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公开(公告)号：CN114127908A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080051958.7
申请日：2020-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种基板处理装置，具有：液处理部，其包括将基板水平地保持的基板保持部以及从被所述基板保持部保持的状态的所述基板的上方对该基板供给处理液的液供给部；液制作部，其制作在所述液处理部中使用的处理液；以及控制部，其控制所述液供给部和所述液制作部，其中，所述控制部控制所述液供给部来设为使从所述液供给部朝向所述基板的所述处理液的铅垂方向的流速比沿所述基板的上表面流动的所述处理液的水平方向流速快的所述处理液的供给速度。
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公开(公告)号：CN111180330A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911089883.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使是高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够高精度地蚀刻氮化硅膜的基板处理方法、基板处理装置以及存储介质。本公开的一个方式的基板处理方法包括通过磷酸处理液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻的蚀刻工序。在蚀刻工序中，在从开始时间点起到经过第一时间间隔为止的期间，使磷酸处理液中的硅浓度为蚀刻氧化硅膜的第一硅浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109686681A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811222568.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备处理部和控制部。处理部使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理。控制部以如下方式控制处理液，该方式是：在蚀刻处理的第一处理时间，利用第一磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理，在第一处理时间之后的第二处理时间，利用比第一磷酸浓度低的第二规定磷酸浓度及比第一硅浓度低的第二规定硅浓度的处理液或者第二规定磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理。
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公开(公告)号：CN109585337A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811139670.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备SiO2析出防止剂供给部和控制部。SiO2析出防止剂供给部供给要混合到在基板处理槽中进行蚀刻处理的磷酸处理液中的SiO2析出防止剂。控制部基于磷酸处理液的温度来设定磷酸处理液中含有的SiO2析出防止剂的浓度，并且控制SiO2析出防止剂的供给量，使得成为所设定的SiO2析出防止剂的浓度。
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公开(公告)号：CN108695208A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810292833.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67086 , H01L21/67051 , H01L21/67057
Abstract: 本发明提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。基板液处理装置(A1)具备：处理槽(41)，其容纳处理液(43)和基板(8)；气体喷嘴(70)，其在处理槽(41)内的下部喷出气体；以及气体供给部(89)，其向气体喷嘴(70)供给气体，其中，气体喷嘴(70)具有：管状的主体(71)，其以沿着处理槽(41)的底面的方式进行配置；以及喷出孔(77)，其形成为贯通主体(71)的内表面(73)与外表面(74)之间，并且开口面积随着从内表面(73)侧朝向外表面(74)侧而变小。
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公开(公告)号：CN210349782U
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201920657660.5
申请日：2019-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型提供一种干燥装置，其使用干燥蒸气可以将被处理体良好干燥。根据本实用新型的干燥装置,在处理槽内部设置气体喷出口，并且连通连结有干燥蒸气供给机构，所述干燥蒸气供给机构将使药液气化所得的干燥蒸气与载流气体一起从所述气体喷出口向被处理体进行供给，所述干燥装置的特征在于：所述干燥蒸气供给机构通过气体供给管将所述载流气体的供给源和所述气体喷出口连通连结，并且在所述气体供给管的中途部配设用来使作为所述干燥蒸气的原料的所述药液进行气化的加热单元，在比所述加热单元更上游侧的所述气体供给管的中途部经由药液供给管连通连结所述药液的供给源，并在所述药液供给管的中途部设置有间歇地供给所述药液的间歇供给机构。
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公开(公告)号：CN208938930U
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201821587754.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型提供一种基板处理装置，该基板处理装置提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽中的磷酸处理液循环。SiO2析出防止剂供给部向循环路径供给SiO2析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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