公开(公告)号：CN105895746B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201610494414.3

申请日：2016-06-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 俞健 ,  卞剑涛 ,  张丽平 ,  刘毓成 ,  孟凡英 ,  刘正新

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面覆盖介电减反射薄膜；步骤4），进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。本发明的金属栅线处的结构采用透明导电层‑金属栅线‑介电减反射薄膜的三明治结构，并通过低温后处理，金属栅线可以与表层的介电减反射薄膜反应，从而实现导电通路。本发明具有低成本、高可靠性的优势，与现有异质结太阳电池制备工艺匹配的特点，在太阳电池制造领域具有广泛的应用前景及实用价值。

公开(公告)号：CN109004053A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201710416600.X

申请日：2017-06-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘正新 ,  孟凡英 ,  张丽平 ,  石建华 ,  俞健 ,  刘金宁 ,  刘毓成

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/072 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1876

Abstract: 本发明提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；第一透明导电薄膜；第二透明导电薄膜；第一电极；以及第二电极。本发明的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出。与现有的HIT电池相比，本发明具有更宽的工艺窗口，有利于大批量生产的工艺控制和管理。

公开(公告)号：CN105895746A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610494414.3

申请日：2016-06-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 俞健 ,  卞剑涛 ,  张丽平 ,  刘毓成 ,  孟凡英 ,  刘正新

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0747

Abstract: 本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面覆盖介电减反射薄膜；步骤4），进行低温退火处理使金属栅线与表层的介电减反射薄膜反应形成导电混合相通路。本发明的金属栅线处的结构采用透明导电层?金属栅线?介电减反射薄膜的三明治结构，并通过低温后处理，金属栅线可以与表层的介电减反射薄膜反应，从而实现导电通路。本发明具有低成本、高可靠性的优势，与现有异质结太阳电池制备工艺匹配的特点，在太阳电池制造领域具有广泛的应用前景及实用价值。

公开(公告)号：CN207282509U

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201720645616.3

申请日：2017-06-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘正新 ,  孟凡英 ,  张丽平 ,  石建华 ,  俞健 ,  刘金宁 ,  刘毓成

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；第一透明导电薄膜；第二透明导电薄膜；第一电极；以及第二电极。本实用新型的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出。与现有的HIT电池相比，本实用新型具有更宽的工艺窗口，有利于大批量生产的工艺控制和管理。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利