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公开(公告)号:CN110534140A
公开(公告)日:2019-12-03
申请号:CN201910339068.5
申请日:2019-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 公开了一种存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括:驱动器,驱动与外部装置连接的数据线;内部ZQ管理器,产生内部ZQ开始信号;选择器,基于ZQ模式选择内部ZQ开始信号和来自外部装置的ZQ开始命令中的一个;ZQ校准引擎,通过响应于选择器的选择结果执行ZQ校准来产生ZQ码;以及ZQ码寄存器,响应于来自外部装置的ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动器上。
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公开(公告)号:CN110310681A
公开(公告)日:2019-10-08
申请号:CN201910202222.4
申请日:2019-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种存储装置、一种操作存储装置的方法、一种存储控制器和一种操作存储控制器的方法。操作布置在多区块存储设备的不同区块中并共享信号线的存储装置的方法包括:在多区块存储设备中包括的所有存储装置中,接收信号线的片内终结(ODT)状态信息。所述方法还包括:在多区块存储设备中的每个存储装置中,将信号线的ODT状态信息存储在模式寄存器中。所述方法还包括:在多区块存储设备的每个存储装置中,基于存储在模式寄存器中的信号线的ODT状态信息产生控制信号。所述方法还包括:在多区块存储设备的每个存储装置中,响应于控制信号而改变信号线的ODT设置。
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公开(公告)号:CN110060970A
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201811502453.9
申请日:2018-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , G11C5/06
Abstract: 一种半导体存储器包括:布置在第一方向上的多个第一焊盘;多个第二焊盘,平行于所述多个第一焊盘且在第一方向上布置;多个第三焊盘,布置在垂直于第一方向的第二方向上;以及多个第四焊盘,布置在第二方向上。半导体存储器还包括在第二方向上从所述多个第一焊盘延伸的第一互连线以及在与第二方向相反的方向上从所述多个第二焊盘延伸的第二互连线,第一互连线连接到所述多个第三焊盘,第二互连线连接到所述多个第四焊盘。
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公开(公告)号:CN108231102A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201711384985.2
申请日:2017-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G11C11/4023 , G11C7/1012 , G11C7/1087 , G11C7/1093 , G11C7/222 , G11C11/2293 , G11C11/4093 , G11C7/1051 , G11C7/106 , G11C7/1078
Abstract: 一种半导体存储器装置的数据对齐电路及其对齐数据的方法。数据对齐电路包括:数据采样电路,被配置成接收数据序列及内部数据选通信号,其中所述数据采样电路基于所述内部数据选通信号对所述数据序列进行采样以产生第一数据序列及第二数据序列;分频电路,被配置成接收时钟信号及所述内部数据选通信号,对所述时钟信号进行分频以生成经分频时钟信号并通过基于所述内部数据选通信号对所述经分频时钟信号进行采样来输出对齐控制信号;以及数据对齐区块,被配置成接收所述第一数据序列及所述第二数据序列、以及所述对齐控制信号,并将所述第一数据序列及所述第二数据序列并行地对齐以输出内部数据。
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