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公开(公告)号：CN1396738A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02136362.5
申请日：2002-08-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种基于微机电系统技术制作的光分插复用器，其特征在于以MEMS技术为基础，采用其精确的定位技术，在硅片上精确定位四个球透镜、四个光纤及一个带通滤波器件的位置，然后再在相应的位置放置四根光纤、四个球透镜及一个带通滤波器件，且在光纤与球透镜的放置槽之间设有一段比光纤放置槽位置高1－10μ的槽，以此构成一个基本的四端口光分插复用器。本发明其中两端口作为指定波长的上载端与下载端，其它两端口一个作为输入端，一个作为输出端。本发明主要用于密集波分复用系统中的上下载不同波长信号。串接使用本光分插复用器件还可以实现多波长光信号的上载与下载。
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公开(公告)号：CN119220927A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411361612.3
申请日：2024-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C14/04
Abstract: 本发明提供一种硬掩模版及其制备方法、应用方法和镀膜治具，硬掩模版包括镀膜通孔；镀膜通孔的侧壁设置有阶梯结构，阶梯结构包括一个以上镀膜台阶，镀膜台阶的踏面与第二表面之间的距离小于第一表面与第二表面之间的距离。本发明通过在硬掩模版的镀膜通孔侧壁设置镀膜台阶，避免镀膜通孔边缘被遮挡而造成镀膜不均匀的问题，并保证硬掩模版的机械强度；同时在硬掩模版设置与MEMS晶圆对应的卡合微结构，实现精准定位，提高镀膜位置精度；另外设置芯片区内多个镀膜通孔之间连接区域的高度，避免间距小的镀膜通孔之间的连接区域的遮挡导致镀膜不均匀，并保证连接区域的机械强度；最后设置镀膜治具对对准的硬掩模版和MEMS晶圆紧固定位，提高镀膜位置精度。
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公开(公告)号：CN119002041A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411257227.4
申请日：2024-09-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高带宽MEMS扫描镜器件及其设计方法，高带宽MEMS扫描镜器件最大驱动扭矩τ，微反射镜最大扫描角度θmax，柔性扭转梁扭转刚度Kθ＝τ/(θmaxN2)，N大于1；反馈控制芯片接收单片集成角度传感器感知的实时扭转角度和目标扫描角度，处理得到调整闭环反馈驱动信号闭环反馈控制微反射镜扭转。本发明中柔性扭转梁扭转刚度为常规扭转刚度的1/N2，配合反馈控制提高扫描镜器件扫描工作带宽，并打破了MEMS扫描镜提高带宽的思维惯性；同时不同尺寸微反射镜的扭转梁扭转刚度不同，保证扫描镜结构强度并优化扫描工作带宽；另外PID算法反馈控制微反射镜扭转，大幅提高扫描工作带宽。
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公开(公告)号：CN116395633A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310340962.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00 , B81B7/00 , H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明涉及一种基于粉末填充的低阻硅式TSV制造方法，包括：步骤S10，提供低阻硅片；步骤S20，在低阻硅片的第一面蚀刻形成环形盲孔；步骤S30，在环形盲孔中填充待固化粉末；步骤S40，清除低阻硅片表面残留的待固化粉末；步骤S50，对待固化粉末进行固化，形成固定于环形盲孔侧壁的电绝缘的环形支撑层；步骤S60，在低阻硅片的第二面蚀刻形成环形盲孔，用于形成从低阻硅片分离出的导电硅柱，并重复步骤S30～步骤S50；或在低阻硅片的第二面减薄至环形支撑层完全露头，形成从低阻硅片分离出的导电硅柱；步骤S70，在导电硅柱上下表面的部分区域蚀刻形成开口，使硅暴露，制造完成。本发明还涉及相应的基于粉末填充的低阻硅式TSV结构。本发明提高了TSV技术与MEMS工艺的兼容性，并优化了填充质量。
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公开(公告)号：CN109592634A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811495818.X
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明提供一种有源基板及其制备方法，有源基板包括：基板，基板的上表面形成有凹槽；MEMS器件，位于凹槽的底部；金属互连结构，与MEMS器件电连接，且自MEMS器件沿凹槽的侧壁延伸至基板的上表面；盖板，盖板卡置于凹槽的内部，以在盖板与MEMS器件底部之间形成密封空腔；第一钝化层，位于基板的上表面上；重新布线层，位于第一钝化层上；第二钝化层，位于第一钝化层的上表面；所述第二钝化层上形成有开口，开口暴露出的部分重新布线层作为焊盘。本发明提供的有源基板中凹槽与盖板卡置咬合实现盖板的安装，省去了传统的盖板键合工艺；本发明的有源基板采用盖板将MEMS器件密封在密封空腔内，避免颗粒及湿气等对MEMS器件的影响，提高了MEMS器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104502630B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510010031.X
申请日：2015-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/03
Abstract: 本发明提供一种单芯片双轴水平光纤加速度传感器及其制备方法，包括：在第一基底上形成两个敏感方向相互正交的、对水平加速度敏感的单轴加速度敏感单元，单轴加速度敏感单元包括微反光镜、弹性梁以及光高反射膜，在第二基底表面形成微反光镜扭转空间；将第一基底与第二基底键合；对双轴加速度敏感芯片和光纤准直器进行光学耦合封装。本发明将两个敏感方向正交的单轴加速度敏感芯片集成在同一衬底上，且光信号的传输在双轴加速度敏感芯片一侧，大大简化了基于MEMS技术的单芯片双轴加速度传感器的封装。
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公开(公告)号：CN102103263B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110003989.8
申请日：2011-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/08
Abstract: 一种集成光栅调制衰减器的微镜阵列驱动器及其在波长选择开关中的应用，其集成光栅调制衰减器的微镜阵列驱动器15由单个集成光栅调制衰减器的微镜驱动器14阵列化排布获得。单个集成光栅调制衰减器的微镜驱动器14由下电极结构11，中间电极结构12和上电极结构13共三个独立结构构成。其三个独立结构又由以下功能部件构成：悬臂梁1、台阶下电极2、台阶下电极引线锚点3、X轴转动方向基底镜面4、X轴转动方向基底镜面的限位凸点5、X轴转动方向基底镜面的限位平面6、Y轴信号衰减方向的可动上镜面7、Y轴信号衰减方向的固定上镜面8、Y轴信号衰减方向的镜面支撑锚点9、Y轴信号衰减方向的镜面支撑锚点10。
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公开(公告)号：CN102759637B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201110106037.9
申请日：2011-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , G01P15/18 , B81B3/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种MEMS三轴加速度传感器及其制造方法。根据本发明的MEMS三轴加速度传感器包括支撑框体、弹性梁、敏感质量块、下支撑体、栅型敏感电容和引线电极；其中，敏感质量块通过弹性梁悬于支撑框体之间，支撑框体通过键合与下支撑体连接，敏感质量块与下支撑体之间有间隙，敏感质量块上制作了栅型电容的上电极，下支撑体的内表面上制作栅型电容的下电极组，上电极与下电极组错位排列构成一组栅型电容，该组栅型电容从引线电极输出;其中，该组栅型电容包括第一电容、第二电容、第三电容和第四电容，第一电容与第二电容、第三电容与第四电容分别构成差分检测电容，所述MEMS三轴加速度传感器通过电容的运算实现三轴加速度量的同时检测。
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公开(公告)号：CN103105592B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310032909.0
申请日：2013-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单芯片三轴磁场传感器及制备方法。所述单芯片三轴磁场传感器至少包括：第一基底；形成于第一基底表面的至少两个第一电极及至少四个第二电极；与所述第一基底键合的第二基底，其具有与两个第一电极分别形成电容结构的单轴扭转结构、以及与至少四个第二电极分别形成电容结构的双轴扭转结构；形成于所述单轴扭转结构表面、且能在第一方向的磁场作用下产生相应磁扭矩的第一磁性薄膜结构；以及形成于所述双轴扭转结构表面、且能在第二及第三方向的磁场作用下产生相应磁扭矩的第二磁性薄膜结构。本发明的三轴磁场传感器具有灵敏度高、尺寸小、功耗低、低成本、封装简单等优点。
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公开(公告)号：CN103342335A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310250469.6
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种微型CPT原子钟碱金属蒸汽腔的充气和封堵方法及其系统，主要包括缓冲气体储气瓶、碱金属蒸汽储气瓶、真空室、MEMS圆片承载台、真空泵和激光封堵装置等部分。碱金属蒸汽腔MEMS圆片制作方法为在硅片上利用干法刻蚀或湿法腐蚀制作出硅上碱金属蒸汽腔和通气槽，在玻璃材料上利用机械打孔或激光打孔等方法制作出玻璃上充气孔，或在玻璃材料上利用湿法腐蚀制作出玻璃上充气微通道，最后进行阳极键合制作得到圆片级微型CPT原子钟的碱金属蒸汽腔。用CO2激光束透过真空室的光学窗口对MEMS圆片上的碱金属蒸汽腔芯片逐个熔融封堵玻璃充气孔或充气微管道。本发明使得微型CPT原子碱金属蒸汽腔的制作具有操作简单、不易引入杂质、便于批量制作等优点。
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