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公开(公告)号：CN112017710A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010453083.5
申请日：2020-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器器件。所述非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列；字线驱动块，通过第一组字线连接到第一组存储器单元，并且通过第二组字线连接到第二组存储器单元；位线偏置和感测块，通过位线连接到第一组存储器单元和第二组存储器单元；可变电流供应块，产生要供应到所选择的字线的字线电流；以及控制逻辑块，接收地址和命令，并且基于地址来控制可变电流供应块以调整字线电流的量。控制逻辑块还根据所选择的字线与基底之间的距离来使字线电流的量变化。
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公开(公告)号：CN109768158A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201810921238.6
申请日：2018-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种存储器件包括在衬底上沿第一方向延伸的第一字线、在第一字线上沿第二方向延伸的第一位线、设置在第一字线与第一位线之间的第一存储单元、在第一位线上沿第一方向延伸的第二字线、在第二字线上沿第二方向延伸的第二位线、设置在第二字线与第二位线之间的第二存储单元、以及连接到第一位线和第二位线的第一位线连接结构。第一位线连接结构包括连接到第一位线的第一位线接触以及连接到第二位线并垂直地重叠第一位线接触的第二位线接触。
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公开(公告)号：CN101149971B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200710154773.5
申请日：2007-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C15/00
CPC classification number: G11C15/046 , G11C13/0004
Abstract: 根据示例实施例，一种包含在内容可寻址存储器(CAM)中的CAM单元可以包括相变存储器件、连接器、和/或显现器。所述相变存储器件可以配置用于存储数据。所述相变存储器件可以具有可根据所存储的数据的逻辑电平而变化的电阻。所述连接器可以配置用于控制向所述相变存储器件写数据以及从所述相变存储器件读数据。所述显现器可以配置用于在其中将存储在所述相变存储器件中的数据与搜索数据进行比较的搜索模式下控制从所述相变存储器件读数据。
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公开(公告)号：CN1959846B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200610159878.5
申请日：2006-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C8/08 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009
Abstract: 一种相变随机存取存储器，包括存储器单元阵列块，该阵列块包括多个相变存储器单元、列译码器和行译码器、列选择器和写驱动器。该存储器还包括写升压单元，该单元具有用于升高第一电压来产生用于驱动写驱动器的写驱动电压的多个内部电荷泵，其中根据在写操作期间选择的相变存储器单元的数量来改变在写操作期间激活的内部电荷泵的数量。该存储器还包括用于升高第一电压来产生用于驱动列译码器的列驱动电压的列升压单元，和用于升高第一电压来产生用于驱动行译码器的行驱动电压的行升压单元。
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公开(公告)号：CN1933023B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200610132291.5
申请日：2006-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C7/1078 , G11C7/1096 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 相变存储装置，包括具有相变材料的存储单元、适于在编程间隔期间向存储单元供应编程电流的写入驱动器；以及适于在编程间隔期间增强写入驱动器的电流供应能力的泵电路。泵电路响应于外部控制信号在编程间隔期间之前激活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1734671B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200510077929.5
申请日：2005-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/419 , G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092
Abstract: 本发明提供了一种相变存储器设备，其包含多个相变存储器单元和被配置为输出多个连续复位脉冲的复位脉冲生成电路。每个连续复位脉冲被输出到多条复位线中的相应一条。多个写驱动器电路连接到相应的相变存储器单元以及复位脉冲生成电路中的一条相应复位线。本发明还提供了一种使用连续复位控制信号编程相变存储器设备的方法。
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公开(公告)号：CN1996493A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610171783.5
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , H01L27/24 , H01L23/522
CPC classification number: G11C8/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 提供了一种相变存储器件。所述相变存储器件包括：相变存储单元阵列，其包括：具有多个相变存储单元的第一存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于多条位线中的每一条和第一字线之间，具有多个相变存储单元的第二存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于所述多条位线中的每一条和第二字线之间，以及第一和第二下拉晶体管，其下拉所述第一和第二字线的每一电压电平，并共享节点；以及行驱动器，其包括用于上拉所述第一和第二字线中的每一电压电平的第一和第二上拉晶体管。
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公开(公告)号：CN1975927A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163200.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后，将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较，并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷，从而确保在读出期间足够的读出裕度。
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公开(公告)号：CN1959847A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610144770.9
申请日：2006-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/72
Abstract: 一种相变随机存取存储器设备包括含有多个相变存储器单元的存储器阵列，每个相变存储器单元都包括相变材料和二极管，多个将位线连接到相应数据线的列选择晶体管，所述位线被连接到相变存储器单元，以及将数据线连接到读出放大器单元的控制节点。在写操作模式时，通过提升第一电压获得的控制电压被分别施加到控制节点以及列选择晶体管的栅极，地电压被施加到所选择的一个相变存储器单元的字线。在待机模式时，连接到存储器阵列的相变存储器单元的字线和位线被维持在同一电压。
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公开(公告)号：CN1456959A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN03108181.9
申请日：2003-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/49575 , H01L2224/48091 , H01L2225/06527 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于在安装导线框架的上表面和下表面组装两个相同的半导体芯片以形成一个倒装芯片封装的倒装芯片接口电路，其至少包括彼此以镜面对称方式对称形成在芯片上的第一和第二地址焊盘以及第一和第二绑定选择焊盘。第一和第二地址焊盘输入有用于选择第一和第二半导体芯片的操作的信号。第一和第二输入焊盘选择及芯片选择信号响应由芯片的第一和第二地址焊盘及第一和第二绑定选择焊盘得到的信号而输出，第一和第二半导体芯片选择信号响应第一和第二输入焊盘和芯片选择信号而输出，接口使能信号响应第一和第二半导体芯片选择信号而输出。
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