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公开(公告)号：CN119805855B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510293169.9
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供一种双面纳米压印结构的制备方法，其中，方法包括：形成第一光刻胶涂层，并基于第一光刻胶涂层进行图案化处理，对应第一光刻胶涂层的衬底遮挡部；对第一衬底A面进行刻蚀，形成凹槽结构，并将所述衬底遮挡部进行去除；将第一衬底、第二衬底进行衬底键合，以形成密封腔体；形成第一UV保护层，并对第二衬底B面进行结构化处理，形成第一纳米结构层；去除第一UV保护层，在第二衬底B面上形成第二UV保护层，并对第一衬底B面进行结构化处理，形成位于所述第一衬底B面上的第二纳米结构层，其中，所述第二纳米结构层包括呈现阵列排布的多个第二结构圆孔；去除第二UV保护层，得到双面纳米压印结构。本发明至少提高了制备效率和一致性。
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公开(公告)号：CN119805856A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510293667.3
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供一种光纤超构透镜的制造方法及光纤超构透镜，其中，方法包括：在光纤插芯固定基座上设置透镜基底，其中，所述光纤插芯固定基座开设有光纤插芯限位孔，所述光纤插芯限位孔容置有光纤插芯，其中，光纤插芯具有光纤传输通道；沿所述光纤传输通道的延伸方向对所述光纤传输通道进行白光照射，形成在所述光纤传输通道中进行传播的白光光路，并基于所述白光光路确定在所述透镜基底进行出射的白光出射区域；基于所述白光出射区域在所述透镜基底远离所述光纤插芯固定基座的一侧形成对应相同区域的透镜纳米结构。
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公开(公告)号：CN119805678A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510293098.2
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
IPC: G02B6/38
Abstract: 本发明提供一种光纤垂直集成单元及制作方法，其中，方法包括：设置于平面芯片上的搭载有光纤插芯的光纤插芯固定基座，所述光纤插芯中穿设有光纤单体；其中，所述光纤插芯固定基座靠近所述平面芯片的第一面设置有对应第一尺寸的胶体填充槽，所述光纤插芯固定基座远离所述平面芯片的第二面设置有与所述胶体填充槽同心且连通的对应第二尺寸的光纤插芯限位孔，所述光纤插芯穿设所述光纤插芯限位孔至所述光纤插芯的端部伸入所述胶体填充槽中、并将所述光纤单体抵接于所述平面芯片，所述光纤插芯与所述胶体填充槽之间形成的间隔空间中设置有高温胶层。
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公开(公告)号：CN119797274A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510293028.7
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
IPC: B81C1/00 , B81B7/02 , G01N21/956 , G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种n型SiC耐高温欧姆接触电极结构的制备方法，包括以下步骤：对碳化硅结构进行清洗，其中，碳化硅结构包括层叠设置的碳化硅衬底、缓冲层以及外延层；对完成清洗的碳化硅结构进行氧化，形成位于所述外延层之上的氧化硅层；基于湿法腐蚀对氧化硅层进行去除，并在完成对氧化硅层的去除后对外延层进行氢等离子体处理；对外延层远离缓冲层的一侧进行图案化处理，形成位于外延层之上的传输线模型；对传输线模型进行金属沉积，形成位于传输线模型之上的金属层，其中，金属层包括层叠设置的钛金属层、碳化钛金属层以及铂金属层；对金属层进行退火操作，以形成欧姆接触电极结构。本发明至少提高了化学及机械稳定性。
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公开(公告)号：CN119178552A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411092365.1
申请日：2024-08-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电容薄膜真空计及其制备方法，属于半导体制造技术领域，所述电容薄膜真空计耐高温耐腐蚀，本发明在工艺制造阶段将室温激光键合技术和真空下高温高压条件对单晶碳化硅等材料的直接键合技术结合，完成了碳化硅等耐高温耐腐蚀的透明单晶材料三层结构的连接问题，避免了金属在单晶材料高温键合条件下的失效问题，同时，保证了真空腔的真空度、键合强度和真空计的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118676036A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411160490.1
申请日：2024-08-22
Applicant: 中北大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/308
Abstract: 本发明的目的在于提供一种硅的高均匀性湿法腐蚀装置及方法，属于半导体芯片制造技术领域，所述装置包括水浴锅，所述水浴锅内设有烧杯，所述烧杯内设有用于夹持硅片的聚四氟乙烯材料制作的夹具，所述夹具包括夹持件，所述夹持件包括通过螺栓连接的上夹持件和下夹持件，所述上夹持件的顶端设有上螺杆，所述夹持件的底部设有过滤板，下夹持件与过滤板之间通过中螺杆连接，过滤板的底部设有下螺杆。通过该装置及方法，能够提升湿法腐蚀均匀性、改善湿法腐蚀形貌，通过缓解腐蚀液流速，加速生成沉淀物和气体溢出，达到提高整片晶圆深硅腐蚀均匀性同时改善形貌的效果。
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公开(公告)号：CN116165852B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310458670.7
申请日：2023-04-26
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供了一种自适应光纤曝光系统及光纤‑平面芯片纵向异构集成方法，属于半导体器件制备的技术领域，该系统包括光源、三维微动平台、旋转式光纤夹具、光纤适配器和载物台；三维微动平台包括Y轴移动平台、X轴移动平台和旋转平台。本发明在解决了光纤与平面芯片高精度（微米级）耦合的同时，开发了自适应光纤光刻工艺及热调控过盈配合侧面键合工艺，显著提高了光纤与芯片的刚性耦合强度，规避了常用有机胶固定连接结构所带来的温度限制、化学和蠕变稳定性以及刚性匹配等问题。该方法对于光纤端面无要求，平面、凸面、斜面均可实现需求图形的定量刻蚀以实现光纤与平面芯片异构集成。
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公开(公告)号：CN116165852A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310458670.7
申请日：2023-04-26
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供了一种自适应光纤曝光系统及光纤‑平面芯片纵向异构集成方法，属于半导体器件制备的技术领域，该系统包括光源、三维微动平台、旋转式光纤夹具、光纤适配器和载物台；三维微动平台包括Y轴移动平台、X轴移动平台和旋转平台。本发明在解决了光纤与平面芯片高精度（微米级）耦合的同时，开发了自适应光纤光刻工艺及热调控过盈配合侧面键合工艺，显著提高了光纤与芯片的刚性耦合强度，规避了常用有机胶固定连接结构所带来的温度限制、化学和蠕变稳定性以及刚性匹配等问题。该方法对于光纤端面无要求，平面、凸面、斜面均可实现需求图形的定量刻蚀以实现光纤与平面芯片异构集成。
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公开(公告)号：CN108680566A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810490582.4
申请日：2018-05-21
Applicant: 中北大学
IPC: G01N21/76
CPC classification number: G01N21/76
Abstract: 本发明公开了一种基于MoS2纳米类酶发光体系检测过氧化氢的新方法，包括如下步骤：S1、制备MoS2二维纳米类酶；S2、配制0.1mol/L的鲁米诺母液和Tris‑HCl缓冲溶液；S3、将配制所得的鲁米诺母液用Tris‑HCl缓冲溶液稀释至5毫摩尔每升的鲁米诺溶液，然后取40微升所得溶液与40微升不同浓度的过氧化氢溶液在测量杯中混匀，再向其中加入40微升1毫摩尔每升的MoS2纳米类酶，反应30秒后，整个反应体系放入化学发光测定仪，通过化学发光仪收集并记录反应所产生的光信号。本发明增强了检测过氧化氢时的发光信号的强度，缩短了反应时间。
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公开(公告)号：CN108598687A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810039314.0
申请日：2018-01-16
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的无线高温温度传感器，包括采用电磁超材料结构的温度参量敏感单元，用于将高温环境中的温度参量转换为微波频率、相位、反射功率等信息形式；用于接收来自于普通环境的外来微波询问宽带信号和发射高温环境温度参量信息的信号传输单元，与温度参量敏感单元相连，附着在基底的一个表面上；信号传输单元由耐高温金属制成，为圆形、方形、环形或复杂形状平面天线、偶极子天线、喇叭天线或反射面天线；用于为温度参量敏感单元和信号传输单元提供支撑的基底。本发明利用超材料的平面实现技术,以避免在传感装置制备时出现上下两面同时加工金属的情况,简化加工,提高传感装置制备效率。
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