公开(公告)号：CN100564587C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200380100730.9

申请日：2003-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 若林哲 ,  冈部真也 ,  村上诚志 ,  森嵨雅人 ,  多田国弘

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/68

Abstract: 在半导体处理用的成膜处理容器(4)内配设载置台装置。载置台装置包括：载置台(16)，其具有载置被处理基板(W)的上面和从上面下降的侧面；和加热器(18)，配设在载置台(16)内，且通过其上面加热基板(W)。CVD预覆层(28)覆盖载置台(16)的上面和侧面，预覆层(28)具有使由加热器(18)的加热得到的来自载置台(16)的上面和侧面的辐射热量实质饱和的厚度以上的厚度。

公开(公告)号：CN101451234A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810185711.5

申请日：2008-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  熊谷晃 ,  若林哲

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置，通过使钛的硅化物结构一致，能够改善表面形态等。在钛膜的成膜方法中，在能够抽真空的处理容器(14)内供给包含钛的原料气体、还原气体和非活性气体，并且在上述处理容器内产生等离子体，在从表面露出有硅部分(6)和绝缘膜(2)的被处理体(W)的表面上形成钛膜(8)，其中，将上述还原气体的供给量相对于上述还原气体和非活性气体的合计流量的比率设定为67％以下。由此，使钛的硅化物结构一致，改善表面形态等。

公开(公告)号：CN100474517C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200580000473.0

申请日：2005-04-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多田国弘 ,  成嶋健索 ,  若林哲

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76856 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

Abstract: 本发明中，将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜。

公开(公告)号：CN101107379A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680002702.7

申请日：2006-06-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  若林哲

IPC: C23C8/36 ,  C23C8/24 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C8/24 ,  C23C8/26 ,  C23C8/36 ,  C23C8/38 ,  C23C14/00 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/56 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明提供一种气体处理方法，使用气体处理装置，利用含有NH3气体和H2气体的气体对被处理体(W)进行气体处理，所述气体处理装置具备：收容被处理基板的腔室；配置在腔室内的喷淋头；向腔室内供给含有NH3气体和H2气体的气体的气体供给单元，腔室的覆盖层和喷淋头含有镍(Ni)。通过控制H2/NH3流量比和温度，抑制腔室的覆盖层和喷淋头中含有的镍的反应。

公开(公告)号：CN1806315A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200580000473.0

申请日：2005-04-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多田国弘 ,  成嵨健索 ,  若林哲

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76856 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

Abstract: 本发明中，将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜。