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公开(公告)号：CN109075447B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201780023194.9
申请日：2017-04-12
Applicant: 株式会社SK电子
Inventor： 小林英树
IPC: H01Q7/00 , G06K19/077 , H04B5/02
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够以简单的结构谋求天线效率提高的RFID标签。具有：用于与读写器进行信号的收发的天线(3)；和连接有该天线(3)的IC芯片(1)，在与形成有天线(3)的绝缘层上的外周端缘相比的内侧部分具有多个连接端子(5A、5B)，将绝缘层上的外周端缘与多个连接端子(5A、5B)之间的距离作为内外方向的宽度，在绝缘层上的外周整个区域或外周大致整个区域具有环状的天线形成区域，天线(3)以多个连接端子中的一个连接端子(5A)作为起点，并以剩余的连接端子中的一个连接端子(5B)作为终点，以导体线在所述天线形成区域内绕圈的方式形成为环状。
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公开(公告)号：CN107025960B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201610868508.2
申请日：2016-09-29
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明提供一种将形成于触摸面板等所使用的玻璃基板等基材上的网眼状的银配线进行黑化的方法。对形成于基材上的银配线的表面，通过以高输出进行第一等离子体处理的工序、以低输出进行第二等离子体处理的工序，能够以高纯度在银配线的表面形成均匀的银氧化膜，将银配线黑化。另外，在两种等离子体处理之后，通过在空气中实施加热，能够防止银配线的颜色及电阻值的变动。其结果是，能够提供识别性良好的触摸面板。
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公开(公告)号：CN108693697A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810227081.7
申请日：2018-03-19
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 提供能够兼顾图案的细微化和多灰阶的半色调掩模。在透明基板上具有相移膜和半透膜的层叠区域、以及由曝光光的光透过率比上述层叠区域高的半透膜构成的半透过区域，上述层叠区域具有与上述半透过区域和/或露出透明基板的透明区域接触的边界部，上述相移膜使曝光光的相位偏移，而且，上述层叠区域相对于曝光光的光透过率为1～8％。在上述边界部，曝光光的强度分布急剧变化，能够改善被曝光的光致抗蚀剂图案的剖面形状。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN107025960A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610868508.2
申请日：2016-09-29
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明提供一种将形成于触摸面板等所使用的玻璃基板等基材上的网眼状的银配线进行黑化的方法。对形成于基材上的银配线的表面，通过以高输出进行第一等离子体处理的工序、以低输出进行第二等离子体处理的工序，能够以高纯度在银配线的表面形成均匀的银氧化膜，将银配线黑化。另外，在两种等离子体处理之后，通过在空气中实施加热，能够防止银配线的颜色及电阻值的变动。其结果是，能够提供识别性良好的触摸面板。
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公开(公告)号：CN113156758B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110016918.5
申请日：2021-01-07
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供能够稳定地解像微细的孔图案的光掩模。该光掩模具备：露出透过性基板的透过部；以及包围透过部的、将曝光光的相位反转的第1相移部和第2相移部。第2相移部介于第1相移部与透过部之间，第2相移部对曝光光的透射率比第1相移部的透射率低。另外，第2相移部能够由第1相移部的相移膜与半透过膜的层叠结构而构成。
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公开(公告)号：CN113721419B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110571824.4
申请日：2021-05-25
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明的课题在于提供良好地修正相移光掩模的相移膜的白缺陷的方法。本发明的光掩模的修正方法，其是具备由相移膜构成的相移图案的光掩模的修正方法，包括：取得修正膜的光学特性的膜厚依赖性的步骤；为了使得从由修正膜构成的图案和相移图案转印的光致抗蚀剂的形状一致，而求出由修正膜构成的图案的修正量的修正膜厚依赖性的步骤；当在光掩模的相移图案中检出白缺陷的情况下，确定所检出的各白缺陷的位置的步骤；对应各白缺陷确定修正膜的膜厚及修正膜的图案的修正量的步骤；以及在包含各白缺陷的区域形成修正膜的步骤。
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