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公开(公告)号：CN100568098C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200480003908.2
申请日：2004-02-05
Applicant: 斯潘生公司 , AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/039 , C08L101/00
CPC classification number: H01L21/32139 , C08L101/02 , G03F7/0392
Abstract: 使用至少含有(1)根据由多角光散射法的凝胶渗透色谱法计算的重均分子量聚苯乙烯换算值大于等于100万的超高分子量成分小于等于1ppm的，由碱可溶性树脂或用酸解离性保护基保护的碱不溶性或碱难溶性树脂构成的基体树脂；(2)由放射线的照射而产生酸的光酸产生剂及(3)溶剂的化学放大型放射线敏感性树脂组合物，将其在被加工对象2上涂布而形成光敏抗蚀剂膜3后，通过曝光、显影，形成小于等于0.2μm的微细抗蚀剂图案4。接着进行干式蚀刻，进行半导体装置的栅电极和孔形状、沟槽形状等的图案形成。由此，可以实现极少发生微桥等图案缺陷的图案形成。
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公开(公告)号：CN100538531C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200580012201.2
申请日：2005-04-08
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , H01L21/0273 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/115 , Y10S430/162 , Y10S430/165
Abstract: 一种用于图案形成方法中的水溶性树脂组合物，所述方法涉及涂敷涂层到由ArF响应的辐射敏感树脂组合物形成的抗蚀图上并增大所述抗蚀图宽度以获得有效小型化的沟槽图案和孔图案，其中，抗蚀图层的尺度收缩程度比现有技术有提高，并且，其中粗/密抗蚀图对尺度收缩的依赖性减小；和一种使用所述水溶性树脂组合物形成图案的方法。提供了一种用于上述图案形成方法中的水溶性树脂组合物，可适用于ArF受激准分子激光辐射，含有水溶性树脂、当被加热时能产生酸的发生剂、表面活性剂、交联剂和含水溶剂。还提供一种使用所述水溶性树脂组合物形成图案的方法。
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公开(公告)号：CN101523296A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780038343.5
申请日：2007-10-12
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , Y10S430/106 , Y10S430/107 , Y10S430/11 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供了一种用于不明显增加生产成本或削弱生产效率而使图案小型化的方法。本发明还提供了一种精细的抗蚀图和用于形成该精细图案的抗蚀基板处理溶液。该图案形成方法包括处理步骤。在该处理步骤中，用含有含氨基，优选含叔聚胺的水溶性聚合物的抗蚀基板处理溶液处理显影后的抗蚀图，以便减小由显影形成的抗蚀图的有效尺寸。本发明还涉及通过该方法形成的抗蚀图，此外还涉及用于此方法的处理溶液。
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公开(公告)号：CN101473271A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780022977.1
申请日：2007-06-22
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027 , G02B5/20
CPC classification number: G03F7/40 , H01L21/0273 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明涉及一种微细化的抗蚀图案的形成方法，具体公开了一种使显影后的抗蚀图案微细化而不大大增加生产成本或降低生产效率的图案形成方法，该方法包括如下步骤：让显影后的抗蚀图案与优选包含非离子表面活性剂的处理液接触60秒或更长时间，从而降低通过显影形成的抗蚀图案的有效尺寸。本发明还提供了通过该方法而微细化的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN100477084C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200580040035.7
申请日：2005-11-25
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: H01L21/027 , B05C11/10 , B05D3/00 , G03F7/16 , B05C5/02
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂涂布液供给装置和一种涂布液供给方法，以将含有很少颗粒的光致抗蚀剂涂布液供给至光致抗蚀剂涂布装置。还提供了一种光致抗蚀剂涂布装置，其通过使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置，可以实现具有很少缺陷和优异成本特性的涂布。该光致抗蚀剂涂布液供给装置具有用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器；循环过滤装置，用于从缓冲容器中取出部分光致抗蚀剂涂布液，将其过滤并返回至缓冲容器；和用于将涂布液从缓冲容器或循环装置供给至涂布装置的管。还提供使用所述光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法，以及将涂布液供给装置与狭缝涂布装置组合使用的光致抗蚀剂涂布装置。
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公开(公告)号：CN101180577A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200680017328.8
申请日：2006-07-25
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
CPC classification number: G03F7/0007 , G03F7/0226 , G03F7/038
Abstract: 本发明涉及一种光敏性树脂组合物，其具有抑制膜表面白化、抑制膜剩余率下降两方面功能，该光敏性树脂组合物包含碱可溶性树脂、具有醌二叠氮基的感光剂以及固化剂，碱可溶性树脂为丙烯酸类树脂，固化剂是含环氧基的固化剂，并且该光敏性树脂组合物进一步含有熔点为20℃以下、多个羧基中的一部分被高级醇酯化的多羧酸酯化合物，以及提供具有采用该光敏性树脂组合物形成的平坦化膜或者层间绝缘膜的平板显示面板或者半导体装置。作为上述多羧酸酯化合物，优选由脂肪族不饱和二羧酸形成的化合物。
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公开(公告)号：CN101144979A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710146009.3
申请日：2007-09-03
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种光致抗蚀剂用溶剂以及采用它的狭缝涂敷用光致抗蚀剂组合物。提供不降低固体成分含量、能够进行狭缝涂敷的高速涂敷的光致抗蚀剂用溶剂，以及能够通过狭缝涂敷进行高速涂敷的光致抗蚀剂组合物。该溶剂是可以通过狭缝涂敷法涂敷于基板的光致抗蚀剂组合物中使用的光致抗蚀剂用溶剂，其特征在于，基于该溶剂的重量，10重量％以上为20℃下粘度为1.1cp以下的低粘度溶剂。该光致抗蚀剂组合物含有上述溶剂、碱可溶性树脂以及光敏性物质。
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公开(公告)号：CN101069879A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710101756.5
申请日：2007-05-08
Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社
Inventor： 拉尔夫·格罗滕米勒 , 沃尔夫冈·汉斯·察恩 , 冈特·胡尔茨奇 , 高桥修一
Abstract: 本发明涉及一种用于高速制造均一的涂敷膜的涂敷方法以及提供利用该方法的半导体元件。一种将涂层组合物通过窄缝涂层法涂敷在基板上的涂敷方法，其特征在于使在30～100℃范围内维持一定温度的涂层组合物接触到基板上而进行涂敷。一种根据上述方法制造的半导体元件，特别是平板显示器。
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公开(公告)号：CN1316317C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN99808468.9
申请日：1999-06-30
Applicant: AZ电子材料日本株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426
Abstract: 本发明涉及微电子领域，如集成电路，具体地说是涉及从用于集成电路生产的基质表面上除去光阻材料或其它有机材料的组合物和方法。特别地，本发明涉及含有溶液和表面活性剂的无胺剥离组合物，它可有效地除去有机材料而不会腐蚀其下的基质，而且，本发明还涉及采用这种新颖的剥离组合物除去这些有机材料的方法。
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