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公开(公告)号：CN111537670A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010312318.9
申请日：2020-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及气体测试设备领域，本发明公开了一种顶接触式气体测试腔及应用其的动态气体测试系统。该顶接触式气体测试腔包括：第一壳体，该第一壳体的顶部设有第一凹槽；第二壳体，该第二壳体的底部设有第二凹槽和探针固定孔，该第二凹槽与该第一凹槽通过该第一壳体和该第二壳体对接形成通孔；其中，该通孔的一端与供气装置连接，该通孔用于放置气体传感器和流通气体。本发明提供的顶接触式气体测试腔具有稳定时间短、测试效果好，以及与普通探针构成的气体测试系统具有成本低和占用空间小的特点。
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公开(公告)号：CN110407154A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810400599.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS微执行器，包括：衬底层和位于所述衬底层上的器件层，衬底层上形成有凹槽，凹槽底部形成有上下贯通的通孔；器件层包括样品搭载部，驱动部及电极部，样品搭载部和驱动部位于衬底层的凹槽上；驱动部包括支撑单元和静电梳齿驱动单元，通过静电梳齿驱动单元驱动样品搭载部，在施加外来激励的同时原位动态记录纳米材料的微观结构演化。本申请的MEMS微执行器具有可批量生产，且制作方法简单，响应时间更短，稳定性更好，控制精度更高等优点。本申请的原位单轴拉伸器件，利用了本申请的MEMS微执行器，具有很高的适配性，能避免温度对纳米样品的影响，可在室温下观察纳米样品的显微结构演化过程，并从最佳的晶带轴实现高分辨成像。
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公开(公告)号：CN109916960A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910174319.9
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微纳米材料热电性能的双温控测量方法，采用两个独立控温的微加热器，且微加热器由悬空薄膜支撑，包括以下步骤：将两个独立控温的微加热器放置于真空系统中，连接好测试电路，进行参照组的测试；将待测的微纳米材料两端分别用导电材料固定在两个独立的微加热器上，并通过金属引线引出，再放置于真空系统中，连接好测试电路，进行测试，同时记录待测的微纳米材料两端的电阻值和产生的Seebeck电压值；利用热平衡原理和傅里叶导热定律计算得出材料的热导率。本发明不需要辅助控温系统，具有冷热端温度和温差独立且连续可控的优点，还可以结合现代分析测试仪器进行微纳米材料热电性能的原位表征。
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公开(公告)号：CN108305912A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710018051.0
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种具有波长选择性的石墨烯仿生光探测器及其制备方法，包括步骤：1)提供一基板；2)于所述基板上形成电极器件，包括测试电极、供电引线、供电电极；3)提供石墨烯并转移至所述电极器件上，至少覆盖所述测试电极；4)将上述结构置于反应炉中退火；5)于退火后的所述石墨烯表面形成具有活性基团的活性薄膜；6)于所述活性薄膜表面形成光受体蛋白。本发明将石墨烯与对特定波长光辐射敏感的光受体蛋白相结合，尤其改变了本征石墨烯对光的无选择性吸收并且吸收率低的缺点，灵敏度高，响应和恢复快，稳定性好，另外，本发明工艺过程简单，成本较低，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN105304505B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410270430.5
申请日：2014-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种混合晶圆级真空封装方法及结构，包括步骤：a）提供一衬底片，于所述衬底片中形成芯片封装腔；b）于所述衬底片的芯片封装腔中制作吸气剂薄膜；c）提供一包括基底及器件区域的已通过测试的待封装芯片；d）提供一真空设备，将所述待封装芯片及芯片封装腔对准后，进行抽真空、激活吸气剂及加热加压，通过键合结构键合所述衬底片及所述待封装芯片。本发明只对已通过测试的待封装芯片进行真空封装，降低了封装成本；直接在如红外滤波片的衬底片上制作芯片封装腔，将如红外探测器芯片等待封装芯片置于芯片封装腔上完成真空封装，提高了封装效率，减少了封装体积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231901A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810007579.2
申请日：2018-01-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , G01N27/414
Abstract: 本发明提供一种基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及制备方法，场效应晶体管的制备包括：提供半导体衬底，包括底层硅、埋氧层以及顶层硅；定义出沟道图形及连接于两端的源区图形和漏区图形；向所述源区图形及所述漏区图形对应的位置进行性离子注入，形成沟道区以及源区和漏区；于沟道区的表面形成介质层；于介质层表面形成导电层，于导电层表面形成铁电掺杂的铁电性材料层；制作源电极、漏电极以及栅电极。通过上述方案，本发明将传统的场效应晶体管与铁电负电容集成，降低器件的亚阈值摆幅，提高传感灵敏度和响应速度，利于器件功率的降低，另外，本发明采用铁电掺杂的氧化铪作为铁电负电容介质，解决了无机铁电材料难以与CMOS工艺兼容的问题。
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公开(公告)号：CN107453052A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710685056.9
申请日：2017-08-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电磁吸收超材料，其上表面处于工作环境中，包括周期性谐振单元阵列，所述电磁吸收超材料所述电磁吸收超材料上表面设有一层电介质复合薄膜，该薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加所述电介质复合薄膜的材料选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氟化镁或硅中的至少两种。本发明的电磁吸收超材料通过选取不同种类的介质薄膜，并把他们按照一定比例叠加，可以获得折射率在选取介质中最大与最小折射率之间的介质薄膜，从而实现表面晶格共振的更加灵活和可控的调制；电介质复合薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加，所以几乎可以在任意工作环境下工作，甚至是液态或运动的环境。
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公开(公告)号：CN105439071B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510791836.2
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电磁式振动传感器及其制备方法，包括：正面设有凹槽的第一硅基底、与该第一硅基底键合以形成空腔的第二硅基底以及粘附于所述第一硅基底背面的磁铁；所述第二硅基底上依次设有第一绝缘层、第一金属线圈、第二绝缘层以及第二金属线圈，所述第一金属线圈与所述第二金属线圈在线圈内部终端贯通第二绝缘层形成接触；所述第一硅基底背面的磁铁与所述凹槽底部通过深反应离子刻蚀释放为可动结构或者所述第二硅基底以及设于该第二硅基底上的第一、二绝缘层、第一、二金属线圈通过深反应离子刻蚀释放为可动结构。本发明在没有外界交变磁场干扰条件下，传感器无零偏，采用MEMS工艺制作，体积小，适合规模化制造，且易于与信号调理电路集成。
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公开(公告)号：CN105988090A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510051986.X
申请日：2015-01-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/028 , B81B3/00
Abstract: 本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子和依次形成于所述谐振振子表面上的绝缘层及至少一层金属线圈。本发明采用S型折叠梁实现弹性梁和锚点的连接，保证了谐振振子谐振时是沿垂直于谐振振子的方向移动，相比于一般的双端固支梁的组成的方环形而言，大大提高了谐振梁所围成面积单位时间内的变化量，进而增加了金属线圈内磁通量的变化，进一步增大了磁场的灵敏度。同时，在金属线圈的绝缘层下添加接地铝层，可有效避免谐振振子的信号耦合到金属线圈。本发明结构简单，不需要在金属线圈上通入电流，降低了器件的功耗；同时通过测量金属线圈两端的感应电动势来测量磁场大小，因此受温度影响小。
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公开(公告)号：CN103901085B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410165319.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/26 , G01N27/327 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及制作方法，包括制作具有三角形截面的硅纳米线沟道的硅纳米线隧穿场效应晶体管的步骤、于所述硅纳米线沟道表面进行试剂修饰形成活性薄膜以及于所述活性薄膜表面形成捕获探针的步骤。本发明工艺过程简单，可控性强，与现有半导体工艺完全兼容；成本较低，适于批量生产；器件具有双极特性，对双向检测结果进行对照，保证检测的准确性，特别适合生化分子检测的应用。另外，本发明的硅纳米线传感器中纳米线为三角形截面，该结构与其他纳米线结构（如圆柱，梯形截面）相比，比表面积更大，调制效率更高，且硅纳米线暴露的两（111）面更易形成致密的定向单分子生物敏感膜，对于生化传感有利。
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