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公开(公告)号：CN103050748A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210522243.2
申请日：2012-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明是微屏蔽结构全密封式的层叠微机械滤波器，其结构包括上层衬底和下层衬底，其中上层衬底和下层衬底通过微机械对准键合工艺形成一体。微波信号由上层衬底滤波器输入端传送至下层衬底输入信号接口传输线，下层衬底信号输出通过输出通孔连接至上层衬底的滤波器输出端，滤波器的下层衬底的下表面为下层接地面，上层衬底的上表面除滤波器输入端、输出端图形外，为上层接地面，上层接地面和下层接地面通过金属通孔阵列实现电连接。优点：该滤波器利用三维通孔互连实现了上下硅片间的信号互连，上、下层衬底尺寸相同，减小输入输出接口的物理尺寸；采用全密封腔结构，减小微波泄漏；避免在芯片分离等后道工艺中水流、碎屑等对芯片内部结构的污染。
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公开(公告)号：CN101121501A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710025327.4
申请日：2007-07-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: B81C5/00
Abstract: 本发明提供一种分离圆片中的含有微机电系统的芯片的方法，包括以下步骤：11)在所述圆片中微机电系统的可动结构四周制造保护环；12)在所述圆片的芯片上粘贴粘性可变的膜；13)在所述圆片的衬底支撑层进行划片；14)使所述粘性可变的膜的粘性降低；15)将粘在所述膜上的所述芯片脱离。本发明提供的分离圆片中的含有微机电系统的芯片的方法，通过粘性可变的膜固定芯片，在所述芯片被固定的基础上对含有芯片的圆片进行划片，从而保证了划片过程中对芯片的损伤最小，待圆片中的芯片被分割开来使该粘性可变的膜的粘性降低，从而方便的将各个独立的芯片从膜上分离出来。总而言之，本发明采用传统的半导体划片设备完成带可动结构的MEMS芯片的分离，在低成本的情况下提高产品的成品率。
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公开(公告)号：CN119776828A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411836503.2
申请日：2024-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: C23C28/02 , H01L21/3213 , C23F1/02 , C23F1/26 , C23F1/44 , C23C14/16 , C23C14/58 , C25D7/12 , C25D5/02 , C25D5/48
Abstract: 本发明公开了一种高平整度铬保护层图形化的工艺方法，包括如下步骤：准备衬底晶圆并湿法清洗，在衬底晶圆上依次溅射黏附层和种子层作为底层金属；在种子层上蒸发或溅射金属铬作为阻挡层，形成复合金属膜结构；在复合金属膜结构上旋涂光刻胶并曝光显影，进行后烘烤处理；使用中等浓度湿法混合溶液对铬进行预刻蚀，去除表面钝化层并粗化铬保护层；使用低浓度湿法混合溶液二次刻蚀，去除络合物并获得图形线条平整的铬掩膜层；在种子层上电镀金属层，并去除光刻胶；使用高浓度湿法混合溶液整面刻蚀，去除铬掩膜层并获得所需的金属表面。本发明可实现不同精度尺寸的图形化工艺并得到所需洁净表面。
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公开(公告)号：CN117735474A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311738928.5
申请日：2023-12-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统及其制造方法，所述微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统包括：自下而上设置的第一层硅衬底、第二层硅衬底、第三层硅衬底、第四层硅衬底、第五层硅衬底；射频芯片；芯片埋置槽；输入/输出硅波导‑CPWG转换结构；硅波导无源元件；TSV阵列。本发明利用MEMS圆片级键合工艺实现了多层硅衬底的堆叠，实现了硅微机械波导无源元件与微波电路的空间一体化集成，降低了传输损耗，提高了太赫兹微纳系统结构的空间利用率；MEMS体硅工艺的高精度加工保证了太赫兹微纳系统的加工精度和性能一致性。
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公开(公告)号：CN116598261A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310450415.8
申请日：2023-04-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种圆片级气密键合结构及其制造方法，气密键合结构基本单元为倒梯形沟槽，正面布局为梳齿状或蜂窝状阵列，其中倒梯形沟槽宽度为10‑20um，深度为5‑10um；该方法通过采用干法刻蚀技术在硅基衬底上制作特殊布局的槽型键合结构；随后在槽内填充键合层金属，并与另一片硅基衬底上柱状键合结构进行晶圆级键合，从而形成晶圆与晶圆间的气密粘接，并以此为基础实现3层以上晶圆级气密堆叠。本发明避免了芯片集成过程中气密封装失效风险，为三维集成微系统提供多层气密封装解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113755804A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110930803.7
申请日：2021-08-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种近零应力掺钪氮化铝薄膜制备方法，属于半导体制造技术领域。该方法具体包括以下步骤：a.对硅衬底进行烘烤，除去水汽和有机物沾污；b.对硅衬底进行预清洗，去除自然氧化层；c.对溅射靶材进行预处理，获得稳定的掺钪氮化铝生长状态；d.向腔体内通入高纯氩气和氮气，调节气体流量、直流功率、射频功率对掺钪铝靶进行溅射，在硅衬底上形成近零应力的掺钪氮化铝薄膜。本发明不增加额外工艺步骤以及额外设备改造，通过对靶材的处理以及工艺参数的调试，可以在硅衬底上制备高均匀性、近零应力的掺钪氮化铝薄膜。
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公开(公告)号：CN110444846B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201910132769.1
申请日：2019-02-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01P1/38
Abstract: 本发明涉及一种抑制腔内环行器带内谐振的结构，包括环行器、金属腔体、导电材料和金属腔体盖板，环行器底部磁性金属材料固定在金属腔体底部上；导电材料通过导电胶粘接在金属腔体盖板内侧或金属腔体侧壁，导电材料厚度大于金属腔体盖板与磁钢之间的间隙，金属腔体盖板固定在金属腔体上，使得导电材料与环行器磁钢充分接触。优点：1）磁钢与封闭腔体之间填充导体，实现电互连，改变整体结构谐振频率，从而有效解决腔内环行器通带内插损突变的现象。2）适用于解决各类环行器置于腔体内发生的腔体谐振效应3）结构简单，操作工艺方便易实现。
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公开(公告)号：CN111180843A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010012766.7
申请日：2020-01-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS微带环形器及其制备方法，包括：铁镍合金层；微带层，设置于所述铁镍合金层上；下硅层，设置于所述微带层远离所述铁镍合金层的一面上；铁氧体层，贯穿所述下硅层以及所述微带层，向下延伸至所述铁镍合金层上；传输线层，设置于所述下硅层以及所述铁氧体层远离所述微带层的一面上；上硅层，设置于所述传输线层远离所述铁氧层的一面上；以及磁钢层，设置于所述上硅层远离所述传输线的一面上；其中，所述上硅层为台阶结构。本发明提供的一种MEMS微带环形器，通过将上硅层设置为台阶结构，降低了MEMS微带环形器的介质损耗以及辐射损耗，进而降低了MEMS微带环形器在使用的过程中的损耗。
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公开(公告)号：CN105895687B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610240036.6
申请日：2016-04-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L21/3065 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法，具体实施步骤包括(1)生长高阻缓冲层/超晶格结构；(2)生长SiO2；(3)定义欧姆接触区域；(4)制备Ni刻蚀阻挡层；(5)刻蚀SiO、超晶格层；(6)去除Ni刻蚀阻挡层；(7)生长AlGaN/GaN异质结；(8)去除SiO2；(9)定义欧姆接触区域；(10)蒸发/剥离/低温退火形成欧姆接触。本发明针对现有GaN HEMT欧姆接触金属形貌差、接触电阻率高等缺点，提出在欧姆接触区域引入超晶格结构解决上述问题，具有(1)接触电阻率低；(2)欧姆接触金属表面形貌质量高的优点。
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公开(公告)号：CN103745890B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410000459.1
申请日：2014-01-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明提供一种耐冲击硅梁MEMS复合开关，包括起承载作用的玻璃片与作为可动结构层的硅片，并采用阳极键合工艺将玻璃片和硅片键合为一体。该硅梁MEMS复合开关由两个驱动方向相反的侧向运动的硅梁MEMS子开关和一个公共接触块串联组成，能够保证在加速度小于20000g条件下保持断开状态，在加速度小于8000g的条件下保持闭合状态。本发明解决了MEMS开关在大冲击力的作用下出现闭合现象，为MEMS开关在高冲击条件下的应用提供了新的解决方案。
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