Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"田旼奇" Page 1

1.

发明公开
非易失性存储器件审中-实审

公开(公告)号：CN116013378A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211294716.8

申请日：2022-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑凤吉 , 南尚完 , 白钟民 , 田旼奇 , 郑宇哲 , 崔允熙

IPC: G11C7/12 , G11C8/08 , G11C8/10

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：存储单元阵列；第一电压生成器，该第一电压生成器被配置为为该存储单元阵列的每条字线生成字线操作电压；第二电压生成器，该第二电压生成器被配置为生成该存储单元阵列的位线操作电压；以及温度单元，该温度单元被配置为：根据该存储单元阵列的实时温度，从温度范围表中确定温度代码的温度范围，并且基于映射到所确定的温度范围的选择信号来调整该第一电压生成器或该第二电压生成器的供电电压。

Patent Agency Ranking