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公开(公告)号：CN119149289A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411260699.5
申请日：2020-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 公开存储器系统和控制存储器装置的方法。所述方法包括：从存储器装置读取第一读取数据；纠正第一读取数据中已经发生错误的第一存储器区域的位，并且将没有发生错误的第二存储器区域的位反相；识别第一存储器区域中的第一错误类型和第二存储器区域中的第二错误类型，第二错误类型与第一错误类型不同；并且基于第一错误类型和第二错误类型中的至少一个，将具有最小错误的第二写入数据写入存储器装置。
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公开(公告)号：CN107844265B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201710822187.7
申请日：2017-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06 , G06F12/0871 , G06F12/1009
Abstract: 提供了一种操作存储器控制器的方法和操作包括存储器控制器的计算系统的方法。根据本发明构思的示例实施例的操作存储器控制器的方法包括：通过存储器控制器按顺序地从主机接收每一个均具有第一尺寸的第一数据段；通过存储器控制器在缓冲器中按顺序地存储第一数据段，直到存储在存储器控制器中所包括的缓冲器中的数据当中的被改变的数据的尺寸总和为第二尺寸；以及通过存储器控制器将具有第二尺寸的被改变的数据编写在非易失性存储器的存储器空间中，作为第二数据段。
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公开(公告)号：CN107844265A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710822187.7
申请日：2017-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06 , G06F12/0871 , G06F12/1009
CPC classification number: G06F3/0644 , G06F3/0613 , G06F3/0616 , G06F3/0647 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06F3/0658 , G06F12/0871 , G06F12/1009
Abstract: 提供了一种操作存储器控制器的方法和操作包括存储器控制器的计算系统的方法。根据本发明构思的示例实施例的操作存储器控制器的方法包括：通过存储器控制器按顺序地从主机接收每一个均具有第一尺寸的第一数据段；通过存储器控制器在缓冲器中按顺序地存储第一数据段，直到存储在存储器控制器中所包括的缓冲器中的数据当中的被改变的数据的尺寸总和为第二尺寸；以及通过存储器控制器将具有第二尺寸的被改变的数据编写在非易失性存储器的存储器空间中，作为第二数据段。
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公开(公告)号：CN111796764B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201911375068.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开涉及存储器设备及其操作方法。一种包括第一存储器区域和第二存储器区域的存储器设备的操作方法，包括：从第一存储器区域读取第一数据并将读取的第一数据存储在数据缓冲器块中，对从数据缓冲器块提供的第一数据和从第二存储器区域读取的第二数据执行第一XOR运算以生成第一结果数据，将存储在数据缓冲器块中的第一数据写入第二存储器区域，对第一数据和第一结果数据执行第二XOR运算以生成第二数据，将生成的第二数据存储在数据缓冲器块中，以及将存储在数据缓冲器块中的第二数据写入第一存储器区域。
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公开(公告)号：CN110580926B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN201910423205.3
申请日：2019-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件的误码率均衡方法。当将包括信息数据和所述信息数据的奇偶校验位的码字写入存储器单元阵列时，所述存储器件根据存储器单元的电阻分布特性选择性地执行纠错码(ECC)交织操作。在根据一个示例的ECC交织操作中，包括信息数据的ECC扇区被划分为第一ECC子扇区和第二ECC子扇区，所述第一ECC子扇区被写入具有高误码率(BER)的第一存储区域的存储器单元，并且第二ECC子扇区被写入具有低BER的第二存储区域的存储器单元。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111198657B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN201911104897.1
申请日：2019-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供存储器控制器、操作存储器控制器的方法和存储器系统。所述存储器系统包括：存储器装置，包括构成多个子集的多个存储器单元；以及存储器控制器，用于控制存储器装置。存储器控制器控制存储器装置，以管理指示由存储器装置针对所述多个子集中的每个子集执行的读取操作的数量的读取计数，并且基于与所述多个子集之中的子集对应的读取计数对所述子集执行恢复操作。所述多个子集中的每个子集包括多个页。所述多个页中的每个页是在所述多个存储器单元中执行读取操作的单位。
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公开(公告)号：CN111858134A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010326380.3
申请日：2020-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 公开存储器控制器、存储器系统以及操作存储器控制器的方法。所述用于控制存储器装置的存储器操作的存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为：检测从存储器装置读取的第一读取数据的错误并纠正所述错误；错误类型检测逻辑，被配置为：将第一写入数据写入存储器装置，将第二读取数据与第一写入数据进行比较，基于比较的结果检测第二读取数据的错误位，并输出关于通过错误位而识别的错误类型的信息；以及数据图案化逻辑，被配置为：基于关于错误类型的信息改变输入数据的位图案，以减少第二读取数据的错误。
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公开(公告)号：CN111198657A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911104897.1
申请日：2019-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供存储器控制器、操作存储器控制器的方法和存储器系统。所述存储器系统包括：存储器装置，包括构成多个子集的多个存储器单元；以及存储器控制器，用于控制存储器装置。存储器控制器控制存储器装置，以管理指示由存储器装置针对所述多个子集中的每个子集执行的读取操作的数量的读取计数，并且基于与所述多个子集之中的子集对应的读取计数对所述子集执行恢复操作。所述多个子集中的每个子集包括多个页。所述多个页中的每个页是在所述多个存储器单元中执行读取操作的单位。
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