公开(公告)号：CN113728425A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202080028353.6

申请日：2020-06-16

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 太田真吾

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/268 ,  H01L23/544

Abstract: SiC半导体装置的制造方法包括：准备具有主面且由SiC单晶构成的SiC晶片的工序；在上述主面上设定划分多个芯片区域的切断预定线的工序，该多个芯片区域包括形成功能器件的第一芯片区域、以及形成执行上述第一芯片区域的过程管理的监控图案的第二芯片区域；在上述主面上形成多个主面电极的工序，该多个主面电极以使上述切断预定线露出的方式分别包覆多个上述芯片区域，且分别形成上述功能器件的一部分以及上述监控图案的一部分；向从多个上述主面电极露出的上述切断预定线照射激光，形成改性成与SiC单晶不同的特性的改性区域的工序；以及以上述改性区域为起点劈开上述SiC晶片的工序。

公开(公告)号：CN118676061A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410690463.9

申请日：2020-06-16

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 太田真吾

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/50 ,  B23K26/70 ,  H01L21/304 ,  H01L21/268 ,  H01L23/544 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种SiC半导体装置及其制造方法。SiC半导体装置的制造方法包括：准备具有主面且由SiC单晶构成的SiC晶片的工序；在上述主面上设定划分多个芯片区域的切断预定线的工序，该多个芯片区域包括形成功能器件的第一芯片区域、以及形成执行上述第一芯片区域的过程管理的监控图案的第二芯片区域；在上述主面上形成多个主面电极的工序，该多个主面电极以使上述切断预定线露出的方式分别包覆多个上述芯片区域，且分别形成上述功能器件的一部分以及上述监控图案的一部分；向从多个上述主面电极露出的上述切断预定线照射激光，形成改性成与SiC单晶不同的特性的改性区域的工序；以及以上述改性区域为起点劈开上述SiC晶片的工序。

公开(公告)号：CN113728425B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202080028353.6

申请日：2020-06-16

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 太田真吾

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/268 ,  H01L23/544

Abstract: SiC半导体装置的制造方法包括：准备具有主面且由SiC单晶构成的SiC晶片的工序；在上述主面上设定划分多个芯片区域的切断预定线的工序，该多个芯片区域包括形成功能器件的第一芯片区域、以及形成执行上述第一芯片区域的过程管理的监控图案的第二芯片区域；在上述主面上形成多个主面电极的工序，该多个主面电极以使上述切断预定线露出的方式分别包覆多个上述芯片区域，且分别形成上述功能器件的一部分以及上述监控图案的一部分；向从多个上述主面电极露出的上述切断预定线照射激光，形成改性成与SiC单晶不同的特性的改性区域的工序；以及以上述改性区域为起点劈开上述SiC晶片的工序。

公开(公告)号：CN115968329A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202180051611.7

申请日：2021-08-06

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 太田真吾 ,  寺田润

IPC: B24B27/06

Abstract: 半导体装置的制造方法包含以下工序：准备半导体基板的工序，该半导体基板具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面，并设定有多个装置形成区域和划分多个所述装置形成区域的切断预定线；在各所述装置形成区域形成覆盖所述第一主面的第一电极的工序；形成覆盖所述第二主面的第二电极的工序；沿着所述切断预定线局部地除去所述第二电极以使所述半导体基板露出，并形成沿着所述切断预定线延伸的除去部的工序；沿着所述除去部切断所述半导体基板的工序。