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公开(公告)号：CN111146196A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911059092.X
申请日：2019-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 都桢湖
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H01L29/10 , H01L29/78 , H03K19/20
Abstract: 提供了标准单元。所述标准单元可以包括：具有第一导电类型的第一垂直场效应晶体管(VFET)、具有第二导电类型的第二VFET以及具有所述第一导电类型的第三VFET。所述第一VFET可以包括第一沟道区域，所述第一沟道区域从衬底突出，并且所述第一沟道区域具有第一长度。所述第二VFET可以包括第二沟道区域，所述第二沟道区域从所述衬底突出，并且所述第二沟道区域具有第二长度。所述第三VFET可以包括从所述衬底突出的第三沟道区域。所述第一沟道区域、所述第二沟道区域和所述第三沟道区域可以彼此间隔开，并且可以沿着一个方向顺序地布置，所述第二长度可以大于所述第一长度的1.5倍。
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公开(公告)号：CN110610987A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910516722.5
申请日：2019-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 都桢湖
IPC: H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种单元架构。可以提供一种单元架构，其包括竖直场效应晶体管，竖直场效应晶体管具有：用作竖直沟道的至少两个鳍；栅极，其包括围绕第一鳍的第一栅极部分、围绕第二鳍的第二栅极部分、以及提供其间的连接的第三栅极部分；以及顶部源极/漏极，其包括第一鳍上的第一顶部源极/漏极部分和第二鳍上的第二顶部源极/漏极部分。单元架构还包括：栅极接触结构，其连接至第三栅极部分；顶部源极/漏极接触结构，其连接至第一顶部源极/漏极部分和第二顶部源极/漏极部分中的一个，并且用作水平导电布线层；以及金属图案，其位于栅极接触结构和顶部源极/漏极接触结构上，并且通过过孔连接至它们，并且用作竖直导电布线层。
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公开(公告)号：CN110504263A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910148266.3
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/02
Abstract: 一种集成电路，包括：布置在沿第一水平方向延伸的第一行中的第一单元，布置在与第一行相邻的第二行中的第二单元，以及连续地布置在第一行和第二行中的第三单元。第一单元和第二单元包括在第一水平方向上延伸的第一电力线的相应部分，第三单元包括在第一行中电连接到第一电力线并且在第一水平方向上延伸的第二电力线。
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公开(公告)号：CN109087914A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810609378.X
申请日：2018-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种集成电路及产生集成电路的布局的计算机实施方法，所述集成电路包含多个标准单元，各标准单元包含前段工艺(front-end-of-line，FEOL)区域和在FEOL区域上的后段工艺(back-end-of-line，BEOL)区域，FEOL区域包含在第一水平方向上延伸的至少一个栅极线。多个标准单元中的第一标准单元的BEOL区域包含在竖直方向上不与第一标准单元的FEOL区域交叠的檐部，檐部在垂直于第一水平方向的第二水平方向上突起。
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公开(公告)号：CN108695319A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810315561.9
申请日：2018-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/528 , H01L27/02
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/823475 , H01L21/823871 , H01L23/5226 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/11807 , H01L29/41775 , H01L29/45 , H01L29/78 , H01L2027/11875 , H01L23/5283
Abstract: 本发明提供一种集成电路，其包含：多个导电线，其在与栅极线分离的平面上在第一水平方向上延伸，且包含第一导电线和第二导电线；源极/漏极接触件，其具有连接到源极/漏极区域的底部表面，且包含在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件；以及栅极接触件，其具有连接到栅极线的底部表面且在竖直方向上延伸，其中上部源极/漏极接触件放置在第一导电线下方，且栅极接触件放置在第二导电线下方。下部源极/漏极接触件的顶部表面可以大于上部源极/漏极接触件的底部表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105489643A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510645551.8
申请日：2015-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种片上系统。所述片上系统(SoC)包括：第一栅极线、第二栅极线和第三栅极线，沿第一方向延伸；栅极隔离区域，切割第一栅极线、第二栅极线和第三栅极线，并且沿横跨第一方向的第二方向延伸；第一栅极接触件，形成在布置于第一栅极线和第三栅极线之间的第二栅极线上，并且电连接切割的第二栅极线；第二栅极接触件，形成在第一栅极线上；第三栅极接触件，形成在第三栅极线上；第一金属线，电连接第二栅极接触件和第三栅极接触件；以及第二金属线，电连接到第一栅极接触件。
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公开(公告)号：CN119028940A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410627088.3
申请日：2024-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/528 , H01L23/48
Abstract: 一种半导体器件包括：第一电力线，在衬底上沿第一方向延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；背面电力结构，在衬底的下表面上；标准单元，各自包括有源图案、与有源图案相交的栅图案、以及接触部；电力抽头单元，在至少一些标准单元之间，并且各自包括竖直电力过孔；以及第二电力线，将至少一些第一电力线彼此电连接。第二电力线的第一部分可以延伸到电力抽头单元上，并且第二电力线的与第一部分不同的第二部分可以延伸到标准单元上。电力抽头单元可以以锯齿形图案在第二方向上以标准单元的每三行或更多行布置。
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公开(公告)号：CN118471976A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410631262.1
申请日：2018-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 都桢湖
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供了包括沿多个行对齐的多个标准单元的集成电路以及制造所述集成电路的方法。所述集成电路包括：第一标准单元，在第一行上对齐，并且包括位于导电层中的第一导电图案，第一供电电压施加到第一导电图案；第二标准单元，在与第一行相邻的第二行上对齐，并且包括位于导电层中的第二导电图案，第一供电电压施加到第二导电图案。第一导电图案与第二导电图案之间的节距可以小于通过单图案化提供的节距。
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公开(公告)号：CN118471973A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410073532.1
申请日：2024-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 集成电路包括：电源轨，在第一方向上延伸，并且被配置为接收电源电压；栅极线，在电源轨下方，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；源极/漏极区域，在第一方向上与栅极线邻近，并且被配置为从电源轨接收电源电压；前侧配线层，在电源轨上方，连接到电源轨，并且被配置为将电源电压发送到电源轨；以及背侧配线层，在电源轨下方，连接到电源轨，并且被配置为将电源电压发送到电源轨。
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公开(公告)号：CN117594590A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310997254.4
申请日：2023-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种集成电路和设计集成电路的方法。集成电路包括：第一单元，其设置在彼此相邻并且在第一方向上延伸的第一行和第二行中，并且包括多个第一阈值电压装置；以及至少一个第二单元，其设置在第一行和第二行中的至少一行中与第一单元相邻，并且包括至少一个第二阈值电压装置，其中，所述多个第一阈值电压装置包括至少一个第一装置和至少一个第二装置，第一装置被配置为在第一行中执行第一功能，第二装置被配置为在第二行中执行与第一功能不同的第二功能。
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