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公开(公告)号：CN109616474B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201811156224.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体存储器件。半导体存储器件包括基板。半导体存储器件包括垂直堆叠在基板上的多个存储单元晶体管。半导体存储器件包括连接到所述多个存储单元晶体管中的至少一个的源极区的第一导电线。半导体存储器件包括连接到所述多个存储单元晶体管的多个栅电极的第二导电线。此外，半导体存储器件包括连接到所述多个存储单元晶体管中的至少一个的漏极区的数据存储元件。
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公开(公告)号：CN110310993B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910216931.8
申请日：2019-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24 , H10B69/00
Abstract: 提供了半导体装置及其形成方法。所述半导体装置可以包括半导体基底以及位于半导体基底中的有源区域，其中，有源区域可以包括具有氧的可变原子浓度的氧化物半导体材料。第一源/漏区可以位于有源区域中，其中，第一源/漏区可以具有氧化物半导体材料中的氧的第一原子浓度。第二源/漏区可以位于与第一源/漏区分隔开的有源区域中，沟道区域可以位于第一源/漏区与第二源/漏区之间，其中，沟道区域可以具有氧化物半导体材料中的氧的第二原子浓度，氧的第二原子浓度低于氧的第一原子浓度。栅电极可以位于沟道区域上并且可以在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸。
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公开(公告)号：CN108695327B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810326639.7
申请日：2018-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体器件及制造其的方法。具有衬底的半导体器件可以包括下半导体层、在下半导体层上的上半导体层、以及在下半导体层与上半导体层之间的掩埋绝缘层。第一沟槽可以在上半导体层中，具有在掩埋绝缘层之上的最下表面，凹入第一沟槽中的第一导电图案。第二沟槽可以在下半导体层、掩埋绝缘层和上半导体层中。第二导电图案可以在第二沟槽中，并且第一源极/漏极区可以在第一导电图案与第二导电图案之间的上半导体层中。
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公开(公告)号：CN116249344A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210920829.8
申请日：2022-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：基板，包括依次堆叠的下半导体膜、掩埋绝缘膜和上半导体膜；元件隔离膜，在基板内部限定有源区并包括相对于硅氧化物具有蚀刻选择性的材料；在上半导体膜内部的第一栅极沟槽；第一栅电极，填充第一栅极沟槽的一部分；在元件隔离膜内部的第二栅极沟槽；以及第二栅电极，填充第二栅极沟槽的一部分，其中元件隔离膜的底侧在下半导体膜内部。
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公开(公告)号：CN109979941A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811542208.0
申请日：2018-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了半导体存储装置。半导体存储装置包括：基底；以及堆叠件，包含位于基底上的多个层。所述多个层中的每一个层包括：半导体图案；以及第一导电线，连接到半导体图案中的至少一个半导体图案。第二导电线和第三导电线穿透堆叠件。半导体图案包括在所述多个层中的第一层中彼此相邻并且彼此间隔开的第一半导体图案和第二半导体图案。第三导电线位于第一半导体图案与第二半导体图案之间，并且共同地连接到第一半导体图案和第二半导体图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105843579A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610056244.0
申请日：2016-01-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/16 , G06F3/0485
Abstract: 提供了声音输出装置。声音输出装置包括：扬声器单元；用户接口单元，配置为提供映射有声音内容的用户接口区，并且包括滚动用户接口(UI)，用于根据在用户接口区上的滚动交互来浏览声音内容；以及处理器，配置为当滚动UI移动通过在用户接口区上与用户接口区的第一区域对应的位置时，处理器播放映射到第一区域的声音内容的预设区段，以通过扬声器单元提供针对声音内容的预收听功能。
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公开(公告)号：CN105323609A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510463480.X
申请日：2015-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/41 , H04N21/485 , H04N21/422
CPC classification number: H04N13/398 , G09G3/003 , G09G5/00 , G09G5/14 , G09G2320/0261 , G09G2320/0613 , G09G2340/0407 , G09G2340/0464 , G09G2340/14 , G09G2354/00 , H04N13/324 , H04N13/327 , H04N21/44218 , H04N21/4122 , H04N21/422 , H04N21/485
Abstract: 提供一种显示装置和控制其屏幕的方法。该方法包括：在显示区域中显示包括数字图像的矩形屏幕，获取用以修改矩形屏幕的形状的信息，以及基于显示区域的水平轴的坐标值和获取的信息修改和显示矩形屏幕的形状。被修改的屏幕的高度随高度更接近该坐标值而减小，并且数字图像随该数字图像更接近该坐标值而在尺寸上缩小，以与该高度对应。
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公开(公告)号：CN103513402B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210317037.8
申请日：2012-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B13/004 , G02B13/18 , H04N5/225
Abstract: 提供一种移动式微型成像光学器，其作为包含受光元件的成像用光学器，从物体侧按顺序包括：第1透镜，其具备正或负的折射率；第2透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面为凹陷形状；第3透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面和上侧面都为非球面形状；和第4透镜，其具备正或负的折射率，且物体侧面和上侧面都为非球面形状。并且满足以下数学式1至数学式3：数学式1，0.25＜FBL/f＜0.35；数学式2，3.5＜OL/FBL＜4.5；数学式3，f/D≤2.6。其中，FBL是从所述成像光学器结构部分的上侧面端侧至受光元件的距离，OL是以光轴为基准从所述第1透镜的物体侧面至受光元件的距离，f是以光轴为基准所述成像光学器的焦点距离，D是所述成像光学器的入射瞳口径。
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公开(公告)号：CN101165816A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710096631.8
申请日：2007-04-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力财团
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: 本发明提供了一种具有浮凸电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。该半导体探针包括沿交叉悬臂长度方向的第一方向在悬臂上突出到预定高度的突出部分、形成在该突出部分上的浮凸电阻性尖端、和在该突出部分的浮凸电阻性尖端的任一侧形成的第一和第二半导体电极区，其中该悬臂掺杂第一掺杂剂，第一和第二半导体电极区和浮凸电阻性尖端掺杂极性不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂，且浮凸电阻性尖端以低于第一和第二半导体电极区的浓度掺杂。
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公开(公告)号：CN119998827A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380069854.2
申请日：2023-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06T3/4053 , G06T3/4046 , G06N3/0464 , G06N3/082 , G06N3/047 , G06N7/01 , G06V20/40 , G06V10/774 , G06V10/25 , G06T7/13
Abstract: 实施例提供了一种方法，所述方法包括检测在输入视频的至少一个输入帧内显示的至少一个对象。所述方法还包括从所述至少一个输入帧裁剪包括所述至少一个对象的至少一个裁剪图像。所述方法还包括通过将模拟文本覆盖在所述至少一个裁剪图像上来生成至少一个训练图像。所述方法还包括将所述至少一个训练图像提供给剪枝的卷积神经网络(CNN)。所述剪枝的CNN从所述至少一个训练图像中学习，以在图像超分辨率期间重建对象和文本区。
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