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公开(公告)号：CN118489045A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202380014282.8
申请日：2023-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F24F6/02 , F24F13/20 , F24F13/10 , F24F13/08 , F24F11/72 , F24F11/54 , F24F11/52 , F24F6/00 , F24F110/20 , F24F140/00
Abstract: 公开一种加湿模块。所述加湿模块包括：壳体，包括用于存储水的下部和用于将从所述下部中存储的水产生的液滴引导到上部的引导部件；以及风扇，用于将加热的空气引导到所述壳体内，其中，所述壳体包括：第一通道，形成为使得由所述风扇引导的所述加热的空气的第一部分穿过所述壳体的所述下部，并且与产生的液滴一起通过所述引导部件被引导到所述壳体的所述上部；以及第二通道，形成为使得由所述风扇引导的所述加热的空气的所述第一部分与用于蒸发被引导的液滴的所述加热的空气的第二部分穿过所述第二流动路径，并且通过所述引导部件被引导到所述壳体的所述上部。
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公开(公告)号：CN117253921A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310669149.8
申请日：2023-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体装置包括：在第一方向上延伸的下图案；第一阻挡结构，其在所述下图案上，并且包括至少一个第一阻挡膜，所述第一阻挡膜包括掺氧晶体硅膜；源极/漏极图案，其在所述第一阻挡结构上；以及栅极结构，其在所述下图案上在第二方向上延伸并且包括栅电极和栅极绝缘膜。还讨论了相关的制造方法。
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公开(公告)号：CN115775800A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211083664.X
申请日：2022-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/08 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件，包括第一器件和第二器件，第一器件包括第一有源区、以及在其上的第一结构至第三结构，第二器件包括第二有源区、与第二有源区相交的栅结构、以及源/漏区，该源/漏区包括在第二有源区上的具有第一类型导电性的下源/漏区、在下源/漏区上的源/漏区间绝缘层、以及在源/漏区间绝缘层上并具有第二类型导电性的上源/漏区。第一结构包括第一下杂质区和第一上杂质区。第二结构包括具有第一类型导电性的第二下杂质区、杂质区间绝缘层、以及具有第二类型导电性的第二上杂质区。第三结构包括具有第二类型导电性的第三下杂质区和第三上杂质区，第三上杂质区的杂质浓度高于第三下杂质区的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN115566050A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210471876.9
申请日：2022-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/15 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括在衬底上在第一横向方向上延伸的鳍型有源区。栅极线在鳍型有源区上在第二横向方向上延伸。第二横向方向与第一横向方向交叉。沟道区在衬底和栅极线之间。源极/漏极区在鳍型有源区上与栅极线相邻，并具有面对沟道区的侧壁。超晶格阻挡物在衬底和沟道区之间。超晶格阻挡物与源极/漏极区接触。超晶格阻挡物具有包括掺有氧原子的半导体层的多个第一子层和包括未掺杂的半导体层的多个第二子层被交替堆叠的结构。
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公开(公告)号：CN106355077B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201610563208.3
申请日：2016-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开认证应用处理器的显示驱动器集成电路和移动装置。显示驱动器集成电路包括：种子生成块，被配置为生成种子；加密块，被配置为加密种子并生成第一加密文本；比较块，被配置为从应用处理器接收第二加密文本，比较第一加密文本和第二加密文本，并基于比较结果输出控制信号信号，其中，种子被加密在第二加密文本中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110828568A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910515825.X
申请日：2019-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提供了具有栅极隔离层的半导体器件。一种半导体器件包括：具有第一区和第二区的衬底；第一有源鳍，其在第一区中在第一方向上延伸；第二有源鳍，其在第二区中在第一方向上延伸；第一场绝缘层，其位于第一有源鳍之间，并且在第二方向上延伸；第二场绝缘层，其位于第二有源鳍之间，并且在第二方向上延伸；栅极线，其在第二场绝缘层上在第二方向上延伸，栅极线与第一场绝缘层一起直线地布置；栅极隔离层，其位于第一场绝缘层与栅极线之间；以及栅极间隔件，其在第二方向上延伸，栅极间隔件与第一场绝缘层、栅极线和栅极隔离层中的每一个的两个侧壁接触。
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公开(公告)号：CN102982759B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201210321663.4
申请日：2012-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种显示驱动器的操作方法，包括步骤：通过计数与从主机接收的同步数据包相关的同步信号的周期产生计数值；从所述主机接收模式改变命令，所述模式改变命令指示从视频模式到命令模式的改变，所述视频模式绕过帧存储器将第一图像数据传送到显示器，所述命令模式通过帧存储器将第二图像数据传送到显示器；以及，在产生所述同步信号的最后脉冲之后基于所述模式改变命令使用所述计数值产生内部同步信号，所述内部同步信号的周期与所述同步信号的周期实质上相等。所述最后脉冲与所述内部同步信号的第一脉冲之间的时间间隔等于所述同步信号的周期。
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公开(公告)号：CN101086788B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200710108571.7
申请日：2007-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06T15/00
CPC classification number: G06K9/32 , G06T7/97 , G06T2207/10012
Abstract: 为了立体匹配，从立体图像提取边缘图像。从映射到能够在预定大小窗口内出现的预定边缘形式的预定边罩中搜索与参考边缘像素相关的窗口的边缘形式匹配的边罩，所述预定大小窗口以边缘图像的参考边缘图像的边缘像素中的参考边缘像素为中心。在边缘图像的搜索边缘图像的边缘像素中，搜索位于窗口的中心的边缘像素，并且将搜索的边缘像素设置为映射到对参考边缘像素的相应点的相应边缘像素，所述窗口具有与搜索的边罩匹配的边缘形式。其中，在参考边缘图像的边缘像素中，参考边缘像素用于当前从搜索边缘图像搜索相应边缘像素。
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公开(公告)号：CN101577107A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910137133.2
申请日：2009-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G2310/0259 , G09G2310/027 , G09G2310/0289 , G09G2320/0276 , G09G2330/021
Abstract: 一种具有小布局面积和低功率消耗的源极驱动器，包括：信号产生块，依照根据振荡信号产生的数字码来产生多个脉冲宽度调制(PWM)信号和多个阶梯波形灰度电压信号；和通道驱动器。所述通道驱动器将锁存的视频数据划分为高位比特和低位比特，利用响应于所述低位比特而从所述多个PWM信号当中选择的一个PWM信号来产生多个切换信号，输出响应于所述高位比特而从所述多个阶梯波形灰度电压信号当中选择的一个阶梯波形灰度电压信号，以及响应于所述多个切换信号输出包含在所述一个阶梯波形灰度电压信号中的特定的灰度电压电平。
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公开(公告)号：CN101576754A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200810096794.0
申请日：2008-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05F1/46
Abstract: 提供了一种电荷泵电路及相关方法。该电荷泵电路包括第一、第二和第三电压产生单元、第一和第二控制单元、以及闩锁防止单元。该第一产生单元对第一输出信号进行稳压，第二产生单元对第二输出信号进行升压，以及第三产生单元响应于第一和第二输出信号而对第三输出信号进行升压。第一控制单元连接在第一产生单元与第三产生单元之间，第二控制单元连接在第二产生单元与第三产生单元之间。第一和第二控制单元在第二输出信号的升压时间期间阻断第一和第二产生单元的各个输出。在第三输出信号维持在第三电压之前，该闩锁防止单元防止由寄生晶体管引起的闩锁操作。
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