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公开(公告)号：CN119149289A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411260699.5
申请日：2020-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 公开存储器系统和控制存储器装置的方法。所述方法包括：从存储器装置读取第一读取数据；纠正第一读取数据中已经发生错误的第一存储器区域的位，并且将没有发生错误的第二存储器区域的位反相；识别第一存储器区域中的第一错误类型和第二存储器区域中的第二错误类型，第二错误类型与第一错误类型不同；并且基于第一错误类型和第二错误类型中的至少一个，将具有最小错误的第二写入数据写入存储器装置。
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公开(公告)号：CN111796764B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201911375068.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开涉及存储器设备及其操作方法。一种包括第一存储器区域和第二存储器区域的存储器设备的操作方法，包括：从第一存储器区域读取第一数据并将读取的第一数据存储在数据缓冲器块中，对从数据缓冲器块提供的第一数据和从第二存储器区域读取的第二数据执行第一XOR运算以生成第一结果数据，将存储在数据缓冲器块中的第一数据写入第二存储器区域，对第一数据和第一结果数据执行第二XOR运算以生成第二数据，将生成的第二数据存储在数据缓冲器块中，以及将存储在数据缓冲器块中的第二数据写入第一存储器区域。
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公开(公告)号：CN111858134A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010326380.3
申请日：2020-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 公开存储器控制器、存储器系统以及操作存储器控制器的方法。所述用于控制存储器装置的存储器操作的存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为：检测从存储器装置读取的第一读取数据的错误并纠正所述错误；错误类型检测逻辑，被配置为：将第一写入数据写入存储器装置，将第二读取数据与第一写入数据进行比较，基于比较的结果检测第二读取数据的错误位，并输出关于通过错误位而识别的错误类型的信息；以及数据图案化逻辑，被配置为：基于关于错误类型的信息改变输入数据的位图案，以减少第二读取数据的错误。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110827913B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201910193335.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器控制器可以根据包括存储器单元在内的电阻存储器器件的误码率(BER)来检测劣化。存储器控制器可以控制存储器单元被编程到第一电阻状态，读取经编程的存储器单元，并且从电阻存储器器件接收在读取操作期间产生的存储器单元的BER。存储器控制器可以基于BER来确定存储器单元的编程循环的数量。可以基于参考指示BER与编程循环的数量之间的相关性的查找表来确定数量。
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公开(公告)号：CN111796764A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201911375068.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开涉及存储器设备及其操作方法。一种包括第一存储器区域和第二存储器区域的存储器设备的操作方法，包括：从第一存储器区域读取第一数据并将读取的第一数据存储在数据缓冲器块中，对从数据缓冲器块提供的第一数据和从第二存储器区域读取的第二数据执行第一XOR运算以生成第一结果数据，将存储在数据缓冲器块中的第一数据写入第二存储器区域，对第一数据和第一结果数据执行第二XOR运算以生成第二数据，将生成的第二数据存储在数据缓冲器块中，以及将存储在数据缓冲器块中的第二数据写入第一存储器区域。
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公开(公告)号：CN110827893B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN201910374387.X
申请日：2019-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种存储器控制器可以控制包括存储器单元的电阻存储器设备，可以控制电阻存储器设备将存储器单元编程为第一电阻状态，控制电阻存储器设备从被编程的存储器单元读取数据、从电阻存储器设备接收在读取操作中发生的存储器单元的误码率(BER)，可以确定对与BER相对应的存储器单元进行的编程操作的次数，并且可以基于所确定的编程操作的次数，通过使用具有高于最小写入电流的电流电平的电流电平的写入电流来控制将存储器单元编程为第一电阻状态，该最小写入电流是将存储器单元改变为第一电阻状态所必需的。
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公开(公告)号：CN111858134B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202010326380.3
申请日：2020-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 公开存储器控制器、存储器系统以及操作存储器控制器的方法。所述用于控制存储器装置的存储器操作的存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为：检测从存储器装置读取的第一读取数据的错误并纠正所述错误；错误类型检测逻辑，被配置为：将第一写入数据写入存储器装置，将第二读取数据与第一写入数据进行比较，基于比较的结果检测第二读取数据的错误位，并输出关于通过错误位而识别的错误类型的信息；以及数据图案化逻辑，被配置为：基于关于错误类型的信息改变输入数据的位图案，以减少第二读取数据的错误。
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公开(公告)号：CN110827913A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910193335.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器控制器可以根据包括存储器单元在内的电阻存储器器件的误码率(BER)来检测劣化。存储器控制器可以控制存储器单元被编程到第一电阻状态，读取经编程的存储器单元，并且从电阻存储器器件接收在读取操作期间产生的存储器单元的BER。存储器控制器可以基于BER来确定存储器单元的编程循环的数量。可以基于参考指示BER与编程循环的数量之间的相关性的查找表来确定数量。
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