公开(公告)号：CN100487913C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200510064742.1

申请日：2005-04-18

申请人： 富士电机电子设备技术株式会社

发明人： 松井俊之 ,  星保幸 ,  小林靖幸 ,  宫坂靖

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/32 ,  H01L29/868 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明在n-半导体层(22)的表面层上，选择性地形成了深度各为14-20μm(设计值)的p+-扩散区(23、24、25)。由于用He离子对芯片整个表面进行照射，因此寿命抑制因子被从比形成于n-半导体层(22)和p+扩散区域(23)的p-n结表面(31)的位置(d1)浅的位置(d2)引入到位置比p-n结表面(31)的位置(d1)深的位置(d3)，以便形成整个芯片上的短寿命区域(32)。在He离子照射时，进行照射以使所述He离子照射半宽度不大于p+扩散区(23)的深度，并且具有He离子峰值的位置比所述He离子照射半宽度还深，且位于p+扩散区域(23)深度的80%和120%间的区域内。这样，在例如转换器二极管的半导体器件中，可带来使反向恢复电流(di/dt)具有高衰减率的能力足以高到这样一种程度，所述器件能承受雷电冲击并使低正向电压(VF)一直维持低电平。

公开(公告)号：CN1702876A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510064742.1

申请日：2005-04-18

申请人： 富士电机电子设备技术株式会社

发明人： 松井俊之 ,  星保幸 ,  小林靖幸 ,  宫坂靖

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/32 ,  H01L29/868 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明在n－半导体层22的表面层上，选择性地形成了深度各为14－20μm(设计值)的p+－扩散区23、24和25。由于用He离子对芯片整个表面进行照射，因此寿命抑制因子被从比形成于n－半导体层22和p+扩散区域23的p－n结表面31的位置d1浅的位置d2引入到位置比位置d1深的位置d3，以便形成整个芯片上的短寿命区域32。在He离子照射时，进行照射以使所述He离子照射半宽度不大于p+扩散区23的深度，并且具有He离子峰值的位置比所述He离子照射半宽度还深，且位于p+扩散区域23深度的80％和120％间的区域内。这样，在例如转换器二极管的半导体器件中，可带来使反向恢复电流di/dt具有高衰减率的能力足以高到这样一种程度即，所述器件能承受雷电冲击并使低正向电压VF一直维持低电平。