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公开(公告)号：CN109585559B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN201811138537.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供半导体装置。一种半导体装置包括衬底及在所述衬底上的栅极结构。所述半导体装置包括在所述衬底上的沟道。所述半导体装置包括在所述沟道上的源极/漏极层。此外，所述半导体装置包括在所述栅极结构的侧壁上的间隔件。所述间隔件包括在垂直方向上与所述沟道交叠的中心部分以及从所述中心部分突出的突出部分。本公开的半导体装置可具有良好的电特性。
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公开(公告)号：CN110931430B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201910534783.4
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/092
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括：第一布线图案，在衬底上沿第一方向延伸；以及第二布线图案，在所述第一布线图案上。第二布线图案可以与第一布线图案间隔开并沿第一方向延伸。半导体器件还可以包括：第一栅极结构，至少部分地围绕所述第一布线图案和所述第二布线图案；第二栅极结构，沿第一方向与所述第一栅极结构间隔开；第一源/漏区，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；第一间隔部，在所述第一源/漏区的底表面和所述衬底之间；第一源/漏接触，在所述第一源/漏区上；以及第二间隔部，在所述第一源/漏接触和所述第一栅极结构之间。
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公开(公告)号：CN118693082A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410177201.2
申请日：2024-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；鳍型有源区，在衬底上突出；沟道区，在鳍型有源区上并且包括沿第一水平方向延伸的多个有源图案以及半导体材料层；栅极线，沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸，并且在鳍型有源区上覆盖沟道区；以及一对源/漏区，在鳍型有源区上且在栅极线的两侧，其中，半导体材料层的功函数不同于多个有源图案的功函数，半导体材料层围绕栅极线的在多个有源图案之间的部分，并且栅极线与一对源/漏区分离，半导体材料层在栅极线与一对源/漏区之间。
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公开(公告)号：CN118693081A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410062843.8
申请日：2024-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：鳍型有源区域，在基底上沿第一横向方向延伸；器件隔离膜，覆盖鳍型有源区域的侧壁；栅极线，在鳍型有源区域和器件隔离膜上；纳米片堆叠件，在鳍型有源区域中的每个的鳍顶表面上，每个纳米片堆叠件包括至少一个纳米片并被栅极线围绕；栅极切割绝缘部分，在器件隔离膜上并在第二横向方向上面对栅极线的端侧壁；以及角绝缘间隔件，在纳米片堆叠件中的第一纳米片堆叠件与栅极切割绝缘部分之间并且在器件隔离膜与栅极线之间，第一纳米片堆叠件在第二横向方向上最接近栅极切割绝缘部分。
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公开(公告)号：CN109904156B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201811444764.4
申请日：2018-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：位于衬底上的第一沟道图案和第二沟道图案、分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案接触的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案、以及分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案交叠的第一栅极电极和第二栅极电极。所述第一栅极电极可以包括位于所述第一沟道图案的所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间的第一段。所述第一段可以包括朝向所述第一源极/漏极图案突出的第一凸出部分。所述第二栅极电极可以包括位于所述第二沟道图案的所述第三半导体图案与所述第四半导体图案之间的第二段。所述第二段可以包括朝向所述第二段的中心凹陷的凹入部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108206180B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201711337430.2
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括第一区中的第一晶体管和第二区中的第二晶体管。第一晶体管包括：第一纳米线、第一栅电极、第一栅极电介质层、第一源极/漏极区和内绝缘间隔物。第一纳米线具有第一沟道区。第一栅电极围绕第一纳米线。第一栅极电介质层在第一纳米线与第一栅电极之间。第一源极/漏极区连接到第一纳米线的边缘。内绝缘间隔物在第一栅极电介质层与第一源极/漏极区之间。第二晶体管包括第二纳米线、第二栅电极、第二栅极电介质层和第二源极/漏极区。第二纳米线具有第二沟道区。第二栅电极围绕第二纳米线。第二栅极电介质层在第二纳米线与第二栅电极之间。第二源极/漏极区连接到第二纳米线的边缘。
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公开(公告)号：CN116666384A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310161418.X
申请日：2023-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置可包括：第一沟道图案和第二沟道图案，它们分别设置在第一有源图案和第二有源图案上，并分别包括第一半导体图案和第二半导体图案；以及栅电极，其与第一沟道图案和第二沟道图案交叉并在第一方向上延伸。栅电极可包括第一外栅电极和第二外栅电极，它们分别设置在第一半导体图案和第二半导体图案中的最上面的半导体图案上，并且它们中的每一个包括按次序堆叠的第一金属图案、比第一金属图案薄的第二金属图案、以及填充金属图案。还可在第一金属图案和第一半导体图案之间设置第三金属图案。第三金属图案和第二金属图案可分别包括p型功函数金属和n型功函数金属。第二外栅电极的第一金属图案和第二金属图案可具有共面的最顶上的表面。
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公开(公告)号：CN108573925B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201810192341.1
申请日：2018-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。形成包括一个或多个牺牲层和堆叠在衬底上的一个或多个半导体层的堆叠结构。在所述堆叠结构上形成包括虚设栅极和虚设间隔件的虚设栅极结构。使用虚设栅极结构蚀刻堆叠结构以形成第一凹部。蚀刻一个或多个牺牲层。去除虚设间隔件。间隔件膜形成在所述虚设栅极、所述一个或多个半导体层和所述一个或多个牺牲层上。使用虚设栅极和间隔件膜来蚀刻半导体层和间隔件膜以形成第二凹部。形成形成在虚设栅极上的外部间隔件和形成在一个或多个牺牲层上的内部间隔件。在所述第二凹部中形成源极/漏极区。
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公开(公告)号：CN114068529A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110492684.1
申请日：2021-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一源/漏结构，当在平面截面图中观察时，在水平方向上具有第一长度，水平方向与竖直方向垂直；第二源/漏结构，当在平面截面图中观察时，在水平方向上具有第二长度，第二长度小于第一长度；边界沟道，在第一源/漏结构和第二源/漏结构之间延伸，边界沟道在竖直方向上彼此间隔开；至少一个牺牲图案，在边界沟道中的相邻的边界沟道之间；以及沟槽，穿透边界沟道和至少一个牺牲图案。
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公开(公告)号：CN113193045A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202011549549.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，位于衬底上，并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上纵长地延伸；栅极结构，位于所述有源图案上，所述栅极结构在与所述衬底的所述上表面平行且与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；沟道，沿着与所述衬底的所述上表面垂直的第三方向彼此间隔开，每个所述沟道沿着所述第一方向延伸穿过所述栅极结构；源极/漏极层，位于所述有源图案的在所述第一方向上与所述栅极结构相邻的部分上，所述源极/漏极层接触所述沟道；内部间隔物，位于所述栅极结构与所述源极/漏极层之间，所述内部间隔物接触所述源极/漏极层；以及沟道连接部分，位于每个所述内部间隔物与所述栅极结构之间，所述沟道连接部分将所述沟道彼此连接。
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