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公开(公告)号：CN112289359A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010693865.6
申请日：2020-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置及操作该存储装置的方法。所述存储装置包括：多个存储单元，所述多个存储单元均包括开关器件和具有相变材料的存储器件；译码器电路，所述译码器电路包括：将第一偏置电压输入到连接到选定存储单元的选定字线第一偏置电路，将第二偏置电压输入到选定位线的第二偏置电路，连接在所述第一偏置电路和所述选定字线之间的第一选择开关器件和第一非选择开关器件，以及连接在相邻字线和所述第一偏置电路之间的第二选择开关器件和第二非选择开关器件；控制逻辑，顺序地断开所述第一选择开关器件和所述第二非选择开关器件；以及读出放大器，将所述选定字线的电压与参考电压进行比较，以确定读取操作的数据。
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公开(公告)号：CN110992998A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910728178.0
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白钟民 , 维维克·文卡塔·卡鲁尔 , 金鍾律 , 比拉·阿哈默德·扬尤亚
IPC: G11C5/14
Abstract: 公开了漏电流补偿装置和半导体存储器装置。该漏电流补偿装置包括：电流供应单元，被配置为向存储器装置的设置在字线与位线的交叉点处的多个单元之中的至少一个操作单元供应电流；漏电流感测单元，被配置为感测流到所述多个单元之中的非操作单元的漏电流的量，以基于感测的漏电流的量输出结果值；以及补偿电流供应单元，被配置为接收结果值并向操作单元供应补偿电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112289359B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010693865.6
申请日：2020-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置及操作该存储装置的方法。所述存储装置包括：多个存储单元，所述多个存储单元均包括开关器件和具有相变材料的存储器件；译码器电路，所述译码器电路包括：将第一偏置电压输入到连接到选定存储单元的选定字线第一偏置电路，将第二偏置电压输入到选定位线的第二偏置电路，连接在所述第一偏置电路和所述选定字线之间的第一选择开关器件和第一非选择开关器件，以及连接在相邻字线和所述第一偏置电路之间的第二选择开关器件和第二非选择开关器件；控制逻辑，顺序地断开所述第一选择开关器件和所述第二非选择开关器件；以及读出放大器，将所述选定字线的电压与参考电压进行比较，以确定读取操作的数据。
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公开(公告)号：CN116013378A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211294716.8
申请日：2022-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：存储单元阵列；第一电压生成器，该第一电压生成器被配置为为该存储单元阵列的每条字线生成字线操作电压；第二电压生成器，该第二电压生成器被配置为生成该存储单元阵列的位线操作电压；以及温度单元，该温度单元被配置为：根据该存储单元阵列的实时温度，从温度范围表中确定温度代码的温度范围，并且基于映射到所确定的温度范围的选择信号来调整该第一电压生成器或该第二电压生成器的供电电压。
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公开(公告)号：CN112242164B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202010180860.3
申请日：2020-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供一种电阻式存储器和操作存储器的方法。所述电阻式存储器包括：存储器单元阵列、写入/读取电路和控制电路。存储器单元阵列包括多个电阻式存储器单元，所述多个电阻式存储器单元结合到多条字线和多条位线。写入/读取电路通过行解码器和列解码器结合到存储器单元阵列，写入/读取电路执行将写入数据写入存储器单元阵列的目标页中的写入操作，并通过将从目标页读取的读取数据与写入数据进行比较来验证写入操作。控制电路控制行解码器、列解码器和写入/读取电路中的至少一个，以基于地址根据从接入点到存储器单元阵列中的选择的存储器单元的距离控制选择的存储器单元经受的电阻。
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公开(公告)号：CN112309463A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010376743.4
申请日：2020-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 存储器装置包括：存储单元阵列，其包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；行控制电路，其包括与字线相对应的多个行开关；列控制电路，其包括与位线相对应的多个列开关；以及控制逻辑电路，其被配置为在数据读操作期间控制对所选择的存储单元的字线和位线的预充电操作并且在预充电时段之后执行控制操作以将该字线和该位线一起浮置。该字线和该位线中的一者在预充电时段之后浮置，并且该字线和该位线中的另一者在预充电时段之后伪浮置。
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公开(公告)号：CN112242164A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010180860.3
申请日：2020-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供一种电阻式存储器和操作存储器的方法。所述电阻式存储器包括：存储器单元阵列、写入/读取电路和控制电路。存储器单元阵列包括多个电阻式存储器单元，所述多个电阻式存储器单元结合到多条字线和多条位线。写入/读取电路通过行解码器和列解码器结合到存储器单元阵列，写入/读取电路执行将写入数据写入存储器单元阵列的目标页中的写入操作，并通过将从目标页读取的读取数据与写入数据进行比较来验证写入操作。控制电路控制行解码器、列解码器和写入/读取电路中的至少一个，以基于地址根据从接入点到存储器单元阵列中的选择的存储器单元的距离控制选择的存储器单元经受的电阻。
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