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公开(公告)号：CN112941615B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN201911262992.4
申请日：2019-12-10
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种区熔硅单晶的收尾方法，包括以下步骤：(1)当多晶尾料剩余10kg时，继续保持等径生长，直至多晶尾料剩余2kg时，均匀降低多晶尾料速度直至多晶尾料速度归零后快速提断，晶体拉速和加热功率保持不变，此过程单晶直径将缓慢减小；(2)当多晶尾料提断后，保持多晶尾料向提拉的方向移动，开启自动程序控制加热功率曲线和晶体拉速曲线，功率曲线先均匀快速地下降至初始功率值的75％‑85％，再缓慢均匀增加，最高不超过初始功率值；晶体拉速匀速降低至0，直至单晶熔体完全结晶后停炉冷却即可。本发明的方法可将单晶尾部损失降低至8kg以下。通过此方法收尾成功率大幅提升，可达90％以上，综合收率提高10％以上。
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公开(公告)号：CN116065227A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211559984.8
申请日：2022-12-06
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种区熔硅单晶的分段式转肩方法，包括步骤：(1)设定分段式转肩直径位置，设定值比目标直径小5mm；(2)设定单晶加热功率曲线参数及生长角度；在单晶直径到达转肩直径前，单晶加热功率按照单晶直径的增长而增加；在单晶直径超过转肩直径后，单晶加热功率不再与单晶直径正相关，而与单晶生长长度正相关；单晶直径接近目标直径时，单晶生长角度会有先减小后增加，然后逐渐减小，单晶直径到达目标直径时，减少至0；(3)按照设定的加热功率参数和生长角度进行单晶生长。本发明可将转肩直径波动可降低至1mm以内，减小了转肩长度，并且显著提高了转肩成功率和产品收率。
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公开(公告)号：CN114226334A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111638387.X
申请日：2021-12-29
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅棒清洗装置及方法。该多晶硅棒清洗装置包括由滑轮组成的滑轮组、多晶吊环、酸槽、水槽，多晶吊环通过软绳经滑轮组连接配重块，配重块由气缸驱动可上下移动，由滑轮组、配重块及气缸组成配重系统；在气缸和配重块的作用下，软绳带动多晶吊环上下移动，实现多晶吊环配重助力的加载和卸载；水槽和酸槽相邻并排放置，多晶吊环位于水槽和酸槽交界位置的正上方。使用该多晶硅棒装置清洗多晶硅棒，由于配重抵消了大部分多晶硅棒重量，抬起多晶硅棒之后，多晶硅棒运动类似于单摆运动和自由落体结合的效果，可实现重量在70‑150kg范围内的多晶硅棒料1秒内完成从酸槽进入水槽的过程，可完全避免表面沾污氧化，提高了多晶硅棒料清洗质量。
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公开(公告)号：CN216679271U
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202123367219.X
申请日：2021-12-29
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本实用新型公开了一种多晶硅棒清洗装置，包括由滑轮组成的滑轮组、多晶吊环、酸槽、水槽，多晶吊环通过软绳经滑轮组连接配重块，配重块由气缸驱动可上下移动，由滑轮组、配重块及气缸组成配重系统；在气缸和配重块的作用下，软绳带动多晶吊环上下移动，实现多晶吊环配重助力的加载和卸载；水槽和酸槽相邻并排放置，多晶吊环位于水槽和酸槽交界位置的正上方。使用该多晶硅棒装置清洗多晶硅棒，由于配重抵消了大部分多晶硅棒重量，抬起多晶硅棒之后，多晶硅棒运动类似于单摆运动和自由落体结合的效果，可实现重量在70‑150kg范围内的多晶硅棒料1秒内完成从酸槽进入水槽的过程，可完全避免表面沾污氧化，提高了多晶硅棒料清洗质量。
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