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公开(公告)号：CN115668456A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202080101066.3
申请日：2020-05-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 抑制在切割通路中的半导体膜中产生龟裂。半导体装置具备：第1切割通路，通过多个保护膜的各个保护膜被形成的多个元件区域之间，并且沿着第1轴延伸；第2切割通路，通过多个元件区域之间，并且沿着第2轴延伸；以及阻挡岛，位于第1切割通路和第2切割通路的交叉部中的半导体膜的上表面，并且不与多个元件区域接触。满足X_si>X_ds并且Y_si
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公开(公告)号：CN115298807A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202080098651.2
申请日：2020-03-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , C01B32/182
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体装置，其具备：金刚石基板；设置在金刚石基板上的第一石墨烯层；设置在第一石墨烯层上的第二石墨烯层；设置在所述第二石墨烯层上的氮化物半导体层；和设置在所述氮化物半导体层上的具有电极的氮化物半导体元件，其中，所述第一石墨烯层和第二石墨烯层作为金刚石基板和氮化物半导体层的界面层而设置。
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公开(公告)号：CN110249432A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201780085464.9
申请日：2017-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L29/872
Abstract: n型半导体层(1a)具有单晶构造，包括宽带隙半导体材料。p型半导体层(4A)设置于n型半导体层(1a)上，包括与上述宽带隙半导体材料不同的材料，具有微晶构造以及非晶质构造中的任意种。电极(3)设置于n型半导体层(1a)以及p型半导体层(4A)中的至少某一个上。
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公开(公告)号：CN115516645A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202080100601.3
申请日：2020-05-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/808 , H01L21/337
Abstract: 源极层(13)设置在由氮化物系半导体构成的第一p型层(12)之上，包含具有电子作为载流子的半导体区域。漏极层(14)在第一p型层(12)之上从源极层(13)空出间隔且在第一方向上相向，包含具有电子作为载流子的半导体区域。沟道结构(SR)在第一p型层(12)之上设置在源极层(13)和漏极层(14)之间，在与第一方向正交的第二方向上交替地配置沟道区域(CN)和栅极区域(GT)。沟道结构(SR)包含的沟道层(15)构成沟道区域(CN)的至少一部分，由氮化物系半导体构成。沟道结构(SR)包含的栅极层(16)构成栅极区域(GT)的至少一部分，电连接栅极电极(19)和第一p型层(12)。
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公开(公告)号：CN113841223A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201980096547.7
申请日：2019-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，其具备：工序(a)，准备在生长基板的第一主面形成有氮化物半导体层的外延基板和第一支承基板，在生长基板的第一主面与第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层，将外延基板与第一支承基板贴合；工序(b)，在工序(a)之后，使生长基板的第二主面薄板化；工序(c)，在工序(b)之后，从经薄板化的生长基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层；工序(d)，在工序(b)之后，从第一支承基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第二保护薄膜层；工序(e)，在工序(c)和(d)之后，将经薄板化的生长基板除去；工序(f)，在工序(e)之后，在氮化物半导体层上贴合第二支承基板；和工序(g)，在工序(f)之后，将第一支承基板和树脂粘接层除去。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112544004B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980048435.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 三菱电机株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/363 , H01L21/365 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 目的在于提供可抑制氧化物半导体装置的特性劣化的技术。氧化物半导体装置具备：n型氧化镓外延层、p型氧化物半导体层和氧化物层。p型氧化物半导体层在n型氧化镓外延层的上方配设，具有与镓不同的元素作为主成分，具有p型的导电性。氧化物层在n型氧化镓外延层与p型氧化物半导体层之间配设，氧化物层的材料为与氧化镓不同的材料并且为与p型氧化物半导体层的材料至少一部分不同的材料。
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公开(公告)号：CN110249432B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201780085464.9
申请日：2017-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L29/872
Abstract: n型半导体层(1a)具有单晶构造，包括宽带隙半导体材料。p型半导体层(4A)设置于n型半导体层(1a)上，包括与上述宽带隙半导体材料不同的材料，具有微晶构造以及非晶质构造中的任意种。电极(3)设置于n型半导体层(1a)以及p型半导体层(4A)中的至少某一个上。
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公开(公告)号：CN113841223B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201980096547.7
申请日：2019-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 后，将第一支承基板和树脂粘接层除去。本发明涉及半导体基板的制造方法，其具备：工序(a)，准备在生长基板的第一主面形成有氮化物半导体层的外延基板和第一支承基板，在生长基板的第一主面与第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层，将外延基板与第一支承基板贴合；工序(b)，在工序(a)之后，使生长基板的第二主面薄板化；工序(c)，在工序(b)之后，从经薄板化的生长基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层；工序(d)，在工序(b)之后，从第一支承基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第二保护薄膜层；工序(e)，在(56)对比文件JP 2005141090 A,2005.06.02KR 101207412 B1,2012.12.04KR 20010100375 A,2001.11.14TW 586136 B,2004.05.01US 2002127791 A1,2002.09.12梁李敏;刘彩池;解新建;王清周.高质量GaN薄膜生长工艺的研究进展.材料导报.2010,(第07期),全文.
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公开(公告)号：CN115668512A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180035827.4
申请日：2021-05-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L21/338 , H01L29/778
Abstract: 提供耐压高的晶体管。在第1方向上层叠第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层。第1以及第2氮化物半导体层形成异质结，在第1氮化物半导体层引起二维载流子气。漏极电极在第3方向上隔着栅极电极与源极电极对置。源极电极以及漏极电极与第1氮化物半导体层导通。第1以及第2氮化物半导体层与栅极电极8形成肖特基结。第1层在第3方向X上位于栅极电极与漏极电极之间且与栅极电极接触，在第2方向上与第2氮化物半导体层接触。第1层是绝缘体、本征半导体、具有与第2氮化物半导体层相反的导电类型的半导体中的任意物体，抑制在第1方向上与第1层对置的第1氮化物半导体层引起二维载流子气。
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公开(公告)号：CN115349162A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202080099071.5
申请日：2020-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本公开涉及导体基板的制造方法，在由金刚石、碳化硅、氮化镓和蓝宝石中的任一种构成的被加工物基板的成为研磨对象的主面形成由过渡金属构成的催化剂金属膜，在氧化剂药液中使形成有催化剂金属膜的被加工物基板与研磨平台相对运动，除去由活性自由基与被加工物基板的主面的表面原子的化学反应而生成的化合物，由此对被加工物基板进行研磨，其中活性自由基由催化剂金属膜与氧化剂药液的反应产生。准备在生长基板的主面上形成有氮化物半导体层的外延基板和支承基板，将外延基板的氮化物半导体层和支承基板经由树脂粘接层贴合，除去生长基板，使氮化物半导体层露出。采用常温接合法将经研磨的被加工物基板在氮化物半导体层上接合，除去支承基板和树脂粘接层。
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