公开(公告)号：CN1252830C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN01103459.9

申请日：2001-02-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  岩松俊明 ,  平野有一

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的目的在于得到一种在具备PTI结构的隔离绝缘膜的半导体装置中抑制衬底浮游效应、隔离特性和耐压提高了的半导体装置及其制造方法。其解决方法是在覆盖形成于半导体层的表面上的元件的上表面的层间绝缘膜之间形成氮化硅膜。

公开(公告)号：CN1230888C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN02157084.1

申请日：2002-12-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  松本拓治 ,  岩松俊明 ,  一法师隆志

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/78615 ,  H01L29/78654 ,  Y10S438/981

Abstract: 提供可进行体固定，同时实现高速且稳定的动作的SOI元件。在栅极电极(12)的栅极接触焊盘GP以外的部分与SOI层(3)之间，配设厚度1到5nm的栅极绝缘膜(11)，在栅极接触焊盘GP与SOI层(3)之间，配设厚度5到15nm的栅极绝缘膜(110)。另外，栅极绝缘膜(11)和栅极绝缘膜(110)已连接起来。

公开(公告)号：CN1199281C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN01143820.7

申请日：2001-12-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  前田茂伸 ,  岩松俊明 ,  一法师隆史

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78615 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  Y10S257/904

Abstract: 本发明的目的是得到能以良好的稳定性固定由部分隔离区进行了元件隔离的元件形成区中的体区的电位的SOI(绝缘体上的硅)结构的半导体装置。解决方法是在由部分氧化膜(31)进行了元件隔离的元件形成区中形成由源区(51)、漏区(61)和H栅电极(71)构成的MOS晶体管。在H栅电极(71)中，利用左右(图中上下)的“I”，导电性地隔离在源区(51)和漏区(61)上在栅宽W方向上邻接地形成的体区(13)与漏区(61)和源区(51)，中央的“-”起到原来的MOS晶体管的栅电极的功能。

公开(公告)号：CN1153257C

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN98119254.8

申请日：1998-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田佳子 ,  山口泰男 ,  成冈英树 ,  岩松俊明 ,  木村泰広 ,  平野有一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31155

Abstract: 一种半导体衬底的处理方法和半导体衬底，提供了防止从衬底边缘部产生颗粒。通过在SOI衬底10的边缘部处相对于SOI衬底10的直径方向注入硅离子，SOI衬底10的边缘部的埋入氧化膜2成为富硅的状态，作成在边缘部处埋入氧化膜2实际上已消失的SOI衬底100。

公开(公告)号：CN1115716C

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN98115981.8

申请日：1998-07-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岩松俊明 ,  山口泰男 ,  前田茂伸 ,  一法师隆志 ,  平野有一

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供防止了来自衬底边缘区的尘粒的半导体衬底的处理方法和半导体衬底。对SOI衬底(10)的边缘区和下主面进行氧化形成氧化膜(13)。在该氧化步骤中将在SOI衬底(10)的边缘区和下主面上露出的氧化膜(11)作为下敷氧化膜来使用，与LOCOS(硅的局部氧化)氧化同样地进行。因而，在SOI衬底(10)的边缘区和下主面上氧化膜(13)的厚度比氧化膜(11)厚。

公开(公告)号：CN1329367A

公开(公告)日：2002-01-02

申请号：CN01103459.9

申请日：2001-02-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  岩松俊明 ,  平野有一

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的目的在于得到一种在具备PTI结构的隔离绝缘膜的半导体装置中抑制衬底浮游效应、隔离特性和耐压提高了的半导体装置及其制造方法。其解决方法是在覆盖形成于半导体层的表面上的元件的上表面的层间绝缘膜之间形成氮化硅膜。

公开(公告)号：CN1223458A

公开(公告)日：1999-07-21

申请号：CN98119254.8

申请日：1998-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田佳子 ,  山口泰男 ,  成冈英树 ,  岩松俊明 ,  木村泰広 ,  平野有一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31155

Abstract: 提供防止从衬底边缘部产生颗粒的半导体衬底的处理方法和半导体衬底。通过在SOI衬底10的边缘部处相对于SOI衬底10的直径方向注入硅离子,SOI衬底10的边缘部的埋入氧化膜2成为富硅的状态,作成在边缘部处埋入氧化膜2实际上已消失的SOI衬底100。