公开(公告)号：CN1956166A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610149469.7

申请日：2001-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  立花光博 ,  大久保和哉 ,  铃木健二 ,  河野有美子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种金属膜形成方法，其特征在于，包括以下工序：将硅基板载置于处理容器内的工序；将含有金属的气体和反应气体交替地多次供给到所述处理容器，并且在交替地供给所述含有金属的气体和所述反应气体之间对所述处理容器进行真空排气或者气体置换，在所述硅基板上形成第一金属膜的工序；和将所述含有金属的气体和还原气体同时供给到所述处理容器，在所述第一金属膜上形成第二金属膜的工序。

公开(公告)号：CN1395743A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN01803734.8

申请日：2001-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  立花光博 ,  大久保和哉 ,  铃木健二 ,  河野有美子

IPC: H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种金属膜形成方法，包括：步骤(a)(s13，s15)向基底阻挡膜(3)依次输送多种原料气体，其中至少一种气体包括金属；和(b)(s14，s16)在输送步骤(a)的原料气体之后，分别对步骤(a)的原料气体进行抽真空－排放或用其它种类气体替换步骤(a)的原料气体，由此在基底阻挡膜(3)上形成超薄金属膜(5)。

公开(公告)号：CN114303230A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080060096.4

申请日：2020-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大内健次 ,  东云秀司 ,  河野有美子 ,  池进一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455

Abstract: 一种用于在基板上选择性地进行成膜的成膜方法，其包括：准备工序、第1成膜工序、第2成膜工序和第1去除工序。在准备工序中，准备在表面露出第1膜和第2膜的基板。在第1成膜工序中，通过向基板上供给具有包含氟和碳的官能团、且用于成膜为抑制形成第3膜的自组装化单分子膜的化合物，从而在第1膜上成膜为自组装化单分子膜。在第2成膜工序中，在第2膜上成膜为第3膜。在第1去除工序中，通过向基板的表面照射离子和活性物质中的至少任意一者，从而去除形成于自组装化单分子膜附近的第3膜。另外，第3膜是比第1膜更容易与自组装化单分子膜中所含的氟和碳结合而形成挥发性化合物的膜。

公开(公告)号：CN103874781A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280049744.1

申请日：2012-10-04

Applicant: 气相成长株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 町田英明 ,  石川真人 ,  须藤弘 ,  河野有美子 ,  岩井和俊

IPC: C23C16/18 ,  C07C257/14 ,  C07C211/65 ,  C07F15/06

CPC classification number: C23C18/08 ,  C07F15/065 ,  C23C16/18 ,  C23C18/04

Abstract: 本发明提供一种能够稳定供给熔点低、40℃左右为液体、引起配管中途的固化闭塞的可能性小的原料，容易形成高品质钴基膜的技术，该技术使用双(N,N'-二异丙基丙脒)钴。

公开(公告)号：CN102859657A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201280001147.1

申请日：2012-02-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  三井造船株式会社

Inventor： 米永富广 ,  河野有美子 ,  内田直喜 ,  尾崎一博

IPC: H01L21/22 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67303

Abstract: 通过控制从加热座的周缘部进入的磁通量的透射，准确控制加热座的面内温度。为具有载置基板的载置面的导电部件，包括：加热座（200），其分为周缘部（210）和包围于该周缘部的内侧部（220），内侧部包括厚板状发热体，周缘部将比内侧部薄的薄板状发热体在互相电绝缘的状态下层叠而构成；和电磁铁（120），其从加热座的侧面在平行于该载置面的方向上形成交流磁场，通过由施加于卷绕于该电磁铁的感应线圈（124）的两个频率的高频电流来控制在各薄板状发热体产生的感应电流而控制磁通量透过内侧部，由此改变各加热座的周缘部的发热量和内侧部的发热量的比例来进行温度控制。

公开(公告)号：CN101268212B

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200680034815.5

申请日：2006-07-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  河野有美子

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: 本发明提供一种原料供给装置，是向成膜装置供给使固体原料升华的气体原料的原料供给装置，其特征在于，包括：内部保持所述固体原料的原料容器；设置在所述原料容器的第一侧的第一加热单元；设置在所述原料容器的第二侧的第二加热单元；第一温度控制单元，进行第一处理，控制所述第一加热单元以及所述第二加热单元，使所述第一侧的温度比所述第二侧的温度高，以使所述固体原料在所述第一侧升华；以及第二温度控制单元，进行第二处理，控制所述第一加热单元以及所述第二加热单元，使所述第二侧的温度比所述第一侧的温度高，以使所述固体原料在所述第二侧升华。

公开(公告)号：CN102405518A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201080017631.4

申请日：2010-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进

IPC: H01L21/365 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  G11B7/26 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/144 ,  C23C16/305 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1616

Abstract: 本发明提供一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法和存储介质。该成膜方法是使用气体状的Ge原料、气体状的Sb原料、气体状的Te原料、利用CVD在基板上形成Ge2Sb2Te5的Ge-Sb-Te膜的Ge-Sb-Te膜的成膜方法，其包括：将基板配置在处理容器内的工序(工序1)；将气体状的Ge原料和气体状的Sb原料导入到处理容器内而在基板上进行第1阶段的成膜的工序(工序2)；将气体状的Sb原料和气体状的Te原料导入到处理容器内而在第1阶段的成膜中得到的膜上进行第2阶段的成膜的工序(工序3)；由利用工序2得到的膜、利用工序3得到的膜得到Ge-Sb-Te膜。

公开(公告)号：CN102160156A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980136346.1

申请日：2009-07-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/10 ,  C23C14/12 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/312 ,  B05D1/60 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/105 ,  C08G73/1067 ,  C08G73/1071 ,  C08L79/08 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/481 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 将在原料形成面上以规定图案形成有用于形成聚合膜的多种原料的第1基板(16)、和具有应该形成聚合膜的成膜面的第2基板(15)以原料形成面和成膜面相对的方式在处理容器(2)内相对向配置，使处理容器2内为真空环境，将第1基板(16)加热至上述多种原料(17、18)蒸发的第1温度使其蒸发，并且将第2基板(15)加热至多种原料发生聚合反应的第2温度，使从第1基板(16)蒸发的多种原料(17、18)在第2基板(15)的成膜面反应，在成膜面形成规定的聚合膜。

公开(公告)号：CN101542695A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000105.X

申请日：2008-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  河野有美子

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/40 ,  C23C16/404 ,  C23C16/405 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691

Abstract: 当将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，将Sr原料、Ti原料和氧化剂以气体状态导入上述处理容器内，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成SrTiO3膜时，使用Sr的胺化合物或Sr的亚胺化合物作为Sr原料。

公开(公告)号：CN100481334C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580033351.1

申请日：2005-09-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 山崎英亮 ,  中村和仁 ,  河野有美子 ,  格特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非 ,  保罗·詹姆森

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供了一种形成钝化金属层的方法，所述钝化金属层可以在随后暴露于含氧环境时保持下方金属层的性质和形貌。所述方法包括：在处理室(1)中提供衬底(50、302、403、510)；将所述衬底(50、302、403、510)暴露于包含铼-羰基前驱体的处理气体，以在化学气相沉积工艺中将铼金属层(304、408、508)沉积在所述衬底(50、302、403、510)上；在所述铼金属层(304、408、508)上形成钝化层(414、590)，从而抑制所述铼金属表面上含铼结粒(306)的氧致生长。