公开(公告)号：CN109728013A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811215139.2

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  金政勋 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  张刚 ,  许在成

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 公开了一种图像传感器，该图像传感器包括具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板、在基板中的第一光电转换区和第二光电转换区、在第一光电转换区与第二光电转换区之间的贯通电极、在基板的第二表面上的绝缘结构、分别提供在第一光电转换区和第二光电转换区上的第一滤色器和第二滤色器、以及在绝缘结构上并电连接到贯通电极的光电转换层。贯通电极包括与第一表面相邻的第一端部和与第二表面相邻的第二端部。第一端部具有非平面形状。

公开(公告)号：CN109560105A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201810661733.8

申请日：2018-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贵德 ,  金政勳 ,  金昶和 ,  朴商秀 ,  严祥训 ,  李范硕 ,  李泰渊 ,  任东模

IPC: H01L27/30

Abstract: 本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。

公开(公告)号：CN107919358A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710880103.5

申请日：2017-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝真 ,  金昶和 ,  全辉璨 ,  朴哲弘 ,  梁在锡 ,  千宽永

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：在衬底上的栅极结构；分别在衬底的邻近栅极结构的部分上的源极/漏极层；分别接触源极/漏极层的上表面的第一接触插塞；接触栅极结构中的一个的第二接触插塞，第二接触插塞的侧壁由绝缘间隔物覆盖；以及共同地接触栅极结构中的至少一个的上表面和第一接触插塞中的至少一个的第三接触插塞，第三接触插塞的侧壁的至少一部分不被绝缘间隔物覆盖。

公开(公告)号：CN105470305A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510622878.3

申请日：2015-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨昌宰 ,  前田茂伸 ,  金昶和 ,  崔永文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/045 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个示例实施例，该半导体器件以如下方式提供。有源鳍从衬底突起，沿着一个方向延伸。栅极结构与该有源鳍的第一区域交叉。源极/漏极布置在该有源鳍的第二区域上。该源极/漏极包括上表面及竖直侧表面。竖直侧表面实质上平行于有源鳍的侧表面。