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公开(公告)号：CN110992998A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910728178.0
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白钟民 , 维维克·文卡塔·卡鲁尔 , 金鍾律 , 比拉·阿哈默德·扬尤亚
IPC: G11C5/14
Abstract: 公开了漏电流补偿装置和半导体存储器装置。该漏电流补偿装置包括：电流供应单元，被配置为向存储器装置的设置在字线与位线的交叉点处的多个单元之中的至少一个操作单元供应电流；漏电流感测单元，被配置为感测流到所述多个单元之中的非操作单元的漏电流的量，以基于感测的漏电流的量输出结果值；以及补偿电流供应单元，被配置为接收结果值并向操作单元供应补偿电流。
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