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公开(公告)号：CN113508470B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201980092982.2
申请日：2019-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 目的在于提供能够提高半导体装置的电气特性的技术。半导体装置是设置有半导体元件的半导体装置，具备：n型单晶氧化镓层，具有第一主面；电极，是半导体元件的电极，配设于n型单晶氧化镓层的第一主面上或第一主面上方；p型氧化物半导体层，配设于n型单晶氧化镓层与电极之间；以及非晶氧化镓层，配设于n型单晶氧化镓层与p型氧化物半导体层之间。
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公开(公告)号：CN110249432B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201780085464.9
申请日：2017-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L29/872
Abstract: n型半导体层(1a)具有单晶构造，包括宽带隙半导体材料。p型半导体层(4A)设置于n型半导体层(1a)上，包括与上述宽带隙半导体材料不同的材料，具有微晶构造以及非晶质构造中的任意种。电极(3)设置于n型半导体层(1a)以及p型半导体层(4A)中的至少某一个上。
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公开(公告)号：CN115668512A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180035827.4
申请日：2021-05-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L21/338 , H01L29/778
Abstract: 提供耐压高的晶体管。在第1方向上层叠第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层。第1以及第2氮化物半导体层形成异质结，在第1氮化物半导体层引起二维载流子气。漏极电极在第3方向上隔着栅极电极与源极电极对置。源极电极以及漏极电极与第1氮化物半导体层导通。第1以及第2氮化物半导体层与栅极电极8形成肖特基结。第1层在第3方向X上位于栅极电极与漏极电极之间且与栅极电极接触，在第2方向上与第2氮化物半导体层接触。第1层是绝缘体、本征半导体、具有与第2氮化物半导体层相反的导电类型的半导体中的任意物体，抑制在第1方向上与第1层对置的第1氮化物半导体层引起二维载流子气。
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公开(公告)号：CN112544004A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201980048435.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 三菱电机株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/363 , H01L21/365 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 目的在于提供可抑制氧化物半导体装置的特性劣化的技术。氧化物半导体装置具备：n型氧化镓外延层、p型氧化物半导体层和氧化物层。p型氧化物半导体层在n型氧化镓外延层的上方配设，具有与镓不同的元素作为主成分，具有p型的导电性。氧化物层在n型氧化镓外延层与p型氧化物半导体层之间配设，氧化物层的材料为与氧化镓不同的材料并且为与p型氧化物半导体层的材料至少一部分不同的材料。
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公开(公告)号：CN111954931A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201980018090.8
申请日：2019-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739
Abstract: 提高高温动作时的栅极电阻元件的可靠性。半导体装置具备漂移层(1)、基底层(5)、发射极层(9)、栅极绝缘膜(7)、栅极电极(6A)、栅极焊盘电极(13)、第一电阻层(200)以及第一氮化物层(300)，第一电阻层的电阻具有负的温度系数，第一电阻层由掺杂有氢的非晶硅形成，第一氮化物层由氮化硅层或氮化铝层形成。
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公开(公告)号：CN110809826A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201880040851.5
申请日：2018-06-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 在抑制异种材料向肖特基界面扩散的同时，提高被施加反向电压时的耐压。氧化物半导体装置具备：n型的氧化镓外延层(2)；p型的氧化物半导体层(5)，是与氧化镓外延层的材料不同的材料的氧化物；电介体层(7)，以覆盖氧化物半导体层的侧面的至少一部分的方式形成；阳极电极(4)；以及阴极电极(3)，在氧化物半导体层的下表面与氧化镓基板(1)之间或者氧化物半导体层(5a)的下表面与氧化镓外延层(2)之间形成异质pn结。
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公开(公告)号：CN107155378B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580066670.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够抑制开路电压以及填充因数的降低或者电流泄漏的发生的光电动势装置的制造方法。本发明的光电动势装置的制造方法具备：(a)在硅基板(1)的第1主面形成金字塔状的纹理的工序；(b)在第1主面上形成包括第1导电类型的杂质的第1硅酸盐玻璃(8)的工序；(c)在第1硅酸盐玻璃(8)上形成不包括导电型杂质的第2硅酸盐玻璃(9)的工序；(d)使第1硅酸盐玻璃(8)中包括的第1导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第1主面的工序；(e)在第2硅酸盐玻璃(9)上形成包括第1导电类型的杂质的第3硅酸盐玻璃(10)的工序；以及(f)在工序(e)之后使第2导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第2主面的工序。
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公开(公告)号：CN104584237B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380043653.1
申请日：2013-08-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022475 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 在n型硅基板1的第1主面(1A)、侧面(1C)以及第2主面(1B)的周缘部处具备第1非晶硅i层和侧面(1C)上具有第1ITO层(6)，在第2主面(1B)上具备第2非晶硅i层(3)和非晶硅n层(5)，在其上残留周缘部而具有面积比n型硅基板(1)小的第2ITO层(7)。而且，在第2主面(1B)上的周缘部处，具有将第1非晶硅i层(2)、非晶硅p层(4)、第2非晶硅i层(3)、非晶硅n层(5)按该顺序层叠的构造。因而，不需要追加的工艺而能够分离第1ITO层(6)和第2ITO层(7)，能够防止泄漏电流。而且，在端部处也确保各个膜的顺序，正常地维持电荷的流动，由此能够发挥集电效果并发挥电池功能，使有效面积最大。(2)和非晶硅p层(4)。另一方面，在第1主面(1A)
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公开(公告)号：CN104810415A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510038981.3
申请日：2015-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开太阳能电池以及太阳能电池的制造方法。得到遮光损失少且具有低电阻的电极的太阳能电池。其特征在于，具备：太阳能电池单元，具有pn结；受光面侧电极，在太阳能电池单元的受光面以按照一定的间隔在一个方向上伸长的方式设置，对光电变换的电荷进行集电，具有多个栅格电极(7)；以及背面电极(8)，设置于太阳能电池单元的与受光面(A)相向的背面(B)，栅格电极(7)包括与太阳能电池单元的受光面(A)抵接的第1籽晶面(6A)、相对第1籽晶面(6A)立起且与第1籽晶面(6A)连接的第2籽晶面(6B)、以及与第1及第2籽晶面(6A、6B)抵接的镀覆层。
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