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公开(公告)号：CN110136764B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN201910057925.2
申请日：2019-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置及其读取方法。所述非易失性存储器装置包括：页缓冲器，被配置为对构成多个位页中的一个位页的多个页数据进行锁存，控制逻辑，被配置为比较响应于高优先级读取信号集而执行的多个读取操作的结果，以选择包括在高优先级读取信号集中的多个读取信号中的一个作为高优先级读取信号，并确定与高优先级读取信号对应的低优先级读取信号，其中，高优先级读取信号集是用于读取高优先级页数据，低优先级读取信号是用于读取低优先级页数据。
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公开(公告)号：CN111858134B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202010326380.3
申请日：2020-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 公开存储器控制器、存储器系统以及操作存储器控制器的方法。所述用于控制存储器装置的存储器操作的存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为：检测从存储器装置读取的第一读取数据的错误并纠正所述错误；错误类型检测逻辑，被配置为：将第一写入数据写入存储器装置，将第二读取数据与第一写入数据进行比较，基于比较的结果检测第二读取数据的错误位，并输出关于通过错误位而识别的错误类型的信息；以及数据图案化逻辑，被配置为：基于关于错误类型的信息改变输入数据的位图案，以减少第二读取数据的错误。
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公开(公告)号：CN118136076A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311418213.1
申请日：2023-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置和一种非易失性存储器装置。该存储装置包括：至少一个非易失性存储器，该非易失性存储器包括多个块，多个块中的每个块包括多个独立可擦除的子块。该存储装置还包括：存储控制器，该存储控制器被配置为根据非易失性存储器的操作调度和功耗中的至少一个从多个擦除模式中选择擦除模式，并根据选择的擦除模式控制非易失性存储器的擦除操作。基于选择的擦除模式是第一子块擦除模式，存储控制器控制针对选择的块的一个选择的子块的擦除操作。基于选择的擦除模式是第二子块擦除模式，存储控制器控制针对选择的块的两个或更多个选择的子块的擦除操作。
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公开(公告)号：CN111199768B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201910489712.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储器控制器、存储器系统以及存储器系统的纠错方法。所述存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为：校正从存储器装置提供的读取码字的错误，其中，ECC电路包括：码字组合生成器，被配置为：接收从存储器装置的第一区域读取的包括多个第一读取码字比特值的第一读取码字，通过改变所述多个第一读取码字比特值中的一个或多个的值来生成改变码字，并且提供包括改变码字的码字组合；以及ECC解码器，包括多个ECC引擎，其中，ECC解码器被配置为并行地对包括在码字组合中的多个码字执行ECC解码。
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公开(公告)号：CN109036488B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810230803.4
申请日：2018-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种存储器控制器、一种操作该存储器控制器的方法以及一种存储器系统。该操作存储器控制器的方法包括：基于与处于擦除状态的多个存储单元有关的擦除状态信息，将处于擦除状态的多个存储单元分类成多个组；为多个组中的至少一个组中包括的存储单元中的至少一些存储单元设置至少一种目标编程状态；以及将已经设置了至少一种目标编程状态的至少一些存储单元编程为多种编程状态中除了目标编程状态之外的编程状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116322054A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210985874.1
申请日：2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置和存储装置。所述非易失性存储装置，包括存储单元阵列和控制电路。存储器单元阵列包括多条字线、设置在多个沟道孔中的多个存储器单元以及在第一水平方向上延伸并将字线划成多个存储器块的字线切割区域。结合到多条字线中的每条的多个目标存储器单元基于所述多个存储器单元中的每个的位置索引被分组成外单元和内单元。控制电路控制对结合到所述多条字线中的目标字线的目标存储器单元的编程操作，使得每个外单元存储第一数量的位，并且每个内单元存储第二数量的位。第二数量是大于第一数量的自然数。
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公开(公告)号：CN116261334A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211576186.6
申请日：2022-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：多个栅电极层，在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠；多个沟道结构，穿透多个栅电极层，并沿第一方向延伸；多个第一隔离结构，沿平行于衬底的上表面的第二方向延伸，并将多个栅电极层划分为多个块；以及多个第二隔离结构，在多个块中的每一个内沿第二方向延伸。多个第一隔离结构中的每一个可以仅包括第一竖直绝缘层，并且多个第二隔离结构中的至少一个可以包括第二竖直绝缘层和导电层。
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公开(公告)号：CN116156888A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211141107.9
申请日：2022-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置、包括非易失性存储器装置的存储装置及其制造方法。所述非易性存储器装置包括：第一基底，包括包含从三维(3D)存储器单元阵列的多条字线之中选择一条字线的行解码器的第一外围电路区域；以及第二基底，包括第二外围电路区域和单元区域，第二外围电路区域包括从3D存储器单元阵列的多条位线之中选择至少一条位线的页缓冲器单元，单元区域包括形成在第二外围电路区域中的3D存储器单元阵列。3D存储器单元阵列通过将第二基底竖直堆叠在第一基底上并将第二基底接合到第一基底而设置在第一外围电路区域与第二外围电路区域之间。
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公开(公告)号：CN116110473A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211375832.2
申请日：2022-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种存储器装置、存储器系统和操作存储器系统的方法。所述操作存储器系统的方法包括：在存储器装置中，将存储在页缓冲器电路中的K个逻辑页编程到存储器单元阵列中；在经过第一延迟时间之后，从存储器装置将编程到存储器单元阵列中的K个逻辑页读取到页缓冲器电路中；在存储器控制器中，将N‑K个逻辑页发送到存储器装置；以及在存储器装置中，基于读取的K个逻辑页和N‑K个逻辑页，将N个逻辑页编程到存储器单元阵列中，其中，K是正整数，并且N是大于K的正整数。
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公开(公告)号：CN115620785A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210807153.1
申请日：2022-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 一种非易失性存储(NVM)器件包括多个存储块和接收特定命令和地址的控制逻辑。控制逻辑可以响应于地址对与多个存储块中的所选择的块的字线之一连接的存储单元执行基于单元计数的动态读取(CDR)操作。控制逻辑包括单元计数比较电路，其被配置为：(1)根据CDR操作将多个状态中的最高编程状态的第一单元计数值与至少一个参考值进行比较，以及(2)将多个状态中的擦除状态的第二单元计数值与该至少一个参考值进行比较。另外，控制逻辑包括读取电平选择器，其被配置为根据单元计数比较电路的比较结果来选择读取电平偏移。
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