公开(公告)号：CN113035982A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110234815.6

申请日：2021-03-03

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所 ,  联合微电子中心有限责任公司

发明人： 王俊 ,  崔乃迪 ,  郭进 ,  冯俊波 ,  胡洋 ,  谢峰

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/105

摘要： 本发明提供一种全硅掺杂多结电场增强型锗光波导探测器，涉及硅基光电子器件技术领域。本发明中沿第一方向依次堆叠的金属电极、硅氧化上包层、波导层和硅氧化下包层；所述波导层包括锗吸收层和薄硅层，所述锗吸收层位于所述薄硅层和硅氧化上包层之间；所述锗吸收层下方的薄硅层设有多结型掺杂区结构；所述硅氧化上包层包括通孔结构，所述通孔结构连接所述金属电极和所述薄硅层。实现在不增加工艺难度的情况下，同时抑制暗电流、提高探测器响应度、并大范围的提高探测器带宽，即极大地提高了探测器的综合性能。

公开(公告)号：CN110112272A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910345418.9

申请日：2019-04-26

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

发明人： 王俊 ,  郭进 ,  冯俊波

IPC分类号： H01L33/14

摘要： 本发明公开了一种具有异质外延结型电子阻挡层的LED结构，属于半导体光电子器件技术领域，包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层，所述GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层依次生长在衬底上，所述电子阻挡层为异质外延的P-I-N结结构，所述异质外延的P-I-N结结构包括P型AlxGa1-xN层、I型AlyGa1-yN层与N型AlzGa1-zN层。本发明可以有效降低电子泄漏，提高空穴的注入效率，增加电子与空穴的辐射复合，提高LED的内量子效率和光的输出功率。

公开(公告)号：CN107452820B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201710698526.5

申请日：2017-08-15

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

发明人： 王俊 ,  郭进 ,  王国胜 ,  金里

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/105

摘要： 本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器，包括衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，N型欧姆接触电极，吸收层，二维δ掺杂层，P型欧姆接触层，P型欧姆接触电极；其中，所述二维δ掺杂层为高掺杂N型半导体材料制成，所述二维δ掺杂层制作在吸收层之上。本发明通过同质二维δ掺杂层来调节电场分布，从而提高P区光生载流子的收集效率，进而提高探测器的光谱响应率。

公开(公告)号：CN109065663A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810928201.6

申请日：2018-08-14

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

发明人： 王俊 ,  郭进 ,  余第喜 ,  金里 ,  赵恒 ,  程国云 ,  王国胜 ,  李由

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0304

CPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/03044

摘要： 本发明公开了一种双异质结紫外探测器，所述GaN吸收层的上表面形成正的极化电荷，下表面形成负的极化电荷；在极化电荷的作用下，所述AlN缓冲层和GaN吸收层的界面间形成作为光生空穴的输送通道二维空穴气2DHG，GaN吸收层与AlGaN势垒层的界面间形成作为光生电子的输送通道二维电子气2DEG，所述探测器的工作模式为光线从肖特基接触层的上表面入射。本发明采用AlGaN/GaN/AlN双异质结代替传统的AlGaN/GaN单异质结，光生空穴将能通过2DHG沟道快速输运，从而消除单沟道结构光生空穴迁移速度慢导致的信号“拖尾”现象。光生空穴通过2DHG的有效收集将进一步提高器件的量子效率和响应频率。由于双沟道极化电荷的存在将更容易在GaN吸收区形成垂直的电场分布。

公开(公告)号：CN107452820A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710698526.5

申请日：2017-08-15

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

发明人： 王俊 ,  郭进 ,  王国胜 ,  金里

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/105

CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/0264

摘要： 本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器，包括衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，N型欧姆接触电极，吸收层，二维δ掺杂层，P型欧姆接触层，P型欧姆接触电极；其中，所述二维δ掺杂层为高掺杂N型半导体材料制成，所述二维δ掺杂层制作在吸收层之上。本发明通过同质二维δ掺杂层来调节电场分布，从而提高P区光生载流子的收集效率，进而提高探测器的光谱响应率。

公开(公告)号：CN104913511B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510354526.4

申请日：2015-06-24

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

发明人： 宋曼 ,  郭进 ,  谢峰 ,  万静龙 ,  王俊 ,  王唐林 ,  吴浩然 ,  陆学军 ,  王国胜 ,  王逸群

IPC分类号： F24H9/20

摘要： 本发明公开了一种带紫外火焰监测的燃气热水器，包括燃烧腔和设置于燃烧腔之外的硬件电路板；所述硬件电路板包括依次串联的信号采集电路、跨阻放大电路、限幅放大电路、微处理器；所述信号采集电路包括GaN紫外探测器。本发明采用了GaN紫外探测器，用于检测火焰中的紫外线光谱，并通过硬件电路板固定在燃烧腔的石英玻璃视窗外面，所述的硬件电路板为跨阻放大电路和限幅放大电路组合的两级放大电路，可以优化噪声和增益的制约关系。因此它具有响应速度快、抗干扰能力强、可靠性高等优点，可避免潮湿环境影响火焰检测灵敏度。

公开(公告)号：CN106932866A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710190735.9

申请日：2017-03-28

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

发明人： 金里 ,  方俏然 ,  周杰 ,  赵恒 ,  吴浩然 ,  冯俊波 ,  郭进

IPC分类号： G02B6/42 ,  G02B6/26

摘要： 本发明公开了一种硅基光子器件的自动对光装置及方法，将光纤探头在待测芯片表面划定区域内逐点进行二维扫描，所述并对相隔一定位置的点进行反射光功率的检测，所述划定区域包含目标器件和反射镜；划定区域扫描完成后，得到位置与光功率的对应信息，找到最大功率所在的坐标，该坐标即为反射镜的位置，同理获得与该反射镜相对称的另一个反射镜；反射镜的位置与目标器件的输入输出点相对位置固定，通过两个反射镜的位置找到目标器件的输入输出点，将输入输出光纤与目标器件的垂直耦合光栅结构对准即可。本发明操作简单，算法实现更加简单，大大简化了自动对光的过程，降低了系统的成本，且整个对光的时间较短，适合普通使用者操作。

公开(公告)号：CN104483543B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410799049.8

申请日：2014-12-20

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

发明人： 王皖君 ,  郭进 ,  冯俊波 ,  周杰 ,  崔乃迪

IPC分类号： G01R23/02

摘要： 本发明公开了一种微波频率测量芯片及其应用方法、制备方法。微波频率测量芯片包括光栅耦合器、相位调制器、基于微环谐振腔的滤波器、总线波导。光信号通过耦合光栅耦合进入芯片，光载波信号在总线波导中进行传输，首先通过相位调制器，待测未知微波信号通过强度调制器对光载波信号进行调制，调制后的信号通过总线波导进入微环谐振腔，分别在滤波器的上、下话路端输出两路光功率，通过计算的已测光功率的比值，即可确定未知的微波信号。本发明的优点是采用硅基光子集成芯片来实现对未知微波信号的检测、具有芯片体积小、重量轻、集成度高、成本低，并且对电磁干扰免疫的优点。本发明同时还公开了此芯片的应用方法、制作方法。

公开(公告)号：CN105702773A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610208217.0

申请日：2016-04-01

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所

发明人： 王俊 ,  郭进 ,  王国胜 ,  吴浩然 ,  王唐林 ,  宋曼 ,  易媛媛 ,  谢峰

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/0304

CPC分类号： H01L31/1085 ,  H01L31/03048

摘要： 本发明基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器涉及一种半导体光电子器件。其目的是为了提供一种基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器，该紫外探测器通过阻挡势垒结构对探测器的输运模式进行选择，同时采用先进的NPSS技术，进而达到全面提高窄带通紫外探测器性能的目的。本发明一种基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器，自下而上依次包括：衬底、缓冲层、N型吸收层和肖特基电极；其中于肖特基电极的中间开有缺口，于所述肖特基电极的缺口处、N型吸收层的上方还依次包括N型势垒层和N型短波过滤层。

公开(公告)号：CN105097964A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510434763.1

申请日：2015-07-21

申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所 ,  合肥公共安全技术研究院

发明人： 王俊 ,  郭进 ,  谢峰 ,  王国胜 ,  吴浩然 ,  王唐林 ,  宋曼

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/09

CPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/03048

摘要： 本发明公开一种有源区高斯掺杂型pπn紫外探测器，属于半导体器件技术领域。该器件包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型欧姆接触层(3)、N型欧姆接触电极(7)、π型吸收层(4)、P型欧姆接触层(5)以及P型欧姆接触电极(6)，缓冲层外延在衬底上，N型欧姆接触层制作在缓冲层上，N型欧姆接触电极为环形结构，且制作在N型欧姆接触层上，所述π型吸收层为垂直外延方向的渐变高斯掺杂，π型吸收层制作在N型欧姆接触层上，P型欧姆接触层制作在π型吸收层之上，P型欧姆电极制作在P型欧姆接触层之上。本发明的优点在于通过掺杂调节吸收区电场分布，从而能够有效地提高探测器的响应率。