公开(公告)号：CN116642914B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202310616131.1

申请日：2023-05-29

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 王学锋 ,  张宏浩 ,  朱晓彤 ,  杨寿亮 ,  赵振辉 ,  朱秦发

IPC分类号： G01N23/20 ,  G01N23/20008 ,  H01L21/66

摘要： 本发明公开一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法，属于直拉硅单晶检测技术领域。该检测方法包括：原生重掺砷硅单晶拉制完成后截取一定厚度的样品；对样品进行表面研磨、清洗处理获得平整和洁净的表面；对清洗后的样品进行化学抛光处理，去除表面损伤；对样品进行分段式加强热氧化获得微缺陷的放大缀饰缺陷，所述热氧化包括三个阶段：第一阶段加热温度为950~1100℃，时间为30~300min；第二阶段加热温度为1100~1200℃，时间为30~300min；第三阶段加热温度为950 1100℃，时间为30~ ~300min；使用XRT对样品检测；对检测结果进行判定，确定缺陷类型和区域。本发明的检测方法可(56)对比文件王宏杰.掺氮直拉单晶硅中氧沉淀及其诱生缺陷的行为研究.中国优秀博硕士学位论文全文数据库 (硕士)工程科技Ⅰ辑.2004,(第04期),正文第30-44页.张越.重掺杂直拉硅单晶的氧化诱生层错.中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑.2015,(第12期),正文第29-58页.徐泽.快速热处理对直拉单晶硅缺陷的调控.中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑.2012,(第08期),正文第21-27页.吉林大学半导体系材料教研室.用热氧化层错法检测重掺N型硅单晶片表面残留损伤的限制及有关热氧化层错形成机构的分析.半导体技术.1978,(第04期),正文第75-80页.曹孜等.重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究.半导体技术.2016,第35卷(第12期),正文第1178-1182页.佟丽英等.直拉硅单晶中微缺陷的特征及演变.合肥工业大学学报(自然科学版).2016,第39卷(第09期),正文第1196-1198页.

公开(公告)号：CN114318508B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202111594443.4

申请日：2021-12-23

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 王万华 ,  李英涛 ,  王凯磊 ,  皮小争 ,  方峰 ,  崔彬

IPC分类号： C30B15/20 ,  C30B29/06

摘要： 本发明公开了一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法，在等径工序中，所采用的工艺为：(1)等径前期，炉室压力由70‑90Torr升到180‑220Torr；(2)等径中期，炉室压力维持在等径前期升至的高压不变；(3)等径后期，炉室压力由所述高压降到120‑150Torr；在整个等径过程中，晶体拉速以每毫米等径长度下降0.01‑0.2mm/hr的速度下降，在整个等径过程中，晶体拉速由55‑60mm/hr降至20‑25mm/hr。本发明通过控制晶体的拉速和炉室压力，能够克服等径后期因分凝导致杂质浓度过大出现位错的现象，从而获得无位错的完整单晶。

公开(公告)号：CN116219543A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211553223.1

申请日：2022-12-02

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 王凯磊 ,  李英涛 ,  王万华 ,  皮小争 ,  方峰 ,  崔彬

IPC分类号： C30B27/02 ,  C30B29/06

摘要： 本发明公开了一种重掺砷硅单晶的放肩工艺。该放肩工艺的参数设定为：根据放肩长度将放肩过程分为放肩初期、放肩中期和放肩后期，其中，放肩初期为放肩长度为1‑40mm的区间；放肩中期为放肩长度为40‑220mm的区间，放肩后期为放肩长度为220mm以上的区间；将降温速度定义为放肩温度差值除以放肩长度差值；将降温速率定义为放肩温度差值除以原始温度；在放肩初期，每20mm降温1‑3SP值，降温速度为0.05‑0.15，降温速率降低；在放肩中期，每20mm降温1‑12SP值，降温速度为0.05‑0.6，降温速率呈现增大、减小、增大的趋势；在放肩后期，每20mm降温3‑15SP值，降温速度为0.15‑0.75，降温速率较小。该放肩工艺可大大提高放肩成活率。

公开(公告)号：CN116219402A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211534901.X

申请日：2022-12-02

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 冯瑞琪 ,  何宇 ,  陈鲁锋 ,  杨先瑞

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

摘要： 一种APCVD背封炉喷头的冷却装置及方法，冷却装置包括冷却主体和底板，二者之间通过若干支撑板固定连接；该冷却主体呈筒型，且横截面呈矩形；该冷却主体包括相对设置的两个第一侧板和两个第二侧板，且该第一侧板的长度大于该第二侧板的长度；各第一侧板顶面设有定位螺孔；该冷却主体内壁为中空，内部设有冷却盘管，该第二侧板外壁穿设有进水管和出水管，该冷却盘管的两端分别与该进水管和出水管的内端连接；该底板呈矩形，各支撑板两端分别与该第一侧板与该底板固定连接。本发明APCVD背封炉喷头的冷却装置及方法，能起到加快喷头冷却的作用，有利于提高喷头清洁效率。

公开(公告)号：CN111261496B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201811462145.8

申请日：2018-11-30

申请人： 有研半导体硅材料股份公司

发明人： 边永智 ,  宁永铎 ,  钟耕杭 ,  程凤伶 ,  郑宇 ,  张亮 ,  徐继平 ,  卢立延

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/683

摘要： 本发明公开了一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法。该方法包括以下步骤：(1)在衬底晶圆背表面粘贴一层聚四氟乙烯掩蔽蓝膜；(2)经过表面清洗，将衬底晶圆放入酸腐蚀机的酸液中进行一次表面腐蚀，去除部分正表面损伤层；(3)经过表面清洗，进入去膜机去除掩蔽蓝膜；(4)再次经过表面清洗，清洗后的衬底晶圆再次进入酸腐蚀机的酸液中进行二次表面腐蚀，去除正表面损伤层和部分背表面损伤层；(5)再次经过表面清洗后，衬底晶圆腐蚀加工完成。该方法能够降低腐蚀片正表面损伤层深度，大大降低抛光加工去除量，同时使腐蚀片背表面保留吸杂作用，提高了抛光加工效率，简化了加工流程，提高了产品质量，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN111261495B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201811462122.7

申请日：2018-11-30

申请人： 有研半导体硅材料股份公司

发明人： 刘云霞 ,  史训达 ,  李彦君 ,  林霖 ,  徐继平 ,  王磊 ,  李俊峰 ,  李奇 ,  杨少昆 ,  程凤伶

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种抛光硅片清洗干燥工艺，包括：步骤S1：干燥槽注满高纯水并溢流5‑10s，高纯水的电阻率大于18MΩ·cm；步骤S2：用机械手将装有1‑50片相同直径抛光硅片的两篮四氟花篮放到干燥槽底部的支架上，该支架包含四氟花篮定位卡槽部分与硅片支撑部分；步骤S3：快排，快排时间控制在8‑15s。步骤S4：在50s内向干燥槽内注满高纯水，并溢流5‑10s；步骤S5：将经常温氮气雾化后的异丙醇注入干燥内；步骤S6：慢排；步骤S7：快排；步骤S8：停止注入异丙醇，热氮气干燥抛光硅片与四氟花篮；步骤S9：将装有抛光硅片的四氟花篮移出干燥槽。采用本发明可实现在同一干燥槽内干燥两种不同直径的抛光硅片，大幅提高清洗机的使用效率，降低清洗工序的生产成本。

公开(公告)号：CN114346924A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111616066.X

申请日：2021-12-27

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 钟耕杭 ,  王新 ,  边永智 ,  宁永铎 ,  徐继平 ,  张健华 ,  韩萍 ,  林霖 ,  田凤阁 ,  李钧宏 ,  颜俊尧 ,  朱晓彤

IPC分类号： B24D18/00 ,  B24B1/00 ,  B28D5/04 ,  B28D5/00 ,  H01L21/762

摘要： 本发明公开了一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法，包括以下步骤：(1)采用磁场拉晶法进行拉晶，磁场类型为水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm；控制晶体生长时液面位置+/‑0.5mm波动范围；(2)进行滚磨及线切割；(3)进行倒角轮廓设计与加工，进行四次倒角，分别使用800#导轮粗倒2次，1000‑3000#导轮精倒2次，使用非对称倒角，轮廓幅长X1大于600μm，X2小于300μm；(4)进行研磨腐蚀，先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀，碱腐蚀去除量控制在5‑15μm，酸腐蚀去除量控制在15‑20μm；(5)进行抛光，抛光转速控制在30‑50rpm，压力控制在300‑500kg，化学液浓度控制在1∶15‑1∶30，pH值控制在9‑13，蜡膜厚度控制在1‑3μm；(6)进行清洗检测；(7)进行边缘形状评估。

公开(公告)号：CN114248358A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111575516.5

申请日：2021-12-21

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 褚天宇 ,  蔡明

IPC分类号： B28D7/04 ,  B28D7/00

摘要： 本发明提供了一种用于半导体单晶硅棒切割的粘晶定位装置。该装置包括：粘接平台、定位标尺、标尺架和定位螺丝，其中，所述标尺架安装在粘接平台上，所述标尺架上设有供定位标尺安装的安装孔，定位标尺可以相对于标尺架前后移动；所述定位标尺表面有刻度，达到预定位置时，定位标尺的前端与单晶硅棒的端面接触，利用定位螺丝拧紧在标尺架上的螺孔来限定定位标尺的位置。该装置有效控制了单晶粘接位置，减少了通过估算位置而盲目粘接单晶造成的切割损失，改善了操作者的操作习惯，提高了单晶切割收率。该装置操作简单，利于首次接触该装置人员的学习。

公开(公告)号：CN114226334A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111638387.X

申请日：2021-12-29

申请人： 有研半导体硅材料股份公司

发明人： 尚锐刚 ,  王永涛 ,  刘建涛 ,  李明飞 ,  高源 ,  聂飞

IPC分类号： B08B3/02 ,  B08B3/10 ,  B08B13/00

摘要： 本发明公开了一种多晶硅棒清洗装置及方法。该多晶硅棒清洗装置包括由滑轮组成的滑轮组、多晶吊环、酸槽、水槽，多晶吊环通过软绳经滑轮组连接配重块，配重块由气缸驱动可上下移动，由滑轮组、配重块及气缸组成配重系统；在气缸和配重块的作用下，软绳带动多晶吊环上下移动，实现多晶吊环配重助力的加载和卸载；水槽和酸槽相邻并排放置，多晶吊环位于水槽和酸槽交界位置的正上方。使用该多晶硅棒装置清洗多晶硅棒，由于配重抵消了大部分多晶硅棒重量，抬起多晶硅棒之后，多晶硅棒运动类似于单摆运动和自由落体结合的效果，可实现重量在70‑150kg范围内的多晶硅棒料1秒内完成从酸槽进入水槽的过程，可完全避免表面沾污氧化，提高了多晶硅棒料清洗质量。

公开(公告)号：CN112048761B

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202010860262.0

申请日：2020-08-24

申请人： 有研半导体硅材料股份公司

发明人： 李永博 ,  王利超 ,  尚锐刚 ,  王永涛 ,  崔彬 ,  方峰

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/20

摘要： 本发明公开了一种大直径单晶硅放肩生长工艺。在放肩过程中，放肩初始时放肩温度SP值减少0‑5，在1mm时放肩温度SP值减少1‑2；在15mm时放肩温度SP值减少5‑6，降温速率为0.3；在30mm时，放肩温度SP值减少10‑12，降温速率为0.3；在45mm时放肩温度SP值减少20‑22，降温速率为0.5；在60mm时放肩温度SP值减少31‑33，降温速率为0.7；在75mm时放肩温度SP值减少50‑55，降温速率为1.2；在90mm时放肩温度SP值减少69‑71，降温速率为1.35；在105mm时放肩温度SP值减少90‑92，降温速率为1.42。该工艺能够保证放肩时功率不发生反弹。