
申请日：2016-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/67 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供一种用于制作透明导电氧化物（TCO）薄膜的镀膜设备及镀膜方法，其中，所述镀膜设备在同一台真空设备中同时集成有离子镀膜源及溅射镀膜源。本发明结合离子镀膜和溅射镀膜的特点，把两种镀膜有效地融合，针对器件中对TCO薄膜的不同需求，可以在不暴露大气的条件下，连续制备具有不同光学性质和电学性质的TCO薄膜，获得高速的沉积速率，同时降低薄膜沉积过程中对衬底和器件表面所引起的损伤。本发明尤其适合高效率薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的正面和背面连续、低损伤制备TCO薄膜以及各种薄膜太阳电池中连续制备不同TCO薄膜，且本发明的设备和方法可适用于多种具有不同性能的TCO材料。
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公开(公告)号：CN105895746B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610494414.3
申请日：2016-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面覆盖介电减反射薄膜；步骤4），进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。本发明的金属栅线处的结构采用透明导电层‑金属栅线‑介电减反射薄膜的三明治结构，并通过低温后处理，金属栅线可以与表层的介电减反射薄膜反应，从而实现导电通路。本发明具有低成本、高可靠性的优势，与现有异质结太阳电池制备工艺匹配的特点，在太阳电池制造领域具有广泛的应用前景及实用价值。
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