公开(公告)号：CN114121057A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111019243.6

申请日：2021-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 比拉·阿哈默德·扬尤亚 ,  徐圣鋎

IPC: G11C5/14 ,  G11C16/08

Abstract: 可以提供一种存储器装置，其包括具有多个存储器单元的存储器单元区域和包括被配置为控制存储器单元的外围电路的外围电路区域，外围电路通过位线、字线和选择线中的至少一部分连接到存储器单元。外围电路可以包括被配置为响应于控制逻辑的控制数据输出至少一个参考电压的参考电压发生器。参考电压发生器可以包括第一电阻器链、第二电阻器链和多个解码器，第一电阻器链包括在第一电源节点和第二电源节点之间串联连接的第一电阻器，第二电阻器链包括在第一电源节点和第二电源节点之间串联连接的第二电阻器，多个解码器连接到第一电阻器链和第二电阻器链。

公开(公告)号：CN112700806A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011001338.0

申请日：2020-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 比拉·阿哈默德·扬尤亚 ,  金锺律 ,  V·甘加萨尼 ,  李埈圭

IPC: G11C11/16

Abstract: 提供了存储器装置及其操作方法。所述存储器装置包括：多个存储器单元，每个存储器单元包括开关器件以及连接到开关器件并具有相变材料的信息存储器件，所述多个存储器单元连接到多条字线和多条位线；解码器电路，将所述多个存储器单元中的至少一个确定为被选存储器单元；以及编程电路，被配置为将编程电流输入到被选存储器单元以执行编程操作，并且被配置为检测被选存储器单元的电阻以调整编程电流的幅值。

公开(公告)号：CN110992998A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910728178.0

申请日：2019-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白钟民 ,  维维克·文卡塔·卡鲁尔 ,  金鍾律 ,  比拉·阿哈默德·扬尤亚

IPC: G11C5/14

Abstract: 公开了漏电流补偿装置和半导体存储器装置。该漏电流补偿装置包括：电流供应单元，被配置为向存储器装置的设置在字线与位线的交叉点处的多个单元之中的至少一个操作单元供应电流；漏电流感测单元，被配置为感测流到所述多个单元之中的非操作单元的漏电流的量，以基于感测的漏电流的量输出结果值；以及补偿电流供应单元，被配置为接收结果值并向操作单元供应补偿电流。