公开(公告)号：CN118825025A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410072022.2

申请日：2024-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 庾烋旻 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  金钟守 ,  朴范琎 ,  孙炳禧

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；沟道图案，所述沟道图案位于所述有源图案上，所述沟道图案包括被堆叠为彼此间隔开的多个半导体图案；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案连接到所述多个半导体图案；栅电极，所述栅电极位于所述多个半导体图案上；和阻挡层，所述阻挡层位于所述源极/漏极图案和所述有源图案之间，其中，所述源极/漏极图案包括朝向所述半导体图案突出的突出侧表面，所述阻挡层包括硅锗(SiGe)，并且所述阻挡层的锗浓度高于所述源极/漏极图案的锗浓度。

公开(公告)号：CN118693084A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410242089.6

申请日：2024-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟守 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  朴范璡 ,  宋寅铉 ,  庾烋旻 ,  全宥振

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/02

Abstract: 一种集成电路装置包括：第一纳米片堆叠件，包括布置在沿第一水平方向延伸的鳍型有源区域上的多个纳米片；栅极线，在鳍型有源区域上沿第二水平方向延伸；垂直结构，接触所述多个纳米片中的每个；以及第一栅极介电层，设置在栅极线与所述多个纳米片之间以及栅极线与垂直结构之间，其中，第一栅极线包括设置在所述多个纳米片中的每个下方的第一子栅极部分，第一栅极介电层包括：设置在栅极线与所述多个纳米片之间的第一部分、以及设置在第一子栅极部分与垂直结构之间的第二部分，并且第二部分在第二水平方向上的厚度大于第一部分在垂直方向上的厚度。

公开(公告)号：CN119069512A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410654551.3

申请日：2024-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 庾烋旻 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  金钟守 ,  卢昶佑 ,  朴范琎 ,  郑秀真 ,  崔佑硕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：设置在基板上的有源图案；在有源图案上的源极/漏极图案；沟道图案，配置为电连接源极/漏极图案并包括在垂直于基板的上表面的第一方向上彼此间隔开的堆叠的半导体图案；栅极图案，配置为在沟道图案上在平行于基板的上表面的第二方向上在源极/漏极图案之间并具有主栅极部分和子栅极部分；以及在子栅极部分和源极/漏极图案之间的内栅极间隔物。相邻源极/漏极图案之间沿着子栅极部分中的给定一个的在第二方向上的第一距离大于所述相邻源极/漏极图案之间穿过半导体图案的在第二方向上的第二距离。

公开(公告)号：CN102807863A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210181839.0

申请日：2012-06-04

Applicant: 三星电子株式会社 ,  釜庆大学校产学协力团

Inventor： 申明洲 ,  白昇桓 ,  李荣培 ,  金泳植 ,  南锡铉 ,  杨秉春 ,  金钟守 ,  朴光元 ,  朴允亨 ,  刘知帅 ,  林亨锡

IPC: C09K11/74 ,  C09K11/64 ,  C09K11/62 ,  C09K11/71 ,  C09K11/59 ,  C09K11/60 ,  C09K11/66 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7721 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/7792 ,  H01L33/502 ,  Y02B20/181

Abstract: 提供了一种硅酸盐磷光体组合物及其制造方法和一种发光装置。所述硅酸盐磷光体组合物具有γ相正交晶体结构，并且所述硅酸盐磷光体的空间群为Pbnm 62，并且所述硅酸盐磷光体的组合物的用下面的化学式表示：Ca2-x-y-zMxSiO4:yCe3+，zN(0≤x＜0.5，0＜y≤0.1，0≤z＜0.15)，在上述式子中，M表示从由Mg、Sr、Ba、Zn、Na、Al、Ga、Ge、P、As和Fe组成的组中选择的至少一员，N表示从由Eu2+、Mn2+、Tb3+、Yb2+和Tm3+组成的组中选择的至少一员。所述硅酸盐磷光体针对与蓝色激发光的主要部分对应的大约450nm至大约475nm的波长具有最大吸光度，并且在高温下具有很好的稳定性。这种硅酸盐磷光体可以与蓝色光源结合使用，以产生白光。

公开(公告)号：CN119300461A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202410835867.2

申请日：2024-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴范琎 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  金永权 ,  金钟守 ,  庾烋旻 ,  郑秀真

IPC: H10D84/85 ,  H10D64/27 ,  H10D84/03

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种示例半导体器件包括：基板，包括有源图案；沟道图案，包括半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；内栅电极，在两个相邻的半导体图案之间；内栅极电介质层；以及内高k电介质层，在内栅电极和内栅极电介质层之间。内栅极电介质层包括上电介质层、下电介质层和内间隔物。内间隔物的第一厚度大于上电介质层或下电介质层的第二厚度。第一厚度大于内高k电介质层的第三厚度。

公开(公告)号：CN118693085A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410297456.2

申请日：2024-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙炳禧 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  金钟守 ,  卢昶佑 ,  朴范琎

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 半导体装置包括：有源区域，在第一水平方向上延伸；纳米片堆叠件，与有源区域分开；多个栅极结构，在第二水平方向上延伸并且包括多个栅电极；多个源极/漏极区域，布置在所述多个栅极结构的侧壁上；以及器件隔离层，在垂直方向上延伸，其中，所述多个栅极结构包括第一栅极结构和第二栅极结构，在第一栅极结构中，源极/漏极区域布置在一个侧壁上并且器件隔离层布置在另一侧壁上，在第二栅极结构中，源极/漏极区域布置在两个侧壁上，其中，第一栅极结构的所述多个栅电极包括多个子栅电极和位于最上端的主栅电极，并且内部间隔件在器件隔离层与所述多个子栅电极之间。

公开(公告)号：CN118693082A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410177201.2

申请日：2024-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋寅铉 ,  梁正吉 ,  李商文 ,  姜明吉 ,  金钟守 ,  朴范琎

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；鳍型有源区，在衬底上突出；沟道区，在鳍型有源区上并且包括沿第一水平方向延伸的多个有源图案以及半导体材料层；栅极线，沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸，并且在鳍型有源区上覆盖沟道区；以及一对源/漏区，在鳍型有源区上且在栅极线的两侧，其中，半导体材料层的功函数不同于多个有源图案的功函数，半导体材料层围绕栅极线的在多个有源图案之间的部分，并且栅极线与一对源/漏区分离，半导体材料层在栅极线与一对源/漏区之间。