电子电路
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103907280B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201280045754.8

    申请日:2012-09-20

    Inventor: 林口匡司

    Abstract: 本发明提供一种能减低MOSFET的截止时的开关损耗并且能减低冲击电压的电子电路。在母线(61a)中的靠近U相用模块(3)的第一电源端子(31)的部分与母线(64a)中的靠近U相用模块(3)的第二电源端子(32)的部分之间,连接有电容器(91)。在母线(62)中的靠近V相用模块(4)的第一电源端子(41)的部分与母线(65)中的靠近V相用模块(4)的第二电源端子(42)的部分之间,连接有电容器(92)。在母线(63)中的靠近W相用模块(5)的第一电源端子(51)的部分与母线(66)中的靠近W相用模块(5)的第二电源端子(52)的部分之间,连接有电容器(93)。

    电力转换装置
    22.
    发明公开
    电力转换装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118160090A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202280070836.1

    申请日:2022-10-11

    Inventor: 林口匡司

    Abstract: 一种电力转换装置,具有:第一半导体模块、第二半导体模块、第三半导体模块以及电容器模块。在z方向上观察,所述第一半导体模块的第一中心线、所述第二半导体模块的第二中心线以及所述第三半导体模块的第三中心线与电容器主体部交叉。所述第一中心线与所述第二中心线所成的角度即第一角度、所述第二中心线与所述第三中心线所成的角度即第二角度彼此相等。第一汇流条、第二汇流条以及第三汇流条的长度彼此相等。

    开关器件及电子电路
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112117997B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202011022376.4

    申请日:2014-11-18

    Abstract: 开关器件(1)包含:SiC半导体芯片(11),其具有栅极焊盘(14)、源极焊盘(13)及漏极焊盘(12),在向源极-漏极间提供电位差的状态下向栅极-源极间提供驱动电压,从而对源极-漏极间进行导通/截止控制;读出源极端子(4),其与源极焊盘(13)电连接,用于提供驱动电压;以及既定大小的外部电阻(源极用线(16)),其介于读出源极端子(4)与源极焊盘(13)之间的电流路径,从读出源极端子(4)分离。

    半导体装置
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110383475B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN201880016289.2

    申请日:2018-03-14

    Abstract: 半导体装置具备第一基板、第二基板、多个第一安装层、多个第二安装层、多个电源端子、输出端子、多个中继导电部件、以及多个开关元件。多个中继导电部件与多个所述第一安装层和多个所述第二安装层逐一连接。多个中继导电部件各自具有多个带状部、和连结部。多个所述带状部在第一方向上延伸并且在相对于厚度方向和所述第一方向双方正交的第二方向上彼此分离。所述连结部在所述第二方向上延伸并且将多个所述带状部相互连结。多个所述带状部的一端与所述第一安装层连接,并且多个所述带状部的另一端与所述第二安装层连接。

    半导体功率模块
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109417067B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN201780034169.0

    申请日:2017-05-31

    Abstract: 本发明提供一种半导体功率模块,包括:绝缘基板,具有一个表面和另一个表面;输出侧端子,配置于上述绝缘基板的上述一个表面侧;第1电源端子,配置于上述绝缘基板的上述一个表面侧;第2电源端子,以隔着上述绝缘基板与上述第1电源端子对置的方式配置于上述绝缘基板的上述另一个表面侧,并被施加与施加于上述第1电源端子的电压不同大小的电压;第1开关元件,配置于上述绝缘基板的上述一个表面侧,并与上述输出侧端子和上述第1电源端子电连接;和第2开关元件,配置于上述绝缘基板的上述一个表面侧,并与上述输出侧端子和上述第2电源端子电连接。

    电子电路
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103907280A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201280045754.8

    申请日:2012-09-20

    Inventor: 林口匡司

    Abstract: 本发明提供一种能减低MOSFET的截止时的开关损耗并且能减低冲击电压的电子电路。在母线(61a)中的靠近U相用模块(3)的第一电源端子(31)的部分与母线(64a)中的靠近U相用模块(3)的第二电源端子(32)的部分之间,连接有电容器(91)。在母线(62)中的靠近V相用模块(4)的第一电源端子(41)的部分与母线(65)中的靠近V相用模块(4)的第二电源端子(42)的部分之间,连接有电容器(92)。在母线(63)中的靠近W相用模块(5)的第一电源端子(51)的部分与母线(66)中的靠近W相用模块(5)的第二电源端子(52)的部分之间,连接有电容器(93)。

    半导体装置
    29.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117337490A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202280033796.3

    申请日:2022-04-25

    Abstract: 半导体装置具有:切换导通状态和切断状态的开关电路。所述开关电路包含并联电连接的第一开关元件和第二开关元件。所述第一开关元件是IGBT,所述第二开关元件是MOSFET。在所述开关电路中流过的电流小于第一电流值时,所述第二开关元件的电压比所述第一开关元件低。在所述开关电路的电流为第二电流值以上且第三电流值以下时,所述第二开关元件的阈值电压相对于所述第一开关元件的阈值电压在‑1.0V以上且+0.4V以下的范围内。所述第三电流值为所述开关电路的额定电流以下。所述第一电流值小于所述第三电流值。

    半导体模块
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112352314B

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN201980039178.8

    申请日:2019-05-14

    Abstract: 本发明提供一种半导体模块,其构成要素包含半导体装置和汇流条。半导体装置具备绝缘基板、导电部件、多个开关元件、第一输入端子和第二输入端子。绝缘基板具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的主面和背面。导电部件配置于主面。多个开关元件与导通部件以导通的状态接合。第一输入端子具有第一端子部并且与导电部件以导通的状态接合。第二输入端子具有沿着厚度方向来看与第一端子部重叠的第二端子部并且与多个开关元件导通。第二输入端子在厚度方向上相对于第一输入端子和导电部件双方分离配置。汇流条具备第一供给端子和第二供给端子。第一供给端子与第一端子部以导通的状态接合。第二供给端子与第二端子部以导通的状态接合。

Patent Agency Ranking