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公开(公告)号：CN103088311B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210418546.X
申请日：2012-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/24 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0245 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C30B25/183 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及一种晶种层的形成方法以及含硅薄膜的成膜方法，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备：使用氨基硅烷系气体，使氨基硅烷系气体中包含的至少硅吸附到基底上的工序；以及使用乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在吸附有氨基硅烷系气体中包含的至少硅的基底上沉积乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅的工序。
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公开(公告)号：CN103474344B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310406951.4
申请日：2010-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , C23C16/44 , C23C16/26
CPC classification number: H01L21/3146 , C23C16/0209 , C23C16/0272 , C23C16/26 , H01L21/02115 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02312
Abstract: 本发明提供一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，包括下述工序，即、一边对反应室内进行排气一边进行预备，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到800℃～950℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选出的预备处理气体，从而去除基底层表面的水；然后，一边对上述反应室内进行排气一边进行主CVD处理，该主CVD处理是指将上述反应室内的温度加热到主处理温度，并且向上述反应室内供给碳化氢气体，从而在基底层上成膜非晶碳膜。
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公开(公告)号：CN104347353A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410375010.3
申请日：2014-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , C23C16/24
CPC classification number: C23C16/045 , C23C16/24 , H01L21/28556 , H01L21/32055 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089 , H01L21/02532 , H01L21/28525 , H01L21/76879
Abstract: 本发明涉及硅膜的成膜方法、薄膜的成膜方法以及截面形状的控制方法。硅膜的成膜方法为在具有被处理面的被处理体上形成硅膜的方法，具备：(1)对前述被处理面上供给分子中包含两个以上硅的高阶氨基硅烷系气体，使前述被处理面上吸附硅而形成晶种层的工序；和(2)对前述晶种层上供给不包含氨基的硅烷系气体，使硅沉积在前述晶种层上而形成硅膜的工序，将前述(1)工序的处理温度设为350℃以下且室温(25℃)以上的范围。
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公开(公告)号：CN103088311A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210418546.X
申请日：2012-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/24 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0245 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C30B25/183 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及一种晶种层的形成方法以及含硅薄膜的成膜方法，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备：使用氨基硅烷系气体，使氨基硅烷系气体中包含的至少硅吸附到基底上的工序；以及使用乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在吸附有氨基硅烷系气体中包含的至少硅的基底上沉积乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅的工序。
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公开(公告)号：CN101311336B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810096452.9
申请日：2008-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包括：将上述成膜装置的反应室设定为没有容纳产品用的被处理基板的空载状态的工序；和进行除去存在于上述反应室的内面中的污染物质的吹扫处理的工序，其中，将通过使包含氧和氢作为元素的吹扫处理气体活性化而得到的自由基作用上述反应室的内面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101814431A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010115677.1
申请日：2010-02-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/24 , C23C16/28 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明提供一种成膜含锗膜的装置的使用方法，该使用方法按照以下顺序进行以下处理：第一成膜处理，利用CVD在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成含锗的第一成品膜；第一清洁处理，对成膜副产物进行蚀刻；第二清洁处理，去除残留在反应容器内的锗；以及第二成膜处理，利用CVD在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成不含锗的第二成品膜。其中，在第二清洁处理中，一边从未容纳成品用被处理体的反应容器内排气，一边向反应容器内供给包含氧化气体和氢气的第二清洁气体的同时对反应容器内加热来活化第二清洁气体。
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公开(公告)号：CN101532126A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127042.0
申请日：2009-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/22 , C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/56 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/345 , C23C16/4404 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置及其使用方法。半导体处理用的成膜装置的使用方法，为了减少金属污染，包括：使用清洗气体对处理容器内的内壁和不保持产品用被处理体的保持部件的表面进行清洗处理的工序；接着，通过交替供给硅源气体和氮化气体而进行硅氮化膜的覆盖处理，利用硅氮化膜覆盖处理容器的内壁和不保持产品用被处理体的保持部件的表面的工序。
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公开(公告)号：CN101409232A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810167500.9
申请日：2008-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28035 , C23C16/24 , C23C16/56 , H01L21/0257 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02667
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅膜的形成方法，用于形成掺杂有磷或硼的多晶硅膜，该方法的特征在于，具有下述工序：将被处理基板配置在反应容器内，一边在减压气氛下对被处理基板进行加热，一边向上述反应容器内导入硅成膜用气体、用于向膜中掺杂磷或硼的气体、和含有防止多晶硅结晶柱状化并促进多晶硅结晶微细化的成分的粒径调整用气体，在上述被处理基板上堆积掺杂有磷或硼的硅膜。
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公开(公告)号：CN101311336A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810096452.9
申请日：2008-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包括：将上述成膜装置的反应室设定为没有容纳产品用的被处理基板的空载状态的工序；和进行除去存在于上述反应室的内面中的污染物质的吹扫处理的工序，其中，将通过使包含氧和氢作为元素的吹扫处理气体活性化而得到的自由基作用上述反应室的内面。
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公开(公告)号：CN100426474C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200510087306.6
申请日：2005-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/318 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45531 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/507
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体或氮氧化气体的第二处理气体以及含有掺杂气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成含有杂质的氮化硅膜或氮氧化硅膜。该成膜方法交叉地具有第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域内供给第一和第三处理气体。在第二工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。在第三工序中，向处理区域内供给第二处理气体，而停止向处理区域供给第一和第三处理气体。第三工序具有将由激发机构使之处于激发状态的第二处理气体供给至处理区域的激发期间。在第四工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。
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