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    一种光学结构电磁屏蔽窗口及检测控制系统
    1.
    发明公开
    一种光学结构电磁屏蔽窗口及检测控制系统 审中-实审

    公开(公告)号：CN112241095A

    公开(公告)日：2021-01-19

    申请号：CN202011108248.1

    申请日：2020-10-14

    申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

    发明人： 吴朔 ,  胡俊华 ,  王俊 ,  肖冬萍 ,  甘彤

    IPC分类号： G03B17/17 ,  G02B23/08 ,  G02B7/182 ,  G02B5/08 ,  H05K9/00

    摘要： 本发明公开一种光学结构电磁屏蔽窗口及检测控制系统，包括金属壳体、入射窗口、前反射镜、后反射镜、电磁出射窗口、光束出射窗口，前反射镜和后反射镜均设置在金属壳体内，入射窗口和电磁出射窗口对应设置，且前反射镜设置在入射窗口和电磁出射窗口之间，后反射镜对应前反射镜设置，光束出射窗口对应后反射镜设置；入射窗口为入射电磁波束和入射光束的入口，电磁出射窗口为入射电磁波束的出射窗口，光束出射窗口为入射光束的出射窗口；本发明将红外与可见光的光路通过光学反射镜折叠，在不影响成像质量的情况下防止电磁波通过窗口进入设备内部造成干扰及损坏，可以被广泛的应用于强电磁环境的诸多场景。

    一种新型同质结PIN紫外探测器
    2.
    发明授权
    一种新型同质结PIN紫外探测器 有权

    公开(公告)号：CN108305907B

    公开(公告)日：2019-10-11

    申请号：CN201810077310.1

    申请日：2018-01-26

    申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

    发明人： 王俊 ,  郭进 ,  何来胜 ,  胡洋 ,  王国胜

    IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/105

    摘要： 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种新型同质结PIN紫外探测器，包括衬底、缓冲层、N型欧姆接触层、吸收层、P型梯度掺杂层、N型欧姆接触电极、P型欧姆接触电极；所述缓冲层设置在衬底上；N型欧姆接触层设置在缓冲层上；吸收层和N型欧姆接触电极均设置在N型欧姆接触层上，所述N型欧姆接触电极为环形，且吸收层位于N型欧姆接触电极的环内；P型梯度掺杂层设置在吸收层上；P型欧姆接触电极设置在P型梯度掺杂层上，所述探测器的工作模式为光线从前端入射。本发明的优点在于：通过P型梯度掺杂层来调节电场分布，从而提高P型梯度掺杂层光生载流子的收集效率，进而提高探测器的光谱响应率。

    具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构
    3.
    发明公开
    具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构 有权

    公开(公告)号：CN110098293A

    公开(公告)日：2019-08-06

    申请号：CN201910344623.3

    申请日：2019-04-26

    申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

    发明人： 王俊 ,  郭进 ,  冯俊波 ,  肖志雄

    IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/20

    摘要： 本发明公开了具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构，属于半导体光电子器件技术领域，包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层和p型GaN层，所述GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层依次生长在衬底上，所述多量子阱发光层包括多个量子阱层，最上方的所述量子阱层的终端势垒层为N-I-P结型异质外延结构，所述N-I-P结型异质外延结构依次包括N型GaN层、I型AlxGa1-xN层与P型GaN层，其中，0≤x≤0.8。本发明可以有效阻挡电子泄漏，提高空穴的注入效率，增加电子与空穴的辐射复合，提高LED的内量子效率和光的输出功率。

    一种柔性衬底上大面积金属纳米针尖阵列的制备方法
    4.
    发明授权
    一种柔性衬底上大面积金属纳米针尖阵列的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN106809802B

    公开(公告)日：2019-03-26

    申请号：CN201710115318.8

    申请日：2017-03-01

    申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

    发明人： 孟秋实 ,  郭进 ,  曹国威 ,  周杰 ,  王俊

    IPC分类号： B82B3/00 ,  B82Y40/00

    摘要： 本发明公开了一种柔性衬底上大面积金属纳米针尖阵列的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片衬底上蒸镀金属铬薄膜，旋涂光刻胶；(2)使用曝光‑显影‑定影工艺制备具有孔洞阵列的光刻胶图案；(3)用硝酸铈铵去除没有光刻胶图案保护的金属铬薄膜，暴露底部的硅衬底表面；(4)对硅片样品用碱溶液刻蚀，得到倒金字塔形的硅孔洞阵列；(5)在样品表面沉积金属薄膜，使用胶带粘去硅片表面的铬金属层以及沉积的金属薄膜；(6)用柔性软模材料浇筑硅片表面，再用碱溶液腐蚀样品，最后得到柔性衬底上的大规模金属纳米针尖阵列。本发明的优点在于：提供了一种大规模、低成本、性能良好的的柔性衬底上大面积金属纳米针尖阵列的制备方法。

    一种聚合物纳米通道的制作方法
    9.
    发明授权
    一种聚合物纳米通道的制作方法 有权

    公开(公告)号：CN102910575B

    公开(公告)日：2015-04-08

    申请号：CN201210447091.4

    申请日：2012-11-09

    申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所 ,  合肥公共安全技术研究院

    发明人： 周杰 ,  郭进 ,  冯俊波 ,  滕婕 ,  王俊

    IPC分类号： B81C1/00

    摘要： 本发明公开了一种聚合物纳米通道的制作方法，包括以下步骤：（1）在清洗后的衬底上旋转涂覆抗蚀剂，获得抗蚀剂层；（2）烘烤除去抗蚀剂溶剂；（3）通过曝光和显影，获得成对的纳米线条结构；（4）用清洗液清洗纳米线条结构，待清洗液在空气中完全挥发后，纳米通道制作完成。本发明利用液体表面张力进行通道密封，无需现有技术的键合工艺，从而不会出现流体在通道中的堵塞等现象，与电子束光刻技术相比，降低了加工成本。