公开(公告)号：CN118693084A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410242089.6

申请日：2024-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟守 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  朴范璡 ,  宋寅铉 ,  庾烋旻 ,  全宥振

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/02

Abstract: 一种集成电路装置包括：第一纳米片堆叠件，包括布置在沿第一水平方向延伸的鳍型有源区域上的多个纳米片；栅极线，在鳍型有源区域上沿第二水平方向延伸；垂直结构，接触所述多个纳米片中的每个；以及第一栅极介电层，设置在栅极线与所述多个纳米片之间以及栅极线与垂直结构之间，其中，第一栅极线包括设置在所述多个纳米片中的每个下方的第一子栅极部分，第一栅极介电层包括：设置在栅极线与所述多个纳米片之间的第一部分、以及设置在第一子栅极部分与垂直结构之间的第二部分，并且第二部分在第二水平方向上的厚度大于第一部分在垂直方向上的厚度。

公开(公告)号：CN119153466A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410559158.6

申请日：2024-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴范璡 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  卢昶佑 ,  全宥振

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体装置。示例的半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一桥接图案，在第一区域上在第一方向上延伸；第一栅极结构，在与第一方向相交的第二方向上延伸；第一外延图案，在第一栅极结构的侧表面上连接到第一桥接图案；第一内间隔件，置于基底与第一桥接图案之间和第一栅极结构与第一外延图案之间；第二桥接图案，在第二区域上在第一方向上延伸；第二栅极结构，在第二方向上延伸；第二外延图案，在第二栅极结构的侧表面上连接到第二桥接图案；以及第二内间隔件，置于基底与第二桥接图案之间和第二栅极结构与第二外延图案之间。