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公开(公告)号：CN112955846B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201980070781.2
申请日：2019-10-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明的半导体装置包括电池侧的第一端子、逆变电路侧的第二端子和晶体管。半导体装置构成为，通过对施加于晶体管的控制端子的电压进行控制，容许从第一端子向第二端子的电流的供给，并且容许从第二端子向第一端子的电流的供给。第一端子与第二端子之间的耐压为电池电压以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112955846A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980070781.2
申请日：2019-10-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明的半导体装置包括电池侧的第一端子、逆变电路侧的第二端子和晶体管。半导体装置构成为，通过对施加于晶体管的控制端子的电压进行控制，容许从第一端子向第二端子的电流的供给，并且容许从第二端子向第一端子的电流的供给。第一端子与第二端子之间的耐压为电池电压以上。
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公开(公告)号：CN115968329A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202180051611.7
申请日：2021-08-06
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: B24B27/06
Abstract: 半导体装置的制造方法包含以下工序：准备半导体基板的工序，该半导体基板具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面，并设定有多个装置形成区域和划分多个所述装置形成区域的切断预定线；在各所述装置形成区域形成覆盖所述第一主面的第一电极的工序；形成覆盖所述第二主面的第二电极的工序；沿着所述切断预定线局部地除去所述第二电极以使所述半导体基板露出，并形成沿着所述切断预定线延伸的除去部的工序；沿着所述除去部切断所述半导体基板的工序。
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公开(公告)号：CN117039796A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311037639.2
申请日：2019-10-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明的半导体单元包括半导体装置、控制部和电阻部。半导体装置具有设置在电池的正极与逆变电路之间的晶体管，逆变电路与电池电连接。控制部与晶体管的控制端子连接，控制晶体管。电阻部设置在控制端子与控制部之间。控制部以在流过晶体管的电流为阈值以上的情况下使晶体管截止的方式控制晶体管。电阻部的电阻值为100Ω以上。
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公开(公告)号：CN112930632B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201980070740.3
申请日：2019-10-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明的半导体单元包括半导体装置、控制部和电阻部。半导体装置具有设置在电池的正极与逆变电路之间的晶体管，逆变电路与电池电连接。控制部与晶体管的控制端子连接，控制晶体管。电阻部设置在控制端子与控制部之间。控制部以在流过晶体管的电流为阈值以上的情况下使晶体管截止的方式控制晶体管。电阻部的电阻值为100Ω以上。
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公开(公告)号：CN112930632A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201980070740.3
申请日：2019-10-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明的半导体单元包括半导体装置、控制部和电阻部。半导体装置具有设置在电池的正极与逆变电路之间的晶体管，逆变电路与电池电连接。控制部与晶体管的控制端子连接，控制晶体管。电阻部设置在控制端子与控制部之间。控制部以在流过晶体管的电流为阈值以上的情况下使晶体管截止的方式控制晶体管。电阻部的电阻值为100Ω以上。
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