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公开(公告)号：CN115954031A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210971322.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备包括非易失性存储器件和存储控制器，该非易失性存储器件包括存储单元阵列，该存储控制器用于控制非易失性存储器件。存储单元阵列包括字线、存储单元和将字线划分为存储块的字线切割区。存储控制器包括纠错码(ECC)引擎和存储器接口，ECC引擎包括ECC编码器。ECC编码器对用户数据中的每一个子数据单元执行第一ECC编码操作，以产生奇偶校验位并产生多个ECC扇区；选择要存储在外单元中的外单元位，以构成包括外单元位的外ECC扇区；以及对外ECC扇区执行第二ECC编码操作，以产生外奇偶校验位。存储器接口向非易失性存储器件发送包括ECC扇区和外奇偶校验位的码字集。
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公开(公告)号：CN118737234A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410018195.6
申请日：2024-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器装置和控制非易失性存储器装置的方法。将存储器块划分为包括在垂直方向上设置的第一子块和第二子块的多个子块，其中，存储器块包括多个单元串，并且每个单元串包括在垂直方向上设置的多个存储器单元。独立地执行针对所述多个子块中的每个的正常擦除操作。执行针对第一子块的干扰验证读取操作，以确定连接到第一子块的擦除状态下的字线的存储器单元的阈值电压是否增大到高于参考电平。基于干扰验证读取操作的结果选择性地执行后擦除操作，以降低第一子块的擦除状态下的存储器单元的阈值电压。
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公开(公告)号：CN115705879A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210882506.4
申请日：2022-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了操作非易失性存储器装置的方法和非易失性存储器装置。在操作包括一个或多个存储器块的一个或多个非易失性存储器装置的方法中，每个存储器块包括在竖直方向上布置的多个存储器单元和多个页。将在沟道孔的第一方向上布置的页设置为第一页至第N页。沟道孔的尺寸在第一方向上增大并且在第二方向上减小。将在沟道孔的第二方向上布置的页设置为第N+1页至第2N页。设置第一页对至第N页对，使得第一页至第N页之中的第K页和第N+1页至第2N页之中的第N+K页形成一个页对。包括在至少一个页对中的两个页的奇偶校验区通过包括在所述至少一个页对中的所述两个页共享。
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公开(公告)号：CN120020697A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202411602011.7
申请日：2024-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了一种存储设备和该存储设备的操作方法。所述存储设备包括非易失性存储器，所述非易失性存储器包括虚拟块，所述虚拟块包括存储逻辑页面编号(LPN)和物理页面编号(PPN)的对(LPN‑PPN对)的L2P对区域和存储寻址到所述PPN的数据的数据区域；易失性存储器，所述易失性存储器包括存储与所述LPN相对应的虚拟块编号(VBN)的L2V表、存储所述LPN‑PPN对的L2P高速缓存和存储虚拟块的L2P对区域中存储的LPN的一部分的LPN范围映射；以及控制器，其被配置为控制非易失性存储器和易失性存储器。
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公开(公告)号：CN116343871A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211223298.3
申请日：2022-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了在非易失性存储器中重编程数据的方法和编程数据的方法。在一种在非易失性存储器装置中对数据进行重编程的方法中，所述非易失性存储器装置包括多个页，所述多个页中的每个页包括多个存储器单元，从编程在所述多个页中的多个页数据之中读取编程在第一页中的第一页数据。所述多个页数据具有包括多个状态的阈值电压分布。对第一页数据执行纠错码(ECC)解码。基于对第一页数据执行ECC解码的结果和重编程电压，对包括在第一页数据中的多个位之中的发生错误的目标位选择性地执行重编程操作。目标位与所述多个状态之中的第一状态对应。重编程电压的电压电平被适应性地改变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116129967A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211369589.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供操作存储器系统的方法、存储器系统和存储器装置。所述操作包括包含多个存储器块的存储器装置和存储器控制器的存储器系统的方法包括：由存储器控制器检测具有大于或等于第一参考值的劣化计数的第一存储器块。由存储器控制器将用于第一存储器块的第一命令发送到存储器装置。由存储器装置响应于第一命令，通过将第一电压施加到连接到第一存储器块的多条字线中的全部并且将第二电压施加到连接到第一存储器块的位线来执行恢复操作。第一电压大于被施加以导通连接到所述多条字线中的全部的存储器单元的电压。第二电压大于在编程操作、读取操作或擦除操作期间施加到所述位线的电压。
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公开(公告)号：CN115996571A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211265456.1
申请日：2022-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：基底；堆叠结构，包括在水平方向上延伸的第一栅极层和在水平方向上延伸并且在竖直方向上与第一栅极层间隔开设置的第二栅极层；多个第一沟道结构，在竖直方向上穿透堆叠结构的第一沟道区域；多个第二沟道结构，在竖直方向上穿透堆叠结构的第二沟道区域；第一反熔丝结构和第二反熔丝结构，各自在竖直方向上穿透堆叠结构的反熔丝区域；第一反熔丝晶体管，通过第一反熔丝结构电连接到第一栅极层；以及第二反熔丝晶体管，通过第二反熔丝结构电连接到第二栅极层。
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公开(公告)号：CN115632040A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202210807570.6
申请日：2022-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H10B41/30 , H10B43/30
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：在第一方向上交替布置的多个绝缘层和多个栅电极；以及在所述第一方向上穿过所述多个栅电极和所述多个绝缘层的多个沟道结构，其中，所述多个栅电极中的每一个包括：包括围绕所述多个沟道结构的内壁的第一导电层；以及在与所述第一方向垂直的第二方向上与所述多个沟道结构分离的第二导电层，其中，所述第二导电层的电阻率小于所述第一导电层的电阻率。
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公开(公告)号：CN116322054A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210985874.1
申请日：2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置和存储装置。所述非易失性存储装置，包括存储单元阵列和控制电路。存储器单元阵列包括多条字线、设置在多个沟道孔中的多个存储器单元以及在第一水平方向上延伸并将字线划成多个存储器块的字线切割区域。结合到多条字线中的每条的多个目标存储器单元基于所述多个存储器单元中的每个的位置索引被分组成外单元和内单元。控制电路控制对结合到所述多条字线中的目标字线的目标存储器单元的编程操作，使得每个外单元存储第一数量的位，并且每个内单元存储第二数量的位。第二数量是大于第一数量的自然数。
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公开(公告)号：CN116261334A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211576186.6
申请日：2022-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：多个栅电极层，在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠；多个沟道结构，穿透多个栅电极层，并沿第一方向延伸；多个第一隔离结构，沿平行于衬底的上表面的第二方向延伸，并将多个栅电极层划分为多个块；以及多个第二隔离结构，在多个块中的每一个内沿第二方向延伸。多个第一隔离结构中的每一个可以仅包括第一竖直绝缘层，并且多个第二隔离结构中的至少一个可以包括第二竖直绝缘层和导电层。
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