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公开(公告)号：CN110620122B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201910326602.9
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，其包括：半导体衬底，其具有第一区域和第二区域；隔离区域，其填充部分地穿透半导体衬底的隔离沟槽；多个光电转换区域，其由隔离区域限定，并在与半导体衬底的表面平行的平面上形成第一六边形阵列；以及多个微透镜，其分别对应于多个光电转换区域，并且在与半导体衬底的表面平行的平面上形成第二六边形阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116613116A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211604406.1
申请日：2022-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 一种半导体封装件包括：封装基板；电源模块，位于所述封装基板的第一表面上；连接器，位于所述封装基板的所述第一表面上，所述连接器与所述电源模块水平地间隔开；第一半导体芯片，位于所述封装基板的与所述第一表面相对的第二表面上；以及第一散热器，位于所述封装基板的第二表面上，所述第一散热器覆盖所述第一半导体芯片。所述第一半导体芯片与所述电源模块垂直地交叠，并且所述第一半导体芯片通过所述封装基板电连接到所述电源模块。
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公开(公告)号：CN111223853A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911163580.5
申请日：2019-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/98
Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，贴附到第一半导体芯片的上表面；硅散热体，热连接到第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个；以及模制构件，被配置为围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片并暴露硅散热体的上表面。
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公开(公告)号：CN111092074A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910873305.6
申请日：2019-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/98
Abstract: 半导体封装包括：封装基板；第一半导体器件，布置在封装基板上；第一半导体器件上的至少一个第二半导体器件，从俯视图看部分地覆盖第一半导体器件；散热绝缘层，涂覆在第一半导体器件和至少一个第二半导体器件上；导电散热结构，布置在第一半导体器件的未被第二半导体器件覆盖的部分上的散热绝缘层上；以及封装基板上的模制层，覆盖第一半导体器件和至少一个第二半导体器件。散热绝缘层由电绝缘且导热材料形成，并且导电散热结构由导电和导热材料形成。
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公开(公告)号：CN110739281A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910658593.3
申请日：2019-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：封装衬底；封装衬底上的第一半导体芯片，该第一半导体芯片包括第一区域和第二区域；第一区域上的第二半导体芯片；第二区域上的热辐射间隔物；第三半导体芯片，由第二半导体芯片和热辐射间隔物支撑；以及模塑层，覆盖第一半导体芯片至第三半导体芯片和热辐射间隔物。
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公开(公告)号：CN110620122A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910326602.9
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，其包括：半导体衬底，其具有第一区域和第二区域；隔离区域，其填充部分地穿透半导体衬底的隔离沟槽；多个光电转换区域，其由隔离区域限定，并在与半导体衬底的表面平行的平面上形成第一六边形阵列；以及多个微透镜，其分别对应于多个光电转换区域，并且在与半导体衬底的表面平行的平面上形成第二六边形阵列。
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