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公开(公告)号：CN1517802A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03100735.X
申请日：2003-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及用于光致抗蚀剂的TFT－LCD高性能剥离剂组合物，并且更具体地是涉及用于抗蚀剂的剥离剂组合物，包含20％至60％重量的单乙醇胺、15％至50％重量的N，N－二甲基乙酰胺、15％至50％重量的卡必醇以及0.1％至10％重量的没食子酸。本发明还提供了用于光致抗蚀剂的剥离剂组合物，包含20％至60％重量的单乙醇胺、15％至50％重量的N，N－二甲基乙酰胺、15％至50％重量的卡必醇。本发明的用于光致抗蚀剂的剥离剂组合物在应用于TFT－LCD生产过程时，显著地降低了剥离时间。而且其因为具有良好的剥离能力也不会留下杂质颗粒，并且因为能够省略硬焙烤和磨光过程，所以能够简化门处理，降低了成本。此外，当其应用在使用银(Ag)作为反射/透射层的过程时，提供了纯银层的耐腐蚀能力和剥离能力。
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公开(公告)号：CN1298918A
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：CN99127834.8
申请日：1999-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K19/38
CPC classification number: G02F1/133711
Abstract: 本发明涉及液晶排列材料的再生方法,其中与LCD液晶加工中原始液晶排列材料等效的再生液晶排列层可通过收集排列材料的废溶液而再生,该废溶液是在使用液晶排列材料的LCD制造过程中大量产生的。通过将排列材料的废溶液放入一种有机溶剂或超纯水中而固化聚酰氨酸和可溶聚酰亚胺,液晶排列材料组分聚酰氨酸和可溶聚酰亚胺不溶于该有机溶剂或超纯水中,从有机溶剂或者超纯水分离聚酰氨酸和可溶聚酰亚胺,并将所分离的固体聚酰氨酸和可溶聚酰亚胺溶解在一种溶剂中而做到这一点。用此方法再生液晶排列层材料能大大有助于降低生产成本。
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公开(公告)号：CN1297169A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00126840.6
申请日：2000-09-06
IPC: G03F7/16
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226 , G03F7/162
Abstract: 本发明提供了一种阳性光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中,将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以1250至1350rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后,干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着,利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸3－甲氧基丁酯和4－丁内酯,或者包括乙酸3－甲氧基丁酯、2－庚酮和4－丁内酯。
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公开(公告)号：CN1288178A
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：CN00126260.2
申请日：2000-08-30
IPC: G03F7/008
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226
Abstract: 本发明涉及一种感光速度及残膜率优秀,恶臭的发生量少,从而能够改善作业环境的正型光致抗蚀剂组合物,其包括:用以形成光致抗蚀剂层的高分子树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光性化合物以及作为溶剂的3－甲氧丁基乙酯、2－庚酮和4－丁内酯。
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公开(公告)号：CN112189179A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201980033164.5
申请日：2019-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/041 , G06F3/0481 , G06F3/0484 , G06F1/16
Abstract: 根据各种实施例的电子装置，包括：第一结构，其能够相对于第二结构在关闭状态和打开状态之间移动；第二结构；柔性触摸屏显示层，其包括平面部分和可弯曲部分；处理器，其可操作地连接到柔性触摸屏显示层；以及存储器，其可操作地连接到处理器。该存储器存储有指令，该指令在被执行时，使得处理器：在关闭状态下，在平面部分的第一区域中显示至少一个第一对象并在平面部分的第二区域中显示至少一个第二对象，以及在打开状态下，在第一区域中显示至少一个第一对象并在可弯曲部分的第三区域中显示至少一个第二对象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100593723C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200610121326.5
申请日：2006-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体探头和一种利用所述半导体探头写入和读取信息的方法。所述半导体探头包括悬臂和形成于所述悬臂的一个末端部分上的尖端，从而在位于形成了电极的表面上的铁电媒质上写入信息或从其上读取信息。所述尖端包括轻度掺杂了半导体杂质的电阻性区域和重度掺杂了半导体杂质的导电区域。所述悬臂包括形成于面对所述媒质的底面上的静电力生成电极。通过在形成于所述铁电媒质上的电极和所述静电力生成电极之间有选择地施加电压调整所述尖端和所述媒质之间的接触力。从而使尖端的磨损降至最低，并确保高记录密度下的写入/读取性能。
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公开(公告)号：CN100533710C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510099624.4
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括形成晶体管薄层图案，形成保护层，形成光致抗蚀剂膜，形成彼此间隔开的像素电极和导电层，剥除光致抗蚀剂图案以使用剥除溶液除去导电层并溶解导电层。这种制造薄膜晶体管基板的方法能够提高薄膜晶体管基板的制造工艺的效率。此外，剥除溶液可以重复使用。
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公开(公告)号：CN101188242A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710192825.8
申请日：2007-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种具有降低的制造成本和缺陷率的薄膜晶体管基板。所述薄膜晶体管基板包括：栅极布线，形成于绝缘基板上且包括栅电极；数据布线，形成于所述栅极布线上且包括源电极和漏电极；钝化层图案，形成于除了所述漏电极和像素区之外的部分所述数据布线上；以及电连接到所述漏电极的像素电极。所述像素电极包括氧化锌。
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公开(公告)号：CN101169599A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710170189.9
申请日：2007-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: H01L21/6708 , G03F7/423
Abstract: 本发明涉及利用处理液除去基板的光刻胶并用臭氧处理处理液。当处理液被喷射到基板上时，倾斜基板以从基板上除去光刻胶。因此使用处理液均匀地处理基板以及收集处理液变得很方便。收集的处理液通过臭氧进行处理然后再使用。
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公开(公告)号：CN100356542C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200380110246.4
申请日：2003-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/30 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 提供了一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在掺杂第一杂质的基板上形成掩模层以及在未被掩模层覆盖的基板上形成用第二杂质重度掺杂的第一和第二半导体电极区，退火第一和第二半导体电极区，将第一和第二半导体电极区的第二参杂剂扩散到彼此面对的部分以在第一和第二半导体电极区的外边界形成用第二杂质轻度掺杂的电阻区，以预定的形状构图掩模层并蚀刻未被构图后的掩模层覆盖的基板的部分顶部表面来形成电阻尖端。
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