公开(公告)号：CN104882499A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510255671.7

申请日：2015-05-19

申请人： 东南大学

发明人： 娄朝刚 ,  李晓剑

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC分类号： Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/42 ,  H01L2031/0344

摘要： 本发明公开了一种热伏电池，包括电池基本单元，所述电池基本单元为PN结，所述PN结设置在柔性或非柔性衬底上，所述PN结的材料为窄禁带宽度半导体，可选用有机或无机半导体材料，所述PN结上设置有正负极以及偏压电极；还包括储电装置，正负极与储电装置相连并向储电装置充电，储电装置同时连接到偏压电极对热伏电池提供偏压。由于该热伏电池是以常温下物体所发射出的红外热辐射作为它的热辐射源，因此，该热伏电池可以在常温的任何环境中工作，不受环境条件的限制，相比需要太阳光的光伏电池和专门辐射源的热伏电池，本发明中的电池可以应用的场合要广泛得多。

公开(公告)号：CN103003959A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180034692.6

申请日：2011-06-07

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 根上卓之 ,  山本辉明

IPC分类号： H01L31/072

CPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

摘要： 本发明提供一种成为带隙和电阻率、或者带隙和载流子浓度都适于太阳能电池的值的半导体膜。在本发明中，半导体膜由以用下述组成式(1)示出的比例来含有IB族元素、IIB族元素、IIIA族元素以及VIA族元素的半导体而构成。AxByCzDw (1)(在组成式(1)中，A表示IB族元素，B表示IIB族元素，C表示IIIA族元素，D表示VIA族元素。x、y、z以及w是表示组成比的数、且x和z满足x/z＞1的关系)。

公开(公告)号：CN102640231A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080052455.8

申请日：2010-11-23

申请人： E·I·内穆尔杜邦公司

发明人： A·G·普林斯 ,  R·J·S·杨 ,  G·劳迪辛奥 ,  G·库尔塔特 ,  K·W·杭 ,  B·怀特勒

IPC分类号： H01B1/22

CPC分类号： H01B1/22 ,  B22F1/0059 ,  B22F1/007 ,  B22F7/04 ,  B22F7/08 ,  B22F2007/047 ,  C03C8/10 ,  C03C8/12 ,  H01B1/16 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/1884 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

摘要： 本发明公开了用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供硅片，所述硅片在其正面上具有ARC层并且在其背面上具有穿孔的介电钝化层；(2)在硅片的背面上施加并干燥银浆以在穿孔的介电钝化层上形成银背面电极图案；以及(3)焙烧干燥的银浆，从而使晶片达到700-900℃的峰值温度，其中银浆不具有烧透能力或仅具有较差的烧透能力，并且包含粒状银和有机载体。

公开(公告)号：CN100487913C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200510064742.1

申请日：2005-04-18

申请人： 富士电机电子设备技术株式会社

发明人： 松井俊之 ,  星保幸 ,  小林靖幸 ,  宫坂靖

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/32 ,  H01L29/868 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明在n-半导体层(22)的表面层上，选择性地形成了深度各为14-20μm(设计值)的p+-扩散区(23、24、25)。由于用He离子对芯片整个表面进行照射，因此寿命抑制因子被从比形成于n-半导体层(22)和p+扩散区域(23)的p-n结表面(31)的位置(d1)浅的位置(d2)引入到位置比p-n结表面(31)的位置(d1)深的位置(d3)，以便形成整个芯片上的短寿命区域(32)。在He离子照射时，进行照射以使所述He离子照射半宽度不大于p+扩散区(23)的深度，并且具有He离子峰值的位置比所述He离子照射半宽度还深，且位于p+扩散区域(23)深度的80%和120%间的区域内。这样，在例如转换器二极管的半导体器件中，可带来使反向恢复电流(di/dt)具有高衰减率的能力足以高到这样一种程度，所述器件能承受雷电冲击并使低正向电压(VF)一直维持低电平。

公开(公告)号：CN1702876A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510064742.1

申请日：2005-04-18

申请人： 富士电机电子设备技术株式会社

发明人： 松井俊之 ,  星保幸 ,  小林靖幸 ,  宫坂靖

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/32 ,  H01L29/868 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明在n－半导体层22的表面层上，选择性地形成了深度各为14－20μm(设计值)的p+－扩散区23、24和25。由于用He离子对芯片整个表面进行照射，因此寿命抑制因子被从比形成于n－半导体层22和p+扩散区域23的p－n结表面31的位置d1浅的位置d2引入到位置比位置d1深的位置d3，以便形成整个芯片上的短寿命区域32。在He离子照射时，进行照射以使所述He离子照射半宽度不大于p+扩散区23的深度，并且具有He离子峰值的位置比所述He离子照射半宽度还深，且位于p+扩散区域23深度的80％和120％间的区域内。这样，在例如转换器二极管的半导体器件中，可带来使反向恢复电流di/dt具有高衰减率的能力足以高到这样一种程度即，所述器件能承受雷电冲击并使低正向电压VF一直维持低电平。

公开(公告)号：CN1678772A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03820514.9

申请日：2003-08-21

申请人： 独立行政法人物质·材料研究机构 ,  京都陶瓷株式会社

发明人： 大谷茂树 ,  木下博之 ,  松波弘之 ,  须田淳 ,  天野浩 ,  赤崎勇 ,  上山智

IPC分类号： C30B29/10 ,  H01L29/12 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01L31/0264 ,  C30B29/10 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0218 ,  H01S5/32341

摘要： 一种具有与氮化物系化合物半导体的劈开面相同的劈开面且具有导电性的二硼化物单晶衬底和使用它的半导体激光二极管与半导体装置以及它们的制造方法，其中所述二硼化物单晶衬底为二硼化物XB2(其中，X为Zr或Ti)单晶衬底1，其特征在于：二硼化物XB2单晶衬底1的面取向为(0001)面2且衬底的厚度设定为0.1mm或以下。另外，沿(10－10)面4的劈开和分割能够轻易地进行。使用该衬底，如果形成基于氮化物系化合物的半导体激光二极管等，则能够实现纵向构造元件。在分割元件时，通过沿(10－10)面进行分割，便能够形成损耗较少的半导体激光二极管的谐振面，并能够实现没有因切断余量引起的损耗的制造方法。

公开(公告)号：CN108963001A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810737352.3

申请日：2018-07-02

申请人： 合肥工业大学

发明人： 吴春艳 ,  王振宇 ,  方诒强 ,  朱韬略 ,  冯雨舟 ,  谢超 ,  罗林保

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02161 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/1876

摘要： 本发明公开了一种定位生长钙钛矿薄膜阵列的方法，其是对带有绝缘层的硅衬底表面进行疏水性处理后，再通过紫外曝光光刻技术，在衬底上定位需要生长钙钛矿薄膜阵列的区域，形成具有阵列窗口的光刻胶层，然后利用氧等离子体轰击衬底，使窗口区域亲水化；最后去除光刻胶，旋涂钙钛矿前驱体溶液并退火，即形成钙钛矿薄膜阵列。本发明结合紫外曝光光刻技术，选择性实现衬底表面的亲水化处理，为薄膜阵列的定位生长提供了一种非常简便可行的方式，为光电传感器阵列的制备提供了新的思路。

公开(公告)号：CN107658349A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710996265.5

申请日：2017-10-23

申请人： 广西筑梦三体科技有限公司

发明人： 覃杨华

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1876

摘要： 本发明公开了一种高效吸光材料及其在制备电池板的应用，所述的高效吸光材料，以重量为单位，包括以下原料：石墨希1.6份、砷化镓86份、氧化铈12份、氧化镧18份、氧化钛10份、氧化锌9份、丙基三甲氧基硅烷7份、邻苯二甲酸二(2-乙基己)酯10份、聚合氯化铝4份、701粉强化剂3份。所述的电池板，包括基板、多个多元化合物吸光体，每个多元化合物吸光体分布在基板的同一表面并紧贴排列；每个多元化合物吸光体的底部呈正六边形，每个正六边形上设有与水平面形成弧度的斜面；斜面上设有椭圆凸出部分。本发明利用3D打印制造方式将电池板表面形状做成多个蝶形凸出体，可将光能的表面辐射转化为电能，吸收效率提高一倍以上。

公开(公告)号：CN107452820A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710698526.5

申请日：2017-08-15

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

发明人： 王俊 ,  郭进 ,  王国胜 ,  金里

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/105

CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/0264

摘要： 本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器，包括衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，N型欧姆接触电极，吸收层，二维δ掺杂层，P型欧姆接触层，P型欧姆接触电极；其中，所述二维δ掺杂层为高掺杂N型半导体材料制成，所述二维δ掺杂层制作在吸收层之上。本发明通过同质二维δ掺杂层来调节电场分布，从而提高P区光生载流子的收集效率，进而提高探测器的光谱响应率。

公开(公告)号：CN107313024A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710425064.X

申请日：2017-06-06

申请人： 深圳大学

发明人： 姚慧珍 ,  陈龙龙 ,  张文静 ,  时玉萌

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L31/0264 ,  H01L33/26

CPC分类号： C23C16/305 ,  C23C16/56 ,  H01L31/0264 ,  H01L33/26

摘要： 本发明涉及一种采用无机盐对单层过渡金属硫化物（TMDCs）材料表面处理来提高其发光性能的方法，属于二维材料发光领域；该方法主要由化学气相沉积法或机械剥离制备单层TMDCs材料和滴涂法对单层TMDCs进行表面化学盐溶液修饰两部分组成；其原理是：无机盐中的阴离子与单层TMDCs材料表面存在的悬键结合成化学键，修补了单层TMDCs材料表面本身存在的结构缺陷，减少了材料内部的非辐射复合中心，改善了单层TMDCs材料的发光性能；本发明通过无机盐类对单层TMDCs材料进行表面处理调节了材料本身的发光机制，提高了其发光强度并使发光强度的空间分布变得均匀，填补了无机盐类来改善单层TMDCs材料发光性能的空白；本发明可广泛应用于单层TMDCs材料光电探测器等纳米光电子领域。