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公开(公告)号：CN102414833B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201080018699.4
申请日：2010-03-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的太阳能电池单元具有：半导体基板；表面凹凸部，形成于上述半导体基板的受光面侧的主面上；半导体层，沿着该表面凹凸部形成且具有导电型；以及反射防止膜，形成于该半导体层的受光面侧，其中，在上述半导体基板的背面侧的主面上形成钝化膜，在该钝化膜中设置至少1个开口部，形成有：第1背面电极，在上述钝化膜上与上述开口部所占的范围的所有部分重叠、并且覆盖上述开口部；以及第2背面电极，在上述钝化膜上与上述第1背面电极所占的范围的所有部分重叠、并且覆盖上述第1背面电极，从而提供在钝化膜上具有不会引起电极剥离、电极导体的高电阻那样的部分性的背面电极的光电子变换效率高的太阳能电池单元及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102414833A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018699.4
申请日：2010-03-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的太阳能电池单元具有：半导体基板；表面凹凸部，形成于上述半导体基板的受光面侧的主面上；半导体层，沿着该表面凹凸部形成且具有导电型；以及反射防止膜，形成于该半导体层的受光面侧，其中，在上述半导体基板的背面侧的主面上形成钝化膜，在该钝化膜中设置至少1个开口部，形成有：第1背面电极，在上述钝化膜上与上述开口部所占的范围的所有部分重叠、并且覆盖上述开口部；以及第2背面电极，在上述钝化膜上与上述第1背面电极所占的范围的所有部分重叠、并且覆盖上述第1背面电极，从而提供在钝化膜上具有不会引起电极剥离、电极导体的高电阻那样的部分性的背面电极的光电子变换效率高的太阳能电池单元及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113841223B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201980096547.7
申请日：2019-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 后，将第一支承基板和树脂粘接层除去。本发明涉及半导体基板的制造方法，其具备：工序(a)，准备在生长基板的第一主面形成有氮化物半导体层的外延基板和第一支承基板，在生长基板的第一主面与第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层，将外延基板与第一支承基板贴合；工序(b)，在工序(a)之后，使生长基板的第二主面薄板化；工序(c)，在工序(b)之后，从经薄板化的生长基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层；工序(d)，在工序(b)之后，从第一支承基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第二保护薄膜层；工序(e)，在(56)对比文件JP 2005141090 A,2005.06.02KR 101207412 B1,2012.12.04KR 20010100375 A,2001.11.14TW 586136 B,2004.05.01US 2002127791 A1,2002.09.12梁李敏;刘彩池;解新建;王清周.高质量GaN薄膜生长工艺的研究进展.材料导报.2010,(第07期),全文.
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公开(公告)号：CN113454758A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201980091663.X
申请日：2019-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L21/683 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 目的在于提供能够抑制半导体元件的不良的技术。半导体装置的制造方法具备：形成层叠体的工序，该层叠体在半导体基板的第1主面上依次配设有粘接保护层、粘接层、剥离层、支撑基板；去除形成有多个电路元件的部分以外的半导体基板的工序；将形成有电路元件的部分接合到转印基板的工序；去除剥离层、支撑基板及粘接层的工序；通过化学处理去除粘接保护层的工序；以及分割多个电路元件的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113454758B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201980091663.X
申请日：2019-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L21/683 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 目的在于提供能够抑制半导体元件的不良的技术。半导体装置的制造方法具备：形成层叠体的工序，该层叠体在半导体基板的第1主面上依次配设有粘接保护层、粘接层、剥离层、支撑基板；去除形成有多个电路元件的部分以外的半导体基板的工序；将形成有电路元件的部分接合到转印基板的工序；去除剥离层、支撑基板及粘接层的工序；通过化学处理去除粘接保护层的工序；以及分割多个电路元件的工序。
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公开(公告)号：CN115428127A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202080099340.8
申请日：2020-04-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本公开的目的是提供不良率低且薄的半导体元件的制造方法。在本公开所涉及的半导体元件的制造方法中，准备具备半导体基板(1)和半导体基板(1)上的电路元件(2)的电路元件基板(7)，在电路元件(2)上形成电极保护层(3)，准备支撑基板(8)，在真空中在电路元件基板(7)的电极保护层(3)上和支撑基板(8)上形成金属薄膜(6)，通过原子扩散接合法使电路元件基板及支撑基板的金属薄膜(6)彼此粘贴，由此接合电路元件基板(7)及支撑基板(8)，对半导体基板(1)进行研磨去除而露出电路元件(2)，对电路元件(2)的露出面接合转印基板(10)，在转印基板(10)的接合后从电路元件(2)剥离支撑基板(8)。
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公开(公告)号：CN113841223A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201980096547.7
申请日：2019-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，其具备：工序(a)，准备在生长基板的第一主面形成有氮化物半导体层的外延基板和第一支承基板，在生长基板的第一主面与第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层，将外延基板与第一支承基板贴合；工序(b)，在工序(a)之后，使生长基板的第二主面薄板化；工序(c)，在工序(b)之后，从经薄板化的生长基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层；工序(d)，在工序(b)之后，从第一支承基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第二保护薄膜层；工序(e)，在工序(c)和(d)之后，将经薄板化的生长基板除去；工序(f)，在工序(e)之后，在氮化物半导体层上贴合第二支承基板；和工序(g)，在工序(f)之后，将第一支承基板和树脂粘接层除去。
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公开(公告)号：CN115428127B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202080099340.8
申请日：2020-04-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本公开的目的是提供不良率低且薄的半导体元件的制造方法。在本公开所涉及的半导体元件的制造方法中，准备具备半导体基板(1)和半导体基板(1)上的电路元件(2)的电路元件基板(7)，在电路元件(2)上形成电极保护层(3)，准备支撑基板(8)，在真空中在电路元件基板(7)的电极保护层(3)上和支撑基板(8)上形成金属薄膜(6)，通过原子扩散接合法使电路元件基板及支撑基板的金属薄膜(6)彼此粘贴，由此接合电路元件基板(7)及支撑基板(8)，对半导体基板(1)进行研磨去除而露出电路元件(2)，对电路元件(2)的露出面接合转印基板(10)，在转印基板(10)的接合后从电路元件(2)剥离支撑基板(8)。
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