公开(公告)号：CN110416113A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910308983.8

申请日：2019-04-17

Applicant: 株式会社堀场STEC

Inventor： 林大介 ,  南雅和

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及程序介质，为了不依赖于操作员的经验而能够高速且高精度地使腔室内的二维浓度分布或二维温度分布均匀，所述基板处理装置具备：收纳基板且被供给材料气体的腔室；从腔室的周围的多个地方朝向形成于腔室的周壁的入射窗射出激光的激光射出机构；对从多个地方射出而通过腔室内且从形成于腔室的周壁的射出窗射出的各激光进行检测的激光检测机构；以及控制装置，获取由激光检测机构检测到的各激光的光强度信号，并且基于该光强度信号，计算出腔室内的材料气体的二维浓度分布或腔室内的二维温度分布，基于该二维浓度分布或该二维温度分布控制流体控制设备。

公开(公告)号：CN109715851A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780048644.X

申请日：2017-07-26

Applicant: 株式会社堀场STEC

Inventor： 西里洋 ,  南雅和 ,  坂口有平

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/448 ,  G05D7/0635 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67253

Abstract: 在对载气的流量进行调节以对混合气体中的材料气体的流量进行控制的气体控制系统中，避免长时间置于所述控制极限状况下。气体控制系统向收容有材料的槽罐(10)内导入载气，并将该材料气化后的材料气体与所述载气一起从所述槽罐(10)导出，其包括：流量控制部(71)，利用对导入所述槽罐(10)的载气的流量进行调节，从而对从所述槽罐(10)导出的材料气体的流量进行控制；以及控制极限检测部(72)，检测控制极限状况，并输出该意旨，该控制极限状况是无法利用该流量控制部(71)对载气的流量调节，来确保所述材料气体的规定性能下的流量控制的状况。

公开(公告)号：CN102541103A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110435861.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 株式会社堀场STEC

Inventor： 南雅和

IPC: G05D11/13

Abstract: 本发明提供一种材料气体控制系统，即使在调整阀全开或全关时的材料气体的浓度值或流量值与设定值大致一致的情况下，也可诊断出浓度或流量的控制状态是否异常。材料气体控制系统包括：收容室；导入管，导入运载气体；导出管，导出包含材料气体及运载气体的混合气体；第一调整阀；测定计，测定材料气体的浓度或流量；第一阀控制部，以使测定计所测定出的测定浓度值或测定流量值达到预定的设定值的方式，将开放程度控制信号输出至第一调整阀；压力计，测定收容室内的压力；以及诊断部，当开放程度控制信号的值的时间变化量及压力计所测定出的测定压力值的时间变化量满足规定条件时，诊断出所述材料气体的浓度或流量的控制状态异常。

公开(公告)号：CN1804114A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510092786.5

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社堀场制作所

Inventor： 长谷部一秀 ,  野寺伸武 ,  远藤笃史 ,  梅木诚 ,  西村克美 ,  南雅和 ,  吉田诚

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。

公开(公告)号：CN1804114B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200510092786.5

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社堀场制作所

Inventor： 长谷部一秀 ,  野寺伸武 ,  远藤笃史 ,  梅木诚 ,  西村克美 ,  南雅和 ,  吉田诚

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。