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公开(公告)号：CN101339954A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810110123.5
申请日：2008-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 示例实施例涉及一种包含氧化锌(ZnO)的氧化物半导体、一种包括由该氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管以及一种制造该薄膜晶体管的方法。该氧化物半导体可包括：GaxInyZnz氧化物；至少一种材料，从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择。
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公开(公告)号：CN101257048A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080659.7
申请日：2008-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜东勋 , 斯蒂法诺维奇·金里克 , 宋利宪 , 朴永洙 , 金昌桢
IPC: H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管可以包括栅极；沟道层；源极和漏极，该源极和漏极由金属形成；以及金属氧化物层，该金属氧化物层在该沟道层与该源极和该漏极之间形成。该金属氧化物层可以在该沟道层与该源极和该漏极之间具有渐变的金属含量。
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公开(公告)号：CN1232985C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03101683.9
申请日：2003-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/18 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种磁性随机存取存储器(RAM)及其读写数据的方法，其利用了热磁自发霍尔效应。磁性RAM包括MOS晶体管、存储层、加热部件和写入线。存储层连接MOS晶体管的源极并将数据写入其中。加热部件加热存储层。写入线向存储层施加磁场以改变被加热的存储层的磁化状态。磁性RAM可增加高度集成导致的矫顽力并提高单元的热稳定性。磁性RAM因小的单元电阻而可在极快的速度下运行。此外，因磁性RAM可通过现有半导体制造工艺简单制造，所以降低了制造成本。再者，因磁性RAM利用了自发霍尔电压随存储层的磁化状态而极大不同的现象来读写数据，所以其提供了大的数据感测范围。
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公开(公告)号：CN1551358A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410043078.8
申请日：2004-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F41/307 , H01L27/228
Abstract: 提供一种包含由不同的方法形成的中间氧化层的磁性随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。MRAM包含由一下磁性层，一防氧化层，一隧穿氧化层，及一上磁性层形成的一磁性隧道结(MTJ)。隧穿氧化层由原子层淀积(ALD)法形成，其它材料层，尤其是防氧化层由与原子层淀积法不同的方法形成。
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公开(公告)号：CN1426065A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02128682.5
申请日：2002-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15 , H01L27/105
Abstract: 本发明公开了一种磁随机存取存储器及其制造方法。该利用磁畴阻滞的磁随机存取存储器包括：数据存储单元，该单元包括固定层、非磁性层和自由层；数据输入单元，该单元与该自由层的两端电连接，用于将电流施加到该自由层上，以将数据输入至数据存储单元内；以及数据输出单元，该单元与自由层和固定层电连接，以将存储在数据存储单元中的数据输出。因此，该磁随机存取存储器具有比使用反转磁场来记录数据的存储器更优秀的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103914177B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201310743625.2
申请日：2013-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F3/0412 , G06F3/042 , G06F3/0421 , G06F3/044 , H01L27/14678 , H03K17/962 , H03K2017/9606
Abstract: 本发明涉及混合感测触摸屏装置及驱动其的方法。触摸屏装置包括：像素行，其中排列了用于显示图像的像素；用于感测物理触摸的触摸感测单元和用于感测入射光的光感测单元，所述触摸感测单元和所述光感测单元排列在两个邻近像素行之间；第一感测器栅极线，连接至所述光感测单元和所述触摸感测单元两者，用于提供激活所述光感测单元和重置所述触摸感测单元的栅极信号；第二感测器栅极线，连接至所述光感测单元和所述触摸感测单元两者，用于提供激活所述光感测单元和重置所述触摸感测单元的栅极信号；和重置电路，被配置为在像素的激活状态下提供公共电压给所述像素以及在所述光感测单元或者所述触摸感测单元的激活状态下不提供公共电压给所述像素。
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公开(公告)号：CN102759400B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201210115204.0
申请日：2012-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01J1/44
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/1446 , H01L27/14603 , H01L27/14623
Abstract: 根据示例实施例，一种光感测装置可以包括光感测像素的阵列、第一栅极驱动器和信号输出单元。每一个光感测像素可以包括被配置为感测光的光传感器晶体管、被配置为输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管、以及在开关晶体管的光入射表面上的导电遮光膜。所述光传感器晶体管和开关晶体管可以具有相同的氧化物半导体晶体管结构。第一栅极驱动器可以被配置为向每一个光感测像素提供栅极电压和负偏置电压。所述信号输出单元可以被配置为从每一个光感测像素接收光感测信号并输出数据信号。
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公开(公告)号：CN102997993B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210186006.3
申请日：2012-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/14609 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , G06F2203/04103
Abstract: 一种光感测装置、驱动光感测装置的方法以及包含光感测装置的光学触摸屏装置，其中，光感测像素中的光传感器晶体管由光敏氧化物半导体晶体管形成。光感测装置包括：光感测像素阵列，具有按照行和列排列的多个光感测像素；以及多条栅极线，按照行方向排列并且分别向光感测像素提供栅极电压，其中，光感测像素的每一个包括用于感测光的光传感器晶体管以及用于输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管。栅极线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的开关晶体管的栅极，且复位线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的光传感器晶体管的栅极。复位线经由相位反转器被连接到栅极线。因而，当栅极电压被施加于栅极线时，具有与栅极电压反转相位的复位信号可以被施加于复位线。
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公开(公告)号：CN103699256A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310168079.4
申请日：2013-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/041 , G02F1/1333 , G02F1/133
CPC classification number: G06F3/0421 , G06F3/0412 , G06F3/042 , G06F3/044 , G06F2203/04106
Abstract: 一种触摸面板包括感测单元和显示单元。该感测单元包括：第一子感测单元，其响应于第一栅极线的激活而将与第一触摸变化对应的感测电流输出到感测线，并且响应于第一栅极线的去激活和第二栅极线的激活而被重置；以及第二子感测单元，其响应于第三栅极线的激活而将与不同于第一触摸变化的第二触摸变化对应的感测电流输出到感测线，并且响应于第三栅极线的去激活和第四栅极线的激活而被重置。该显示单元响应于第一到第四栅极线当中对应栅极线的激活而产生与要显示的图像数据对应的图像电压。根据向其施加图像电压或公共电压的第一电极和第二电极之间的电压差来驱动触摸面板的液晶。
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公开(公告)号：CN101335301B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200810088615.9
申请日：2008-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。
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